CN111463306B 一种新型异质结电池及其制备方法 （晋能光伏技术有限责任公司）_第1页
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文档简介

区晋中开发区新能源汽车园区广安东浅掺层交替设置于所述第一本征非晶硅层的正包括浅掺n型非晶硅层和设置于所述浅掺n型非二本征非晶硅层背面的第二掺杂层、第二TCO层和第二金属栅线；所述第二掺杂层为掺杂p型非2以及依次设置在所述第二本征非晶硅层背面的第二掺杂层、第二TCO层和第二金属栅所述第一掺杂层还包括：重掺层；所述重掺层和所述浅掺层交替设非晶硅层的正面，且均与所述第一本征非晶硅层相接触；且所述重掺层为重掺n型非晶硅2.根据权利要求1所述的一种新型异质结电池3.根据权利要求1所述的一种新型异质结电硅层和所述第二本征非晶硅层的厚度均为5-10nm；第一TCO层和第二TCO层的厚度均为10-S2：在所述硅层衬底的正面和背面分别沉积第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层；S4：对完成S3步骤的所述第一氮化硅层利用掩膜方式用进行掩膜保护区域的所述第一氮化硅层进行腐蚀去除后，用1-5％KOH溶液将掩膜胶去除，S5：在完成S2步骤所述浅掺n型非晶硅层的正面进行第一骤所述重掺n型非晶硅层和所述第一氮化硅层的正面进行第一TS6：在完成S5步骤的所述第二本征非晶硅层的背面沉积第二氮化硅层或掺杂p型非晶3S7：对完成S6步骤沉积所述第二氮化硅层的背面利用掩膜方S8：对完成S6步骤所述掺杂p型非晶硅层的背面进行第二骤所述掺杂p型非晶硅层和所述第二氮化硅层的背面进行第二TS9：对完成S8步骤所述第一TCO层的正面和所述第二T4[0002]光伏产业链近年来快速发展的本质是技术驱动降本提效。目前单晶趋势已经确业最值得期待的变革在于电池环节将有p型电池转向n型电池，其中异质结电池以其效率[0008]依次设置在所述第一本征非晶硅层正面的第一掺杂层、第一TCO层和第一金属栅[0010]以及依次设置在所述第二本征非晶硅层背面的第二掺杂层、第二TCO层和第二金5[0021]优选地，所述第一氮化硅层和所述第二氮化硅层的厚度均为40-70nm，折射率为[0030]S4：对完成S3步骤的所述第一氮化硅层利用掩膜方式用3-16将未进行掩膜保护区域的所述第一氮化硅层进行腐蚀去除后，用1-5％KOH溶液将掩膜胶S4步骤所述重掺n型非晶硅层和所述第一氮化硅[0032]S6：在完成S5步骤的所述第二本征非晶硅层的背面沉积第二氮化硅层或掺杂p型[0033]S7：对完成S6步骤沉积所述第二氮化硅层的背面利用掩膜方式用3-10％HF溶液S7步骤所述掺杂p型非晶硅层和所述第二氮化硅采用氮化硅同TCO叠层方式，在掺杂非晶硅薄膜上先沉积一定厚度的氮化硅薄膜，再进行7[0047]依次设置在第一本征非晶硅层6正面的第一掺杂层、第一TCO层2和第一金属栅线晶硅层5和设置于浅掺n型非晶硅层正面的第[0048]以及依次设置在第二本征非晶硅层8背面的第二掺杂层、第二TCO层11和第二金[0055]S2使用PECVD设备对前序硅片进行非晶硅薄膜沉积，正面依次沉积第一本征非晶[0057]S4对完成S3步骤的第一碳化硅层使用掩膜浆料(丝网印刷方式实现)进行选择性[0058]S5对完成S4步骤的第二碳化硅层使用掩膜浆料(丝网印刷方式实现)进行选择性[0059]S6对完成S5步骤的第一TCO层的正面和第二TCO层的背面8[0063]S2使用PECVD设备对前序硅片进行非晶硅薄膜沉积，正面依次沉积第一本征非晶[0064]S3使用PECVD设备在浅掺n型非晶硅层的正面沉积第一氮化硅层，[0065]S4对完成S3步骤的第一碳化硅层使用掩膜浆料(丝网印刷方式实现)进行选择性[0066]S5对完成S4步骤的第二碳化硅层使用掩膜浆料(丝网印刷方式实现)进行选择性[0067]S6对完成S5步骤的第一TCO层的正面和第二TCO层的背面[0071]S2使用PECVD设备对前序硅片进行非晶硅薄膜沉积，正面依次沉积第一本征非晶[0073]S4对完成S3步骤的第一碳化硅层使用掩膜浆料(丝网印刷方式实现)进行选择性[0074]S5对完成S4步骤的第二碳化硅层使用掩膜浆料(丝网印刷方式实现)进行选择性9[0079]S2使用PECVD设备对前序硅片进行非晶硅薄膜沉积，正面依次沉积第一本征非晶[0081]S4使用RPD设备对完成S3步骤的掺杂p型非晶硅层背面进行第二TCO层沉积，沉积[0083]S6使用丝网印刷方式对完成S5步骤的第一TCO层的正面和第二TCO层的背面进行[0087]S2使用PECVD设备对硅片进行非晶硅薄膜沉积，正面依次沉积第一本征非晶硅层[0088]S3使用PECVD设备对第二本征非晶硅层的背面沉积第二碳化硅层，沉积厚度为[0091]S6使用丝网印刷方式对第一TCO层的正面和第二TCO层的背面进行金属栅线印刷[0095]S2使用PECVD设备对前序硅片进行非晶硅薄膜沉积，正面依次沉积第一本征非晶[0097]S4使用丝网印刷方式对第一TCO层的正面和第二TCO层的0.000.000.16

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