CN110970470B 显示装置及其制造方法 （三星显示有限公司）

US2014140019A1,2014.05.22在外围区域的焊盘部分中的连接电极和在显示面和薄膜晶体管的电极的侧表面并且暴露连接2在所述基底基板上的源极/漏极图案，所述源极/漏极图案包在所述基底基板上的平坦化绝缘层，所述平坦化绝缘层接触所所述薄膜晶体管的所述电极的侧表面并且暴露所述连接电极的整所述连接电极包括第一层图案和在所述第一层图案上的第二层图4.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述连接电极的顶表面具有比所述连接电极在所述平坦化绝缘层和所述基底基板之间以及在所述平坦化绝缘层和所述源极/漏极所述连接电极的所述侧表面和底表面接触所述平坦在基底基板上形成源极/漏极图案，所述基底基板包括将在其中显示图像的显示区域和与所述显示区域相邻的外围区域，所述源极/漏极图案包括在所述外围区域的焊盘部分在其上形成所述源极/漏极图案的所述基底基板上形成平坦化绝缘层，所述平坦化绝缘层通过去除所述初始绝缘层的使用所述连接电极和包括驱动电路的驱动构件之间的连接构件，3通过蚀刻所述第二层和所述第一层形成所述源极/漏极通过化学机械平坦化工艺去除所述初始绝缘层的设置在所述连接电极上的部分以暴其中对于针对所述平坦化绝缘层的所述化学机械平坦化工所述平坦化绝缘层低的化学机械平坦化选择性其中在其上形成所述源极/漏极图案的所述基底基板上形成的所述下绝缘层和所述初4[0005]显示装置可以进一步包括在平坦化绝缘层上的通孔绝缘层和在通孔绝缘层上的[0008]显示装置可以进一步包括在平坦化绝缘层和基底基板之间以及在平坦化绝缘层和源极/漏极图案的侧表面之间的停止层图案。停止层图案可以包括与平坦化绝缘层不同[0011]源极/漏极图案可以被容纳在平坦化绝缘层的顶表面上的凹部中。连接电极的侧[0012]实施例还涉及一种制造显示装置的方法，包括：在基底基板上形成源极/漏极图图案包括在外围区域的焊盘部分中的连接电极和设置在显示区域中的薄膜晶体管的电极；5[0014]该方法可以进一步包括在平坦化绝缘层上形成通孔绝缘层并在通孔绝缘层上形[0015]形成平坦化绝缘层可以包括：通过化学机械平坦化(CMP)工艺去除初始绝缘层的[0016]该方法可以进一步包括在形成初始绝缘层之前在源极/漏极图案上形成停止层。形成平坦化绝缘层可以包括：通过化学机械平坦化(CMP)工艺去除初始绝缘层的设置在连[0020]该方法可以进一步包括在形成源极/漏极图案之前在基底基板上形成下绝缘层。在其上形成源极/漏极图案的基底基板上形成的下绝缘层和初始绝缘层可以由相同的材料[0023]通过参考附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员将变得显而易6D1和垂直于第一方向D1的第二方向D2形成的平面上具有[0043]焊盘部分PAD可以形成在下外围区域中。用于连接用于驱动显示装置的驱动构件ACT可以包括掺杂有杂质的源区和漏区以及设置在源区与漏区之间的7基板100具有相对不规则的表面的情况下，缓冲层可以改善基底基板100的表面的平坦度。[0051]第一绝缘层110可以设置在其上设置有源图案ACT的基底基板100上。第一绝缘层[0054]源极/漏极图案可以设置在第二绝缘层120上。源极/漏极图案可以包括设置在显外围区域PA的焊盘区域PAD中的连接电[0056]源电极SE可以通过穿过第一绝缘层110和第二绝缘层120形成的接触孔电连接到有源图案ACT的源区。漏电极DE可以通过穿过第一绝缘层110和第二绝缘层120形成的接触[0059]平坦化绝缘层130可以包括诸如硅化合物、金属氧化物的无机绝缘材料或者有机8[0063]第一电极181可以设置在通孔绝缘层140上。第一电极181可以通过穿过通孔绝缘[0066]像素限定层PDL可以设置在其上设置第一电极181的通孔绝缘层140上。像素限定素限定层PDL来形成暴露第一电极181的开口。可以由像素限定层PDL的开口来限定显示装置的发光区域和非发光区域。例如，设置像素限定层PDL的开口的部分可以对应于发光区[0067]发光层182可以设置在通过像素限定层PDL的开口暴露的第一电极181上。在一些入层但不包括有机发光层的发光结构180的层可以共同地形成以对应于多个像素。可以使[0068]第二电极183可以设置在像素限定层PDL和发光层182上。根据显示装置的发光类[0069]薄膜封装层TFE可以设置在第二电极183上。薄膜封装层TFE可以帮助防止水分和9122的顶表面可以被暴露并且不被诸如通孔绝缘层140的绝缘层、像素限定层PDL或薄膜封[0075]连接电极122可以具有沿垂直于第一方向D1和第二方向D2的第三方向D3的恒定的渐缩的横截面形状。连接电极122的底表面和连接电极122的侧表面之间的角度θ可以是小GE。源极/漏极图案可以包括设置在显示区域DA中的源电极SE和漏电极DE以及设置在外围[0081]停止层图案125可以设置在第二绝缘层120和平坦化绝缘层130之间以及源极/漏[0085]参考图5和图6，除了将第二绝缘层和平坦化绝缘层形成为一个平坦化绝缘层135在显示区域DA中的源电极SE和漏电极DE以及设置在外围区域PA的焊盘部分PAD中的连接电化绝缘层135的顶表面在与第三方向D3(参见图6)相反的方向上凹陷的形状。源极/漏极图[0088]平坦化绝缘层135可以包括诸如硅化合物或金属氧化物的无机绝缘材料或者有机[0090]连接电极122可以具有沿垂直于第一方向D1和第二方向D2的第三方向D3恒定的渐源极/漏极图案可以包括设置在显示区域DA中的源电极SE和漏电极DE以及设置在外围区域[0094]触摸结构TS可以直接在薄膜封装层TFE上形成。触摸结构TS可以包括第一触摸图[0095]根据本实施例，可以防止在形成触摸结构TS之前的过程中由于氧化/还原反应导[0099]可以在第二绝缘层120上形成源极/漏极图案。源极/漏极图案可以包括设置在外围区域PA的焊盘部分PAD中的连接电极122以及设置在显示区域DA中的源电极SE和漏电极[0100]可以通过在第二绝缘层120上形成导电层然后利用光刻工艺或利用使用另外的蚀其中源极/漏极图案形成台阶的部分来暴露源极/[0104]例如，可以通过诸如化学机械平坦化(CMP)工艺等的平坦化工艺去除初始绝缘层130a的设置在外围区域PA的焊盘部分PAD的连接电极122上方的部分，使得连接电极122的[0105]参考图8D，可以在平坦化绝缘层130上以及在源电极SE和漏电极DE上形成通孔绝[0106]可以在通孔绝缘层140上形成第一电极181。可以通过在通孔绝缘层140上形成导在连接电极122的表面上形成由于氧化/还原反应引起的杂质。当第一电极181包括银(Ag)由可能受到第一电极181的图案化的很大影响的铝形成的第二层图案(参见图3中的122b)[0115]连接电极122的顶表面可以与平坦化绝缘层130的与连接电极122相邻的顶表面处[0116]图9A至图9G示出了制造图4所示的显示装置的方法的多个阶段的横截面图。除了再重复与图8A至图8F中所示的阶段相同的阶[0118]可以在第二绝缘层120上形成源极/漏极图案。源极/漏极图案可以包括外围区域PA的焊盘部分PAD中的连接电极122和显示区域DA中的源电极S暴露停止层125a的在源极/漏极图案上的[0122]例如，可以通过诸如化学机械平坦化(CMP)工艺等的平坦化工艺去除外围区域PADA中的源电极SE和漏电极DE上的初始绝缘层13初始绝缘层130a的CMP工艺直到停止层1电极122以及源电极SE和漏电极DE。这可以通过另外的工艺(例如，单独的抛光工艺)来完少或防止初始绝缘层130a上的CMP工艺对连接电极12[0127]参考图9E，可以在平坦化绝缘层130以及源电极SE和漏电极DE上形成通孔绝缘层[0130]图10A至图10C是示出制造图5的显示装置的方法的多个阶段的横截面图。除了平[0133]参考图10B，可以在其上形成源极/漏极图案的下绝缘层135a上形成上绝缘层[0135]例如，可以通过诸如化学机械平坦化(CMP)工艺等的平坦化工艺去除设置在外围区域PA的焊盘部分PAD的连接电极122上方的上绝缘层135b(参见图10B)的部分，使得连接[0137]图11A至图11B是示出制造图7的显示装置的方法的多个阶段的横截面图。除了在薄膜封装层TFE上进一步形成触摸结构TS之外，该方法与图8A至图8F的方法基本相同。因[0140]可以减少或防止由于第一电极181的形成过程中的氧化/还原反应导致的杂质形[0142]根据示例性实施例，制造显示装置的方法包括：在基底基板上形成源极/漏极图[0143]图12是示出根据示例实施例的电子设备的框图。图13A是示出图12的电子设备被相变随机存取存储器(PRAM)器件、电阻随机存取存储器(RRAM)器件、纳米浮栅存储器机存取存储器(FRAM)器件之类的至少一个非易失性存储器设备和/或诸如动态随机存取存[0146]显示设备560可以经由总线或其它通信链路耦接到其它组件。在一些示例实施例[0148]本文公开的显示装置和制造显示装置的方法的实施例可以应用于显示设备和包