北京信息科技大学《半导体器件物理》2025-2026学年第一学期期末试卷(B卷)

站名：站名：年级专业：姓名：学号：凡年级专业、姓名、学号错写、漏写或字迹不清者，成绩按零分记。…………密………………封………………线…………第1页，共1页北京信息科技大学《半导体器件物理》2025-2026学年第一学期期末试卷(B卷)注意事项:1.请考生在下列横线上填写姓名、学号和年级专业。2.请仔细阅读各种题目的回答要求，在规定的位置填写答案。3.不要在试卷上乱写乱画，不要在装订线内填写无关的内容。4.考试时间120分钟专业学号姓名题号一二三四五六七八总分统分人复查人得分得分评分人一、单项选择题（每题1分，共20分）1.在半导体器件中，N型半导体是由哪种类型的杂质原子掺杂形成的？A.碘原子B.硼原子C.铟原子D.磷原子2.晶体管中的PN结在正向偏置时，其势垒高度会？A.增大B.减小C.不变D.无法确定3.在硅晶体中，电子的迁移率比空穴的迁移率？A.高B.低C.相同D.无法确定4.晶体管中的基区宽度对晶体管的放大能力有什么影响？A.增大基区宽度可以提高放大能力B.减小基区宽度可以提高放大能力C.基区宽度对放大能力没有影响D.无法确定5.在二极管中，当正向偏置时，其反向饱和电流？A.增大B.减小C.不变D.无法确定6.在晶体管中，基极电流与集电极电流的关系是？A.基极电流大于集电极电流B.基极电流小于集电极电流C.基极电流等于集电极电流D.无法确定7.在晶体管中，当发射极电流增加时，基极电流？A.增大B.减小C.不变D.无法确定8.在二极管中，当反向偏置时，其反向击穿电压？A.增大B.减小C.不变D.无法确定9.在晶体管中，基区掺杂浓度对晶体管的放大能力有什么影响？A.增加基区掺杂浓度可以提高放大能力B.减少基区掺杂浓度可以提高放大能力C.基区掺杂浓度对放大能力没有影响D.无法确定10.在晶体管中，集电极电流与基极电流的关系是？A.集电极电流大于基极电流B.集电极电流小于基极电流C.集电极电流等于基极电流D.无法确定11.在二极管中，当正向偏置时，其正向电压？A.增大B.减小C.不变D.无法确定12.在晶体管中，基极电流与发射极电流的关系是？A.基极电流大于发射极电流B.基极电流小于发射极电流C.基极电流等于发射极电流D.无法确定13.在晶体管中，发射极电流与集电极电流的关系是？A.发射极电流大于集电极电流B.发射极电流小于集电极电流C.发射极电流等于集电极电流D.无法确定14.在二极管中，当反向偏置时，其反向电流？A.增大B.减小C.不变D.无法确定15.在晶体管中，基区掺杂浓度对晶体管的开关速度有什么影响？A.增加基区掺杂浓度可以提高开关速度B.减少基区掺杂浓度可以提高开关速度C.基区掺杂浓度对开关速度没有影响D.无法确定16.在晶体管中，集电极电流与基极电压的关系是？A.集电极电流随基极电压增大而增大B.集电极电流随基极电压增大而减小C.集电极电流与基极电压无关D.无法确定17.在晶体管中，基极电流与发射极电压的关系是？A.基极电流随发射极电压增大而增大B.基极电流随发射极电压增大而减小C.基极电流与发射极电压无关D.无法确定18.在二极管中，当正向偏置时，其正向电流？A.增大B.减小C.不变D.无法确定19.在晶体管中，基极电流与集电极电压的关系是？A.基极电流随集电极电压增大而增大B.基极电流随集电极电压增大而减小C.基极电流与集电极电压无关D.无法确定20.在晶体管中，发射极电流与基极电压的关系是？A.发射极电流随基极电压增大而增大B.发射极电流随基极电压增大而减小C.发射极电流与基极电压无关D.无法确定二、多项选择题（每题2分，共20分）1.以下哪些是半导体器件的基本特性？A.导电性B.开关性C.放大性D.电阻性2.以下哪些是半导体器件的常见类型？A.二极管B.晶体管C.运算放大器D.集成电路3.以下哪些是影响晶体管放大能力的主要因素？A.基区宽度B.基区掺杂浓度C.集电极电流D.发射极电流4.以下哪些是影响二极管正向导通的主要因素？A.正向偏置电压B.正向电流C.反向电流D.反向击穿电压5.以下哪些是影响晶体管开关速度的主要因素？A.基区掺杂浓度B.基区宽度C.集电极电流D.发射极电流6.以下哪些是影响二极管反向导通的主要因素？A.反向偏置电压B.反向电流C.正向电流D.正向击穿电压7.以下哪些是影响晶体管放大能力的主要因素？A.基区宽度B.基区掺杂浓度C.集电极电流D.发射极电流8.以下哪些是影响二极管正向导通的主要因素？A.正向偏置电压B.正向电流C.反向电流D.反向击穿电压9.以下哪些是影响晶体管开关速度的主要因素？A.基区掺杂浓度B.基区宽度C.集电极电流D.发射极电流10.以下哪些是影响二极管反向导通的主要因素？A.反向偏置电压B.反向电流C.正向电流D.正向击穿电压三、判断题（每题1分，共10分）1.半导体器件的导电性比导体器件的导电性差。（）2.晶体管的放大能力与基区宽度成正比。（）3.二极管的反向击穿电压越高，其正向导通能力越强。（）4.晶体管的开关速度与基区掺杂浓度成正比。（）5.二极管的正向电流与正向偏置电压成正比。（）6.晶体管的放大能力与集电极电流成正比。（）7.二极管的反向电流与反向偏置电压成正比。（）8.晶体管的开关速度与基区宽度成正比。（）9.二极管的正向导通能力与反向击穿电压成正比。（）10.晶体管的放大能力与发射极电流成正比。（）四、名词解释（每题4分，共20分）1.半导体器件2.晶体管3.二极管4.运算放大器5.集成电路五、简答题（每题6分，共18分）1.简述半导体器件的基本特性。2.简述晶体管的工作原理。3.简述二极管的正向导通和反向导通过程。六、案例分析题（1题，满分12分）某半导体