CN112257270B 一种负显影光刻工艺的全芯片快速仿真方法、负显影光刻胶模型、opc模型及电子设备 （东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司）_第1页
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一种负显影光刻工艺的全芯片快速仿真方选用泰勒展开式对所述等效方程进行近似计算2S2、设定光刻胶在后烘过程中的热收缩效应为弹性据所述近似值对光场分布进行调整以获得合根据连续性假设，弹性体在变形前和变形后仍保持为连续体，假S21、外力通过平衡方程与应力形成相互关联，应力通过物理方程与应变形成相互关基于简化后的几何方程获得关于应变与位移之间形3x7.一种负显影光刻胶模型，其特征在于：基于如权利4现如权利要求1－6中任一项所述的负显影光刻工艺的全芯5[0004]为克服现有光刻技术中对负向显影光刻胶进行模拟仿真的准确性差以及优化速[0005]为了解决上述技术问题，本发明提供一种负显影光刻工艺的全芯片快速仿真方述近似值对光场分布进行调整以获得合适的酸浓67[0025]本发明为了解决上述技术问题还提供一种电子设备，其包括[0028]本发明提供的负显影光刻胶模型、OPC模型以及电子设备同样具有如上所述的有[0029]图1是本发明第一实施例中提供的负显影光刻工艺的全芯片快速仿真方法的流程[0031]图3是本发明第一实施例中提供的负显影光刻工艺的全芯片快速仿真方法中步骤[0033]图5是本发明第二实施例提供的负显影光刻胶模型对初始光场分布优化之后的光8[0039]图7是本发明第三实施例提供的OPC模型拟合所使用的A组－E组获得的均方根的9下标代表作用方向。关于正应力和剪应力的符号是对应弹性力学教科书上的符号定义一yz变形前和变形后仍保持为连续体。假设弹性体中某点在变形过程中由M(x,y,z)移动至M'应力通过物理方程可以与应变形成相互关联，应变通过几何方程可以与位移形成相互关元体在某点受到的应变分量为：εx和εy，而应变总量ε为关于x方向和y方向上的应变εx和εy[0088]S3、选用泰勒展开式对所述等效方程进行近似计算以获得应力或者应变的近似包括如图6A－6C所述的在一维掩模下的608个监测点，分别命名为A组(groupA)、B组[0102]综合以上数据可以看出，在通过基于负向光刻胶模型建立的OPC模型模拟之后获[0106]当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器302执行，使得所述一个或多个处理器302实现如第一实施提供的一种负显影光刻工艺的全芯片快速仿真方法的任一步存储器(ROM)802中的程序或者从存储部分808加载到随机访问存储器(RAM)803中的程序而的计算机程序根据需要被安装入存储部分8[0110]根据本公开的实施例，上文参考流程图描述的过程可以被实现为计算机软件程该计算机程序可以通过通信部分809从网络上被下载和安装，和/或从可拆卸介质811被安[0111]可以以一种或多种程序设计语言或其组合来编写用于执行本申请的操作的计算部分在用户计算机上部分在远程计算机上执行、或者完全在远程计算机或服务器上执行。在涉及远程计算机的情形中，远程计算机可以通过任意种类的网络——包括局域网(LAN)[0116]本发明提供的负显影光刻胶模型、OPC模型以及电子设备同样具有如上所述的有

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