半导体工艺仿真实验指导书

半导体工艺仿真实验指导书

--基于silvacoTCAD

光电学院微电子教研中心

王智鹏

2014.3

本指导书首先介绍了silvacoTCAD半导体工艺仿真软件的安装方法、主

要界面信息与基本命令。然后分别从半导体工艺仿真与半导体器件仿真入手，重

点介绍了silvacoTCAD软件的仿真操作。

本指导书适用于《半导体工艺及器件仿真实验》、《半导体器件仿真综合课程

设计》课程教学。

一、silvacoTCAD软件概述

1、软件的安装

a)1、运行安装文件，出现如图1.1的安装向导界面，勾选在“Install

LicenseServern选项，点击Next,即开始安装程序。

图1.1silvacoTCAD安装向导界面

b)安装完毕后，根据提示，设置6位数服务器密码。并保留图1.2中浏览

器中自动打开的服务器网页。

AdministratorLogin_

Heb

HomeRegisterLizenseServer

Admin

Installnewbcense(s)

ChancePasswordSFLMAdministratorpassword:I

RegisterUcenseServer

SetsRedundantServers

CustomizeLoaainaForgottenpassword?

SynchronizeServurTime

SendTestLo。Messe。®

Reports

SuDDortUtilrties

SFLMServer:Shane-PC:3162

MachineIDs:Shane-PC-dcdl3Sd6-S0b4108d

RedundantGroups:

licenseFile肥:SHvaco_12345.6

Version:sflmserver8.Q.3(ThuAorS05:18:28PDT2007)

图1.2服务器网页

c）运行桌面上快键方式“式EDATools",选择"StopServer"以停止服

务。把eetop.cn_key文件夹中的rpc.sflmserverd.exe文件复制到安

装目录的"sedatools\lib\rpc.sflmserverd\8.0.3.R\x86-nt”目录中。

d）在快捷方式中运行“StartServervo

e）浏览b）中保留的服务器网页。若已关闭可运行快捷方式中的“SFLM

Admin”再次打开。

f）输入b）中设置的密码，点击login,并记录下方框中的“MachineIDs”。

g）打开eetop.cn_key文件夹中Silvaco.lie文件，如图1.3所示，将

“LMJOSTIDSxxxxxxxxxNL_HOSTIDS”中“xxxxxxxx”位置的内容替

换为f）中记录的MachineIDs。

Silvdco-记事本

文件(F)郑5(E)格式(0)ft»(V)MBEtH)

v"SFLMLicenseFile飞silvaco.fileASCIIversion=l.8.20format=ICopyright*SfIm

licenseTueJan10200609:34:33GMT-8(PacificStandardTime)fromSILVACO"

VERSION5GENERATED"Fri,01Dec200617:34:33GMT"VEXDORSilvacoLICEXSE_ID

Silvaco_12345.6HL]CE\SE_VALID_FROM30:Oct:2006:LICENSE_VALID_TO

30:jul:2016«CISTOMER_NAMESilvacoInc.rCUSTOMER_CONTACT

SilvacoMan#CUSTONER_CONTACT_EMAILsuprort@：

CUSTOMER_COXTACT_TEL_NO404-123-171#CUSTOMER_ADDRESSUSH

MAIXTENANCE_DATE"Thu,01Dec201608:00:00GMT”

5LICENSESTATUSPurchased_M__H_O_S_T_I_D_S___S_h_a_n_e_-_P_C_-_d_c_d_l_3__5_d_6_

50b4108dHOSTIDSSTARTDATE"Fri,01Dec200608:00:00GMT"END_DATE"Thu,01Dec

201608:00:00GVT7FloatingProducts#======================USERS999」

================================================================DeckBuild-

---------MODULE_CLASSIMODULE.GROUP1M0DL1ES1M0D11ES2M0DULES3M0DULES4M0DULES

5M0DULES6M0DULES7M0DULESSMODULES9M0DULES10M0EULES11MODULES⑵

===============================================================#Atlas#

---------MODULE.CUSSIMODULE.GROUP2M0DULESOMODILES1M0DULES2M0DULES3M0DULES

4M0DULESSMODULES6M0DULES7M0DULES9M0DL1ES10M0EULES11M0DULES13M0DULES15

MODULES16M0DULESJ7M0DULES18M0DULES19M0DULES2CM0DULES21M0DULES22M0DULES23.

图1.3Silvaco.lie文件

SFIlMLogout.

Help

SFLMhasinstalledthespecifiedlicensefile

x"C:\Windows\var\opt\sflm/licenses/Sikaco_12345.6.lic".

Silvern16hasliconcaqforqurverO

Shane-PC-dcdl35d6-50b4i08d

Done

SFLMServer:Shane-PC:3162

MachineIDs:Shane-PC-dcd135d6-50b4108d

RedundantGroups:

LicenseFiles:Silvaco」234s.6

Version:sflmserver8.0.3(ThuApr505:18;28PDT2007)

图1.6信息确认窗口

2、软件界面

a）运行快捷方式中DeckBuild,打开如图1.7所示的DeckBuild界面

国无标JS-Deckbuild口］

FileEditSearchFor典atViewCommandsExecutionExamplesHelp

国国旦|凶画制句|

上l回刈囚iiix=lei

«这是命令输入和编辑窗口

X-

4#这是仿真状态的实时输出窗口

图1.7DeckBuild界面

b）在DeckBuild中的Edit目录下，选择"Preferences”打开work文件夹

设置窗口，在“workingdirectory”标签中可以查看或修改当前工作目

录。

图1.8work文件夹设置

c）仿真完成后，通常会出现如图1.9的tonyplot结果显示窗口，用于显

示仿真得到的二维、三维结构或结构特性曲线

西Tonjplot«MB

F*Ec«tRotTCQM*-•-jetcHeu

(^e«o<!6>|，0l

ARASOVERLAY

t

E

d

G

e

a

DrainVbtepe(V)

Toryp4o<3.837.RQS1LVACO2015

图1.9结果显小窗口

d）在二维结构结果显示窗口中依次点击“plot”——“display”选项，弹

出如图1.10的图形显示设置窗口。在窗口中可以分别设置网格、边距、

区域、等位线、矢量信息、光特性、结、电极、三维信息、颜色信息参

数。

图1.10图形显不设置窗口

e）在特性曲线结果显示窗口中依次点击“plot”一一“display”选项，弹

出如图1.11所示的波形显示设置窗口。在窗口中可设置曲线显示类型、

坐标类型、XY轴显示量等参数。

图1.11波形显示设置窗口

f）在二维结构结果显示窗口中依次点击“tool”一一“culline”选项，弹

出如图1.12所示的cutline窗口。可以通过选取cutline,提取结构中

某一点的特性参数。

囹Tonyplot:Cutline

图1.12cutline窗口

g）调取仿真实例

h）在deckbuild界面依次点击"help"---"example”菜单,启动如图

1.13的exampleloaderw窗口。

ExampleLoader

图1.13aexampleloader”窗口

在“exampleloader”窗口第一行的下拉菜单中可以选择MOS、BJT等器

件或Athena-implant等工艺类型，选定类型后可从下方列表中选取所需

实例。

二、silvacoTCAD工艺仿真操作

1、基本命令

a)goquit

作用：启动和退出仿真器。

例子：goathena

#

lineiloc=0spac=0.1

linexloc=0.2spac=0.006

t.onypot-overlay-st,moslPX02_1.1og

quit

b)set

作用：设置全局变量或tonyplot显示方式

例子：settemp=1000

difusctimc=30temp=$temp

此例中将“tomp”设置为仝局变量，在之后的仿真中声明“$tump”

即可调用变量值。

c)tonyplot

作用：图形显示仿真生成的器件结构、波形曲线等信息、。

例子：tonyplot-overlaycv.logiv.log-setshow,set

此例中将cv.log和iv.log两个文件,按照设置文件show,set

的设置，叠加显示在个窗口中。

d)extract

作用：提取仿真中得到的器件、材料特性信息。

例子：extractname="gateox“thicknessoxidemat.occno=l

提取名称gateox厚度氧化物材料截取点1个

x.val=0.49

x轴坐标0.49

此例中在x坐标0.49处，截取一个采样点，提取氧化物厚度,

生成名为“gateox”的参数,并输出。

例子：extractname="nxj"xjsiliconmat.occno=lx.val=0.1

提取名称nxj结深硅材料截取点1个x轴坐标0.1

junc.occno=l

结截取点1个

此例中在x坐标0.1处,截取一个采样点，提取硅材料中的结深,

生成名为“nxj”的参数，并输出。

0)structure

作用：翻转已有结构，或保存、倒入结构文件

例子：st.riict.iirpout.fi1p=fi1pnamp.str

保存当前结构为结构文件“filename,str”。

structureinfile=filename,str

导入名为"filename.str”的结构文件。

structuremirrorleft

对当前结构做镜像翻转。

structureflip.y

对当前结构做上下翻转。

2、网格定义

a)衬底网格定义

命令：line

参数：x----x轴

y----y轴

location---坐标位置

spacing---格点间距

例子：linexloc=0.0spacing=0.1

linexloc=l.0spacing=0.1

lineyloc=0.0spacing=O.2

lineyloc=2.0spacing=O.2

此例中定义x坐标起点0.0、终点1.0,格点间距0.1；y坐标起

点0.0、终点2.0,格点间距0.2。

b)新增淀积层网格定义

参数：divisions----格点分层数量

dy一一设定格点间距

ydy----格点间距起始位置

min.dy_最小格点间距

min.space----最小边界间距

例子：depositpolysiliconthick=0.50divisions=10dy=0.1

ydy=0.02min.dy=0.01min.spac,p=0.01

此例中将厚度为0.5的多晶硅坐标格点分为10层，设定格点间

距为0.1,从0.02处开始执行0.1的间距，最小格点间距0.01,最

小边界间距O.Olo

3、衬底初始化

a)命令与语法

INITIALIZE

[MATERIAL][0RIENTATI0N=<n>][ROT.SUB=<n>][C.FRACTION=<n>]

[C.IMPURITIES=<n>|RESISTIVITY=(n>][C.INTERST=<n>]

[C.VACANCY=<n>][BORON|PHOSPHORUSARSENIC|ANTIMONY]

[NO.IMPURITY][ONE.D|TWO.D|AUTO][X.L0CAT=<n>][CYLINDRICAL]

[INFILE=<u>][STRUCTURE|INTENSITY][SPACE.MULT=<n>]

[INTERVAL.R=<n>][LINE.DATA][SCALE=<n>][FLIP.Y]

[DEPTH.STR=<n>][WIDTH.STR=<n>]

b)常用参数：

MATERIAL——衬底材料

ORIENTATION——衬底晶向

C.IMPURITIES——衬底杂质浓度

RESISTIVITY——衬底电阻率

ONE.D,TWO.D,AUTO——仿真维度

c）例子：initsiliconc.boron=3.0cl5orientation=100two.d

此例中初始化衬底为100晶向的单晶硅，衬底掺杂浓度为3.0el5

的硼杂质，仿真维度为二维。

initsiliconphosphorresistivity=10orientation=11：

此例中初始化衬底为111晶向的硅，衬底掺杂磷，电阻率10。

4、氧化、扩散

a）命令与语法

DIFFUSE

TlME=<n>[HOURSMINUTES|SECONDS]

TEMPERATURE=〈n>[T.FINAL=<n>|T.RATE=〈n>]

[DRYO2|WETO2NITROGEN|INERT][HCL.PC=<n>][PRESSURE=<n>]

[F.02=<n>|F.H2=<n>|F.H20=<n>|F.N2=<n>|F.HCL=<n>]

[C.IMPURITIES=<n>][NO.DIFF][REFLOW]

[DUMP][DUMP.PREFIX=<n>][TSAVE=<n>][TSAVE.MLTT=<n>]

[B.M0D=<c>][p.M0D=<c>][AS.M0D=<c>][：C.M0D=<c>][VI.M0D=<c>]

b）常用参数：

TIME——时间

HOURS,MINUTES,SECONDS——时间单位

TEMPERATURE——工作氛围温度

DRYO2,WETO2,NITROGEN——工作气体氛围

HCL.PC——氧化剂中HCL百分比

PRESSURE——工作气压

F.02,F.H2,F.H20,F.N2,F.HCL——气体流速

C.IMPURITIES——工作气氛中杂质及其浓度

c）例子：diffusetime=30temp=1000c.boron=l.0e20

此例中设定扩散时间30分钟、恒温1000C、掺杂硼浓度1.0e20o

diffusetime=30temp=1000dryo2

此例中设定扩散时间30分钟、恒温1000℃、气氛为干氧，则实

际为氧化二艺。

diffusetime=10temp=1000f.o2=10f.h2=10f.hcl=.1

此例中设定扩散时间10分钟、恒温1000℃>氧气10L/min,氢

气10L/min、HCLO.lL/min。

5、离子注入

a）命令与语法

IMPLANT

[GAUSS|PEARSON|FULL.LAT|MONTECARLO|BCA][CRYSTAL|

AMORPHOUS]

IMPURITYENERGY=<n>DOSE=<n>[FULL.DOSE]

[TILT=<n>][ROTATION*。>][FULLROTATION][PLUS.ONE]

[DAM.FACTOR=<n>]

[DAM.M0D=<c>][PRINT.MOM][X.DISCR=<n>][LAT.RATI01]

[LAT.RATI02]

[S.OXIDE=<n>][MATCH.DOSE|RP.SCALE|MAX.SCALE][SCALE.MOM][ANY.PE

ARSON]

[N.I0N=<n>][MCSEED=<n>][TEMPERATURE=<n>][DIVERGENCE=<n>]

[TONBEAMWTDTH=<n>][IMPACT.POTNT=<n>][SMOOTH=<n>]

[SAMPLING][DAMAGE][MISCUT.TH][MISCUT.PH][TRAJ.FILE=<n>]

[N.TRAJ=<n>][Zl=<u>][Ml=<n>]

b）常用参数：

GAUSS,BCA,PEARSON,FULL.LAT,MONTECARLO——离子注入模型

CRYSTAL,AMORPHOUS——设定衬底晶体结构

IMPURITY——注入杂质类型

ENERGY——注入能量

DOSE——注入剂量

TILT——离子束入射角

ROTATION——离子束与仿真面夹角

FULLROTATION——设置为全角度注入

TEMPERATURE——注入时衬底温度

c)例子：implantphosphdose=le14energy=50tilt=10

此例中设定磷注入、注入剂量1。14、注入能量energy=50、入射

角10°。

6、淀积

a)命令与语法

DEPOSIT

MATERIAL[NAME.RESlST=<c>]THICKNESS=<n>

[SITOPOLY][TEMPERATURE=<n>]

[DIVTSTONS=<n>][DY=<n>][YDY=<n>][MIN.DY=<n>][MIN.SPACE=<n>]

[C.IMPURITIES=<n>][F.IMPURITIES=<n>][C.INTERST=<n>][F.INTERST=

<n>]

[C.VACANCY=<n>][F.VACANCY=<n>][C.FRACTION=<n>]F.FRACTION=<n>]

[MACHINE=<c>][TIME=<n>][HOURS|MINUTES|SECONDS]

[N.PARTICLE=<n>][0UTFILE=<c>][SUBSTEPS=<n>][VOID]

b)常用参数：

MATERIAL——淀积材料

NAME.RESIST——淀积光刻胶类型

THICKNESS——淀积厚度

C.IMPURITIES一一淀积层杂质浓度

F.1MPLR1T1ES一一淀积层顶部杂质浓度

c)例子：depositaluminthick=O.03divi=2

此例中淀积厚度为0.03的铝，材料厚度纵向分为2层。

depositmaterial=BPSGthickness=O.1div=6c.boron=le20

c.phos=le20

此例中淀积厚度为0.1的BPSG,含硼杂质浓度le20,磷杂质浓

度le20,材料厚度纵向分为6层。

7、刻蚀

a）命令与语法

ETCH

[MATERIAL][NAME.RESIST]

[ALL|DRY][THICKNESS=<n>][ANGLE=<n>][UNDERCUT=<n>]

[LEFT|RIGHT|ABOVE|BELOW][Pl.X=<n>][PLY=<n>][P2.X=<n>][P2.Y=<n

>]

[START|CONTINUE|DONE][X=<n>][Y=<n>]

[1NF1LE=<C>][TOP.LAYER][NOEXPOSE][DT.I'ACT=<n>][DT.MAX=<n>]

[DX.ML-LT=<n>][M/\CHINE=<c>][TIME=<n>][HOURS|MINUTES|SECONDS]

[MC.REDEPO][MC.SM00TH=<n>][MC.DT.FACT=<n>][MC.MODFNAME=<c>]

b）常用参数：

MATERIAL——刻蚀材料

NAME.RESIS——刻蚀光刻胶种类

THICKNESS——刻蚀厚度

LEFT,RIGHT,ABOVE,BELOW——指定刻蚀区域方向

Pl.X,Pl.Y,P2.X,andP2.YT——指定刻蚀区域坐标

ALL——刻蚀所有指定材料

c）例子：etchaluminiumrightpl.x=l.5

此例中刻蚀x坐标1.5右侧的铝。

etchoxideall

此例中刻蚀所有氧化物。

etchsiliconthick=0.5

此例中刻蚀硅材料厚度为0.5o

etchoxidestartx=l.5y=0.0

etchcontinuex=l.5y二一0.6

etchcontinuex=3.5y二一0.6

etchdonex=3.5y=0.0

此例中以x=l.5y=0.0；x=l.5y=-0.6；x=3.5y=-0.6；x=3.5

y=0.0四个坐标为顶点，刻蚀坐标点包围区域内的氧化物。

8、光刻

a）命令与语法

MASK

NAME=<c>[REVERSE][DELTA=<n>]

ILLUMINATION

[I.LINE|G.LINE|H.LINE|KRF.LASER|DUV.LINE|ARF.LASER|F2.LASER|LA

MBDA=<n>]

[X.TILT=<n>][Z.TILT=<n>][INTENSITY=<n>]

PROJECTION

[NA=<n>][FLARE=<n>]

PUPIL.FILTER

CIRCLE|SQUARE|GAUSSIAN|ANTIGAUSS

[GAMMA=<n>][IN.RADIUS=<n>][OUT.RADIUS=<n>][PHASE=<n>]

[TRANSMIT=<n>][CLEAR.FIL]

b）常用参数：

NAME一一导入掩模文件名

1.LINE,G.LINE,ILLINE——照明系统所用波长

LAMBDA——定义和改变光源波长

X.TTLT,Z.TII7?——照明系统与光轴夹角

NA——光学投影系统孔隙数

FLARE——成像时的耀斑数

CIRCLE,SQUARE,GAUSSIAN——发射孔形状

GAMMA——发射孔透明度

TRANSMIT——透射率

三、silvacoTCAD器件仿真操作

命令组主要命令

Mesh

定义结构Region

Electrode

Doping

~T~

Material

定义材Models

料、模型Contact

Interface

选择数值

Method

计算方法

Log

获取器件Solve

特性Load

Save

仿真结果Extract

分析Tonyplot

图3.1silvacoTCAD器件仿真流程

1.初始化网格

a)命令与语法

meshspace.mult=<value>

b)常用参数:

location------珞点位置

spacing------格点间距

c)例子：x.meshlocation=0.0spacing=0.05

此例中定义x格点坐标0.0,格点间距0.05。

2.区域定义

a)命令与语法

regionnumber=<n><material>[<position>]

b)例子：regionnum=ly.max=0.5silicon

regionnum=2y.min=0.5y.max=l.0x.min=0x.max=l.0oxide

regionnun】二3y.min=l.0y.max=2.0x.min=0x.max=l.0GaAs

此例中定义了3个区域，材料分别是硅、氧化物、碎化钱；每个

区域通过x、y轴的最大与最小坐标确定范围。

3.电极定义

a）命令与语法

electrodenane=<en>[number=<n>][substrate]<position><region>

b）例子：elecname=emitterx.min=l.75x.max=2.0y.min=-0.05

y.max=0.05

此例中定义电极名称为"emitter”,并通过x、y轴的最大与最

小坐标确定电极位置。

4.杂质分布

a）命令与语法

doping<distributiontype><dopanttype><positionparameters>

b）例子：dopinguniformconc=lel6n.typeregional

此例中定义在区域1中形成浓度为lcl6的n型均匀掺杂。

5.电极连接

a）使用contact命令和common参数短接两个电极

b）例子：contactname=baseconimon=collector

实现基极与集电极的短接

6.获取器件特性

使用solve命令通过对器件施加电流或电压来获取器件特性。

a）直流特性

solveinit

初始化，所有电极电压加为0V；

solvevbase=0.1

基极电压加为0.IV；

solvevdrain=0.0vstep=0.05vfinal=5.0name=drain

对漏极施加0-5V,步长为0.05V的扫描电压；

solvevbase=0.1

solvevbase=0.2

solvevbase=2.0

基极电压从0.1V力口至I」0.2V,再逐步加到2V,可用于获取BE结I-V特性;

solveprevious

将之前计算所得结果用作当前计算的初始近似。

b）交流小信号特性

solvevbase=0vstep=0.05vfinal=2.0name=baseacfreq=le6

频率不变，改变基极直流电压偏置，可用于获取特定频率下CV特性；

solvevbase=0.7acfreq=le9fstep=le9nfstep=10

基极电压0.7V,交变频率以1GHz步长，从1GHz增加到11GHz；

solvevbase=0.7acfreq=le6fstep=2mult,fnfstep=10

solveprevacfreq=le6fstep=2mult,fnfstep=10

基极电压0.7V,初始频率1MHz,频率每次增加变为原来的2被，最终频

率1GHz；

7.提取仿真结果

a）命令：extractextract-parameters

b）语法：

<QSTRTNG>——表示字符串；

<EXPR>——表示整数；

竖线|——表示在左右的参数中选其一；

中括号口一表示其中的参数为可选参数；

c)参数提取

extractname="chan_surf_conc"surf,coneimpurity="Net

Doping”material="Silicon”mat.occno=lx.val=0.45

在x坐标0.45处选取1个材料截取点，提取名为“chansurfcone”对

硅表面浓度；

extractname="n++sheetrho“sheet,resmaterial="Silicon”

mat.occno=1x.va1=0.05rpgion.oecno=l

在x坐标0.05处选取1个材料截取点，提取名为“n++sheetrho”的

硅材料方块电阻；

extractname="nldvt"Idvtntypevb=0.0qss=lel0x.val=0.49

设定表面电荷IclO,在x坐标0.49处提取名为“nldvt”的阈值电压；

d)波形曲线提取

Curve_def=(<x_axis>,<y_axis>[x.min=<EXPR>x.max=<EXPR>])

设定I川线坐标范围

<curvedef>=<curvesingle1ine><curvemulti1ine>

设定曲线类型

例子：

curve(depth,<impurity>[<material>][mat.occno=<EXPR>]

[y.val=<EXPR>|x.val=<EXPR>|region=<QSTRING>])

设定材料、区域截取点、x/y轴坐标或区域，抽取其中杂质深度的单一

曲线;

extractstartmaterial="Silicon"nat.occno=lbias=0.0

bias.step=0.25bias.stop=5.0region.occno=l

启动参数提取，并设置器件偏置；

extractdonename="cjcurve”curveibias,Idjunc.cap

material:"Silicon"mat.occno=lregion.occno=ljunc.occno=2)

outfile="cj.dat”

选取1个材料截取点、1个区域截取点、2个结截取点，提取名为

“cjcurve”的硅材料结电容曲线；

extractstartmaterial="Polysilicon"mat.occno=lbias=0.0

bias.step=0.2bias.stop=2x.val=0.45

启动参数提取.并设置器件偏置：

extractdonename="condvbias“curve(bias,Idn.conduct

material="Silicon”mat.occno=lregion.occno=l)

选取1个材料截取点、1个区域截取点，提取名为“condvbias”的硅

材料电导曲线；

8.仿真优化

仿真过程中想要得到较理想的结果，就需要使用优化工具optimizer对工艺

参数进行优化。

a)启动optimizer0在DeckBuild界面中依次点击"commands”---

“optimizer”，启动如图3.2所示的optimizer优化设置窗口。可以对

工艺参数、工艺目标、工艺结果等进行优化。

LOptimizer.

Optrnce*Settings

MODE1331n

Optimze

SetupparameterInitialvalueStopcriteriaCurrentvalue

Marquardtparameter0.2lei--

Marquardtscaling2---

Functionevaluations30—

Jacobianevaluations70…

Gradientnormle-9—

Sumofsquaresdiffe...le-6---

F/Cdifference0.3—

RMSerror(%)0.C1•••

Averageerror(%)le-4—

Maximumerror(%)5.G---

SuccessfulIterations4—

FailedIterations4—

Terminationcode—

SensivityAnalysis0---

DataFloor0—

NormalizationLevel0---

MaxErrorLevel0•—

FormulaType0—

ErrorCode・・・

Ready

图3.2optimizer窗口

b）设置优化方案。在。ptimizer窗口中设置误差范围、寻找次数等参数。

c）设定待优化工艺参数。

首先在deckbuild的命令行中选取需要优化的工艺步躲；然后在

optimizer窗口“mode”下拉菜单中选择"parameters”,并依此点击

“edit”一一“add”菜单；最后勾选“time”、“temp”复选框,即出现

图3.3所示的工艺参数设置窗口。

图3.3工艺参数设置窗口

d）设定待优化工艺目标。

首先在deckbuild的命令行中选取一行需要抽取的工艺目标（如结深、

材料厚度等），然后在optimizer窗口“mode”F拉菜单中选择“targets”,

并依此点击“edit”一一“add”菜单,即出现图3.4所示的工艺目标优

化设置窗口。

Optiaizer匚I器

£il«Edit

-OptimizerSettings

EcHOK

图3.4工艺目标优化设置窗口

在该窗口中即可设置“targetvalue"到目标值。

e）执行优化与优叱结果显示

完成优化设置、参数和目标值设置之后，在optimizer窗口“mode”框

中选择“results”,然后执行“optimizer"，deckbuild就会按照设定

值对工艺参数进行扫描仿真，直到抽取的结果和目标值在设定的误差范

围之内。图3.5为一次优化结果。

Filfe

OptimizerSettings

(“aw.......•>«••«*••••

MODEOptimize

••••'••••••'>•'••••••''•••••••Ilf•••••••Illi••••

ItwAtiondiffusetimediffusetmpToxSensitivity

1201000353.122—

220.63251000360.29264%

3201031.62451.5548.6e-K»2«

420.85411042.7502.544—

OpirrnzahoncompletedOK:Maxeirocwithi