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文档简介

本发明提供一种用于填充间隙而无缝隙或到5托或以下的压力，以及通过交替且依次供应22.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法包含同时提供所述高射频分量和所述低3.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法包含依序提供所述高射频分量和所述低4.根据权利要求2所述的方法，其中所述高射频分量和所述低射频分量中的至少一个3)23)23)23N(tBu)222)222)2Cl62)3243H82Cl232I2或其组14.根据权利要求1所述的方法，其中所述高射频分量和所述低射频分量的功率比为13积方法可用于在图案的深底部分上沉积无缝隙和/或无空隙的均匀膜。当沟槽经历后续热[0003]图1示出在填充间隙的膜中出现并在后续热处理中扩散到沟槽的顶部表面的裂[0006]增加RF功率可在反应空间内/反应空间周围产生寄生等离子体，并触发不安全情述反应物通过供应包含相对高射频分量和相对低射频分量的射频电磁辐射4高射频分量和相对低射频分量RF功率以占空比为大约10％至75％的脉冲的[0016]图4A和图4B是现有衬底处理方法和根据一个实施例的衬底处理方法的更详细的[0019]图7是示出在间隙的侧底部部分处的根据工艺压力和射频分量的SiO2膜的WER的沉积。图3A可为使用单一频率RF功率的PEALD工艺，并且图3B可为使用双射频电磁辐射的5工艺压力，更多自由基可到达间隙的底部并且在间隙的底部部分中均匀地形成更致密的高射频分量和低射频分量中的至少一个可原63)23)23)2(NHtBu)22H82Cl23供O3的WER变得更高。这指示在沟槽的底部部分中的耐湿式蚀刻性低于顶部部分的湿式蚀刻速[0033]在未供应低射频分量的情况下，0W的低射频分量的情况与在与图6的压力相同的图5中的3托下执行的工艺结果相当，其中当高射频分量可从900W(图5)增加到1200W(图6)侧底部之间的耐湿式蚀刻性的差异可以减小的越多，并且它们之间的耐湿式蚀刻性(或湿其中两个射频分量功率都供应一秒，在沟槽的侧底部部分处的SiO2膜的湿式蚀刻速率(或7性可为最低的并且致密化程度最高，并且高射频分量功率和低射频分量功率分别为1200W高射频分量功率和低射频分量功率可在1:1至3:1的比且在不产生反应器周围的寄生等离子体且不将射频电磁辐射排放到反应器外部的范围内具有大于20:1的高纵横比的间隙尤其可用致密膜率，即b/a被定义为占空比。在根据本发明的另一个实施例中，射频电磁辐射可在10％至射频电磁辐射产生单元9与气体供应单元3之间，并且将射频电磁辐射产生单元9中产生的8应副产物可通过连接到反应器2的另一侧的排气路径7和可包括排气泵的排的膜可通过在低工艺压力下组合高射频分量和低射频分量而形成于具有高纵横比的沟槽9

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