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文档简介
本发明公开了一种稠环化合物及其制备方定性,能够避免在成膜或使用过程材料受热分2R1-R14R1-R14中任意相邻的两个至四个基团连接形成一C1-C46-C126-C123R15-C30的代的C4-C30的硫代芳氧基、取代或未取代的C4-C30的芳硼基,取代或未取代的C4-C30的芳磷,R16-C30R17-C304R18-C30567R1-R14C46-C126-C12R1-R14中任意相邻的两个至四个基团连接形成一-R1489置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机层,所述有机层包含权利要求1-6任一所述所述发光层包括主体材料和掺杂材料,所述主体材料包含权利要求1-6任一所述的稠[0002]1987年,美国柯达公司(EastmanKodak)实验室的邓青云博士等人首度利用真空蒸镀的方式制作成第一个有机发光二极管(organiclight-emittingdiodes,OLED)器件,光层在器件的发光效率上具有优势,因此发光层材料常利用主体材料掺杂客体材料形成,而主体材料是影响OLED器件发光效率和性能的重要因素。4,4'-Bis(9H-carbazol-9-yl)[0004]因此,本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中的发光层主体材料稳定性未取代的C1-C60的烷胺基、取代或未取代的C2-C60的烯胺基、取代或未取代的C2-C60的炔胺-T2或未取代的C4-C30的芳基或取代或未取代的C3-C30的杂芳基,所述碳环为饱和或不饱和环,-R14中间体1-A;中间体1-A和式(C)所示的化合物经偶联反应得到中间体2-A;中间体2-A和式(D)所示的化合物经偶联反应得到中间体3-A;中间体3-A经偶联关环反应得到中间体4-A;中间体1-B;中间体1-B和式(H)所示的化合物经偶联反应得到中间体2-B;中间体2-B和式(J)所示的化合物经偶联反应得到中间体3-B;中间体3-B经偶联关环反应得到中间体4-B;在单元上,LUMO能级分布在Ar1基团上,[0073]图1是本发明实施例13中化合物13的HOMO能级、LOMO能级和能带隙Eg的理论计算[0079]本发明可以以许多不同的形式实施,而不应该被理解为限于在此阐述的实2CO3[0112]同中间体1-E的合成方法,区别在于用1-溴-8碘萘(3189克,1当量)替代邻溴碘H17N30H17N3H26H26H19NO3H19NO3基苯硼酸,中间体1-I(38.30克,1当量)替代邻溴碘苯,各原料调整比例,得中间体2-I合物I-1,中间体4-I’(39.41克,1当量)替代中间体5-E,调整[0479](1)基板清理:将涂布了ITO的透明玻璃基板在水性清洗剂(所述水性清洗剂的成[0543]使用热重分析仪(美国TATGA55)对实施例1-26中的稠环化合物材料进行热分解温[0550]使用电化学工作站利用循环伏安法(CV上海辰华CHI-600E)对实施例1-26制得的速率进行测试,以二茂铁进行电位标定,设定二茂铁的电位在真空状态下的绝对能级为--78摄氏度条件下测试。
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