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文档简介

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修订后版

修订日期修订内容修订人审核人

本号

海润光伏科技股份有限公司

江阴海润太阳能电力有限公司

电池片返工处理流程

编号:Q/HRHT-005

版本:A/0

编制人/日期:_____________

审核人/日期:_____________

批准入/日期:_____________

海润光伏科技股份有限公司

江阴海润太阳能电力有限公司发布

14/05/2010A/0初次制定史小江XXX

需要培训部门:

会签部门

生人信

生产工质动设研采物安财行销力息企

产计艺届力备发购流环务政售资技管

部划部部部部部部部部部部部源术部

部部部

文件制修/订记录表

1目的

明确各段返工片和跨段处理返工片的作业流程,确保返工片及时快速的处理,把对效率和碎片的

影响降到最低;

2范围

本标准适用于工艺、生产及质量各部门涉及人员;

3职责

为了确保返工片清洗顺利进行,明确返工片处理过程中的职责划分和处理规范。

3.1返工片处理规定:处理返工片采取当段返工当班处理,星期五集中下传;跨段返工每周五集中返

前段;返前段处理硅片时需要质量确认是否达到返前端标准,对于质量偏轻无法返前段硅片,有质

量确认后方可下传,返工片命名必须按命名规则命名,不得与其他硅片混片。

3.2返工片处理流程

4各段返工流程

4.1制绒返工片流程

4.1.1制绒返工片处理流程及职责划分

责任部门:生产部/工艺部/质展部

确认返工片

责任部门:生产部

责任部门:生产部根据不同花斑类型确定不同的返工工艺

扩散

责任部门:生产部

4.1.2制绒返工片处理规范

4.1.2.1制绒返工片标准:针对不同的异常片进行分类,质量大于等于5.2g的花斑片均可以返工,

质量小于5.2g大于等于4.48g,直接下传,质量小于4.48g,申请报废。

4.1.2.2类型及处理措施:

第一大类:库存时间小于24h,按照以下流程进行返工:

1.发白和发亮返工:酸洗一水洗一酒精润洗一制绒槽返工工艺减重比较小且返工效果最好:

2.白斑返工:H2O2润洗一制绒槽返工工艺以氧化和蚀刻来底切和去除表面颗粒、有机污

染物及部分金属化污染物.

第二大类:库存时间大于24h的制绒库存后的花斑异常片:

1.为预防制绒槽的污染,在处理这些异常片时使用单槽制绒机。

2.实行H2O2润洗一水洗一酒精润洗流程进行返工。

4.1.2.2制绒返工片处理规定:

1.返工片按照分类处理;

2.产生后及时处理处理;

3.在做返工之前,按照正常牛产的流程,每组测试6片前重,对应的6片后重,

将相应的减重填写在返工片的流程单上,并附上返工单;

4.第二大类返工完后溶液不允许做正常生产的硅片。

4.123制绒处理片确认:由质量和工艺共同确认返工片返工前是否达到返工标准和返工数量及类型;

返工后的硅片,质量无异常正常下传,质量偏轻,质检盖偏轻章下传。

4.1.2.4制绒各类返工处理流程图

4.2扩散返工片流程

4.2.1制绒后清洗不干净硅片

421.1异常表现:接制绒传过来的硅片清洗不干净,即清洗后的硅片有大片液滴黏附,见下图(图一)。

图1

421.2评审报告流程:出现制绒后清洗不干净硅片时,操作人员应及时通知班组长和当班工艺工程师。

4.2.1.3制绒后清洗不干净硅片流程图:

扩散前清氧化15

正常扩散

洗不净片分钟

6.2

422.2扩散工艺完成后硅片的方块电阻异常

422.1万阻异常表现:OOS:一点或多于一点限值超出SPEC范围;OOC:单组、单片或单点超

出CL范围,但单点在SPEC范围内;

方阻规格定义:

硅片类型SPECCL

37Q0单点Rs<57Q39QS单点Rs<55Q

单晶R2工艺42CW单片Rs<52Q44QW单片Rs<50Q

44CW单组Rs<50Q45Q0单组Rs*9c

4.222方阻异常评审报告流程:出现方块电阻00S时,质检人员应及时通知班组长或当班工艺

工程师进行处理和调节.,将电阻异常超出下限3。/口或超出上限1Q/口的超标时附实验单下传,追踪

效率,将超出该范围的超标片转为处理片,集中处理;出现方块电阻00C时,质检人员应及时通知

当班组长和工艺工程师,及可进行调整,无需转处理片。

方阻异常片处理流程(非偏轻片):

方阻异常片处理流程(偏轻片):

422.3补扩散规则:当清洗干净后,再每50片•抽测3片测试电阻.单晶V01工芝:当电阻在

58-70欧姆之间时,第四步为10分钟,第五步为10分钟,在71-80欧姆之间第四步为20分钟,第五

步同上,在81-100欧姆之间时,第四步为30分钟,第五步司上。当电阻大于100欧姆时,重新扩散,

扩散完后,进行电阻测试,电阻异常时通知工艺T程师,方阻异常片经过一次处理后,结果无论正常

与否,不再转处理片,进行二次处理。

4.2.3扩散后的硅片上出现残余磷源或烧焦

4.231异常表现:见下图(图2)首先判断烧焦片的严豆程度,如果烧焦程度严重,无论是正面还

是背面一律不得下传,主要分为一下几类:

1.面积较小的烧焦片,观察烧焦部位的颜色,如果颜色为浅黑色,则可以颜色为深黑色则不得下传。

2.当烧焦片颜色较深的部分距硅片边缘不到1mm时,则可以直接下传,若大于1mm时则不得直接

下传。

3.轻微烧焦片:当烧焦片烧焦片颜色较深的部分距边缘大于1mm小于3mm,或烧焦片麻点数量不

超过10个的烧焦片可暂存车间,集中整组附实验单下传。

423.2评审报告流程:如果出现烧焦10片以卜7组时,操作人员应详细记录异常记录单,如果出

现烧焦10片以上/组或滴源片时,操作人员应详细记录异常记录单,并及时通知当班工艺二程师;出现

烧焦片,由卸舟员工分为严重烧焦和轻微烧焦片,暂存车间;严重烧焦片需转处理片,集中处理;轻

微烧焦片可暂存车间,集中附实验单下传,滴源或烧焦片制绒后返回超净车间,若扩散后再次出现严重

烧焦,需做报废处理.

滴源和烧焦片处理流程

4.2.4犷散反片处理流程

4.2.4.1评审报告流程:卸舟时发现扩散反片时,操作人员应将扩散反片挑出,转处理片后集中处理.

扩散片处理流程

4.2.5变形及裂痕片处理流程

4.2.5.1评审报告流程:出现变形及裂痕片时,操作人员应详细记录异常记录单,并及时通知班组

长和当班工艺工程师。

4.2.6扩散各类返工处理流程图

4.3镀膜返工片

4.3.1返工片处理流程及职责划分

责任部门:生产部/质量生产按照返工片进行分类和确认并附返工

责任部门:生产部将返工片分类装入清洗篮分别用不同工艺清洗

贝Bm土,碎清洗返工片确认清洗效果

责任部门:生产部----------------

PECVD镀膜

4.3.2清洗镀膜失败片处理规范:

1.返工片按照分类处理和产生后及时处理的原则进行处理,根据返工片膜厚和原因分为彩虹

片,发白片,色差片和花斑片分成四类,分别用不同的镀膜失败片清洗工艺清洗;

2.每次产生返工片后,直接置于清洗花篮中,尽量避免硅片与手的多次接触,造成二次清洗

后的二次返工片;在装入花篮时,镀膜面为正面,勿将正反面搞混,以免造成清洗后混片。

3.不同类型的返工片要按照工艺规定的不同工艺进行清洗,在返工片清洗槽处清洗完毕后,

须走去PSG清洗机进行二次清洗;去PSG清洗时清洗若出现清洗不净,请立即通知工艺;

清洗完毕,确认清洗干净且甩干后,将硅片送往PECVD镀膜;对二次镀膜过程中产生的

失败片,清洗完毕后集中返超净处理,禁止清洗完毕下传PECVD;

4.硅片返制绒之前,每组测试20片前重,若其中8片超过5.2g,硅片直接在本段进行返工

不返制绒,当花斑片周五集中下传;

4.3.3清洗镀膜处理片确认:由质量和工艺共同确认返工片返工前是否达到返工标准和返工数量及

类型;对于返制绒硅片,称取20片质量无异常正常下传,质量偏轻质检盖偏轻章和花斑章下

传.

4.3.4清洗镀膜失败片处理流程:

4.4印刷返工片

4.4.1印刷返工片处理规范

1.返工片按照分类处理和产生后及时处理的原则进行处理,下班前2个小时集中处理当班产

生的返工片;

2.返工片数量如实反映给工艺和质量:

4.4.2印刷返工片类型及判断标准:

1.背电极严重印偏,背电场已遮盖不住,会露出硅片;

2.背电场印刷严重偏移,浆料已经接触到甩池片的边缘;

3.背面铝浆(背电场)缺失已无法修补且无法重印:

4.二号机粘片造成的印刷不良品;

5.三号机造成的漏浆、印偏、粗细不均、细栅断开、虚印等不符合质检检验标准的不良。

6.烧结半成品:由于烧结炉运转非正常等原因,引起的第一次烧结未成功的电池片。

7.边缘漏浆或刻蚀不净

4.4.3印刷返工片处理方法

由背电极、背电场、正栅部分印刷不良造成的返工片必须将背面进行酒精擦拭,擦拭过程不能污

染镀膜面,并将其从本批次流程单上剔除并标明转处理片XX片;由于烧结炉运转非正常等原因,引

起的第一次烧结未成功的电池片,将其从本批次流程单上剔除并标明转处理片XX片,重新烧结下传。

4.4.4印刷返工片处理流程图

5返工处理片命名规则

1)处理片统一用流程单号区分;

2)流程单号编码如下:

5、硅片类型代码

序列代码

硅片尺寸代码

工序代码

1、日期代码

NA:所有处理片统一命名片源为NA

1、XXXXXX日期代码:例:2010年5月10日处理的返工片为100510

2、XX工序代码:制绒车间返工片为ZR,超净车间为CJ,K+P车间为KP,印刷车间为YS

3、XXX硅片尺寸代码:125s编码为150,125sL为165,156s为200

4、XXX序列代码:当天当段返工的第几组,如当天当段返工的第2组为002

5、硅片类型代码:单晶为S,多晶为M

例如:

2010年5月10日超净段返工的第一组125SL的单晶片编码为:

NA100510CJ165001-S

5记录

4.1按照“返工片命名规则”进行命名,填写返工单,由生产统计汇总在电池性能汇总;

6附件

6.1附件:返工单

返工单

返工单号联络人电话

数量批号质检返工章

返工工段。制绒返工。扩散返工n刻蚀清洗返工口镀膜返工:

日期备注

返」:片类型:______口设备限定:______工艺确认:___________生产操作:___________

。本段返工片

制绒时间:______口减重6片平均:_____STD:_____□反见f率平均:_____STD:—

制绒返工片类型:______单槽制绒设备:______制绒时间:______生产操作:_____________

c后段返工片口制绒后PN型检测4片,正常片数,_______异常片数,_______异常工艺确认:___________

口制绒后减重6片平均:______STD:______□反射率平均:______STD:_________测量员:______

超净

□烧焦片口电阻异常片□其他______□工艺确认______

。返制绒处理

口装篮操作:______篮号:________________________________________________片数:______

返工类型□彩虹片口发白片□发红色差片工艺确认:

。本段返工开始时间生产操作:

刻蚀结束时同清洗机台:

&PECVD

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