CN110660738B 半导体装置的形成方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）

US2017170321A1,2017.体层的边缘部分包括第二半导体层的侧部与上极/漏极区，位于第二半导体层中，且轻掺杂源2蚀刻多个沟槽于该半导体层与该基板中，以形成含一第一部分与在蚀刻所述沟槽于该半导体层与该基板中之后，在该鳍状物的氢自由基处理制程，且在该氢自由基处理制程之后减少该鳍状物的上表面与侧部的硅浓2.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中进行该氢自由基处理制程的步骤配送包括一第一气体与一第二气体的一气体源至该鳍状物的上表3.如权利要求2所述的半导体装置的形成方法，其中进行该氢自由基处理制程的步骤4.如权利要求3所述的半导体装置的形成方法，其中进行该氢自由基处理制程的步骤5.如权利要求3所述的半导体装置的形成方法，其中在一蚀刻腔室中进行该氢自由基6.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该氢自由基处理制程的温度介于100℃至600℃之间。7.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该氢自由基处理制程的时间小于8.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该氢自由基处理制程的压力介于形成多个轻掺杂源极/漏极区于该半导体层中，且该金属栅极堆叠形成于所述轻掺杂3硅锗的一上侧部分；形成一轻掺杂源极/漏极区于该鳍状物中，其中该轻掺杂源极/漏极形成一源极区与一漏极区于该鳍状物中，且该源极区或该漏极区延伸至该轻掺杂源暴露该鳍状物的上表面与侧部至一氢自由基，该氢自由基与该鳍多个轻掺杂源极/漏极区，位于该第二半导体层中，4一栅极介电层，位于该第二半导体层上，且该栅极介电层的下23.如权利要求22所述的半导体装置，其中该栅极堆叠下的该硅锗层的下侧部分具有24.如权利要求21所述的半导体装置，其中该硅锗层的上侧部分的边缘部分的厚度为27.如权利要求21所述的半导体装置，其中该硅锗层的上侧部分的边缘部分的锗浓度一鳍状物，自一基板延伸，该鳍状物包括一第一半导体部分及顶部的一通道区的锗浓度大于该第二半导体一轻掺杂源极/漏极区位于该第二半导体部分中，该轻掺杂源极/漏530.如权利要求29所述的半导体装置，其中该一轻掺杂源极/漏极区，位于该第二半导体部分中，该轻掺杂源32.如权利要求31所述的半导体装置，其中34.如权利要求28所述的半导体装置，其中该第二半导体部分的宽度在该隔离区的上一隔离区，位于该鳍状物的该第二部分的下侧部分的周围，且该36.如权利要求35所述的半导体装置，其中6[0001]本发明实施例关于半导体装置，更特别关于增加鳍状物通道区中的锗浓度的方二锗浓度小于第一锗浓度，第二半导体层的边缘部分包括第二半导体层的侧部与上表面；78或类似用语可用于简化说[0049]图1亦显示后续附图所用的参考剖面。参考剖面A-A沿着鳍状场效晶体管的通道、着图1中的参考剖面A-A，差别在于图2至9具有多个鳍状物或鳍状场效晶体管。在图10A至9体晶体管(比如n型鳍状场效晶体管)，或用于形成p型装置如p型金属氧化物半导体晶体管且形成于区域中的p型杂质浓度可小于或等于1018cm-3，比如介于约1017cm-3至约1018cm-3之而第二部分60B包括半导体层52的部分(如第二半导体材料的第二层)。一开始形成的鳍状露出且未横向限制鳍状物60的侧壁(比如露出鳍状物60的侧壁至自由空间，而其他结构或述的组合。可流动的化学气相沉积可在远端等离子体系统中沉积化学气相沉积为主的材状物60的第二部分60B上侧部分自相邻的浅沟槽隔离区64之间凸起。使绝缘材料62的凹陷分60B中的富锗层68其锗浓度介于约20％至约45％之间，以改善最终鳍状场效晶体管的载一装置中，处理前的整个鳍状物60的锗浓度为约29处理后的鳍状物60的中心部分的锗[0063]锗凝结制程66为氢自由基处理制程，其中鳍状物60的第二部分60B暴露至氢自由20而载气可为气体源的约80％至约97％。气体源的配送流速可介于约10每分钟标准立相邻的浅沟槽隔离区64之间时，鳍状物60的第二部分60B可具有不同的上侧宽度与下侧宽[0066]虽然半导体层52在形成时具有低锗浓度，形成富锗层68可增加鳍状物60的锗浓质可为前述的任何p型杂质。轻掺杂源极/漏极区90的杂质浓度可介于约1015cm-3至约杂源极/漏极区90上。栅极间隔物94的形成方法可为顺应性沉积材料，之后非等向蚀刻材封间隔物92与栅极间隔物94用于使外延的源极/漏极区96与虚置栅极82分隔合适的横向距制程，其采用的反应气体可选择性地蚀刻虚置栅极82而不蚀刻层间介电层100或栅极间隔极区90之间。轻掺杂源极/漏极区90亦形成于具有富锗层68的鳍状物60的部分中。如此一置换栅极。栅极介电层104与栅极106可一起称作最终鳍状场效晶体管的栅极或栅极堆叠。过层间介电层100与110的开口以用于源极/漏极接点112，并形成穿过层间介电层110的开以自层间介电层110的表面移除多余材料。保留的衬垫层与导电材料形成源极/漏极接点112及栅极接点114于开口中。可进行退火制程以形成硅化物于外延的源极/漏极区96与源而栅极接点114物理与电性耦接至栅极106。源极/漏极接点112与栅极接点114可由不同制一部分60A可具有一致的第三宽度W3。在浅沟槽隔离区64的上表面下，可能改变鳍状物宽伸(比如沿着最终鳍状场效晶体管的通道区延伸)，而轻掺杂源极/漏极区90可具有一致的其他区域(比如栅极密封间隔物92与栅极间隔物94下的其他区域)仍维持第一宽度W1(见图刻制程(见图4)时有助于避免鳍状物侧壁变形。在形成鳍状物60的蚀刻制程后进行锗凝结由基处理制程的温度介于约100℃至约600℃之制程的时间小于约100秒。在方法的一些实施例中，氢自由基处理制程的压力介于约