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st电子真空镀膜工专项知识考试复习题库(附答案)单选题1.关于溅射薄膜的应力,下列说法错误的是()。A、压应力通常使薄膜变薄B、张应力通常使薄膜变厚C、膜厚越厚,内应力越容易释放参考答案:C2.电子真空镀膜过程中,溅射靶材与基片之间形成等离子体的主要机理是?A、辉光放电B、热辐射C、导电加热D、电磁感应参考答案:A3.真空镀膜中,为了减少离子轰击对薄膜造成的损伤,有时会采用低偏压溅射或()。A、高偏压溅射B、脉冲溅射C、直流溅射(低功率)参考答案:C4.在电阻蒸发法制备薄膜时,蒸发舟通常由什么材料制成?A、铝B、钨(W)C、铜D、铅参考答案:B5.在镀膜过程中,如果发现基片温度过高,容易导致什么后果?A、膜层粘附力差B、膜层结晶晶粒过大C、反射率降低D、溅射速率过快参考答案:B6.在薄膜沉积过程中,基片架通常需要旋转,其目的是?A、节省材料B、均匀化膜厚C、散热降温D、增加反射率参考答案:B7.在膜厚控制中,辉光放电信号(如电压或电流的变化)常被用于()。A、监测靶材温度B、监测膜层厚度变化(本征误差监测)C、监测真空泵转速参考答案:B8.磁控溅射中,目标功率(P)与靶材面积(A)和电流密度(J)的关系是?A、P=A/JB、P=J/AC、P=J*AD、P=J+A参考答案:C9.离子束辅助沉积(IBAD)技术中,离子束的主要作用是()。A、加热靶材B、激发表面反应和增强膜层附着力C、调节真空度参考答案:B10.磁控溅射中的“磁路设计”对溅射效率影响很大,通常采用()磁铁结构来增强靶面等离子体密度。A、均匀分布B、同心圆环形或蜘蛛网形C、单点聚焦参考答案:B11.在真空镀膜中,关于真空计的使用,下列说法正确的是()。A、压强单位Pa越大,真空度越高B、热电偶真空计适用于高真空区域C、电离真空计应先开加热灯丝,再开真空计电源参考答案:C12.以下哪种工艺参数会直接影响磁控溅射的沉积速率?A、基片旋转速度B、工作气压C、磁场强度D、溅射电压参考答案:C13.磁控溅射技术中,磁控管产生的磁场与电场方向相互垂直,这种结构被称为?A、布鲁斯特角B、正交场C、临界角D、阴极位降区参考答案:B14.磁控溅射中,为了延长靶材的使用寿命,通常需要保持一定的“溅射尾流”区域,这要求靶材消耗到什么程度时应更换?A、1/4B、1/3C、1/2D、3/4参考答案:C15.使用阴极溅射法制备金属膜时,通常需要通入何种气体?A、氮气B、氩气C、氧气D、氢气参考答案:B16.在进行光学膜系的制备时,通常采用“顺序法”或“交替法”交替蒸发不同的材料。若中间中断后重新启动,通常不会立即得到理想的膜系,主要是因为()。A、系统真空度降低了B、刚开始沉积的膜层与中间中断前的膜层结合力较差,且界面处可能有界面层C、机器停止了工作参考答案:B17.电子束蒸发装置中,用于引出和加速电子束的组件是?A、电子枪B、灯丝C、偏转线圈D、阳极参考答案:A18.下列哪种真空计适用于测量10^-2Pa至10^-5Pa范围的真空度?A、U型管压强计B、热偶规C、扩散泵磁力计D、热阴极电离计参考答案:B19.在制备金刚石薄膜时,常用的气源是()。A、甲烷和氢气B、氧气和水蒸气C、氮气参考答案:A20.磁控溅射中,如果出现靶材电流不稳定或出现电弧,通常是因为?A、靶材面积太小B、工作电压过低C、靶材温度过高或污染D、背景真空度太高参考答案:C21.下列哪种现象通常表示真空系统发生了严重的(),这是非常危险的。A、真空规读数缓慢上升B、机械泵发出刺耳的尖叫声,且泵体严重震动C、真空度一直很高参考答案:B22.多弧离子镀中,为了避免杂质污染,通常要求()。A、弧源靶材直接从工件上切割B、弧源靶材采用高纯度材料且结构紧凑C、多个弧源同时工作参考答案:B23.镀膜系统中的“除气”过程,主要是为了降低()。A、膜层的电阻率B、系统的总放气量C、靶材的熔点参考答案:B24.多弧镀膜过程中,弧源引弧失败,通常的原因是()。A、靶材过热B、靶材表面有污垢或氧化层C、工件接地不良参考答案:B25.基片温度对薄膜微观结构的影响,下列描述正确的是()。A、温度越低,晶粒越细小,晶界越少B、温度越高,原子迁移能力越强,结晶度越好,晶粒越大C、温度对薄膜结构无影响参考答案:B26.下列哪种材料常用于磁控溅射靶材的连接方式是?A、机械连接B、焊接C、熔化连接D、螺丝连接参考答案:B27.真空镀膜机中,蝶阀的主要功能是?A、开关真空系统B、调节真空度C、切断气流D、测量真空度参考答案:A28.真空镀膜室内的残留气体主要来源于()。A、原材料挥发B、材料放气和表面解吸C、泵油挥发参考答案:B29.使用机械真空泵时,若直接抽含大量水蒸气的气体,会导致()。A、泵油乳化B、泵体温度过高C、真空度提高参考答案:A30.镀膜过程中,如果基片温度与靶材温度相同,通常情况下谁的沉积速率会更高?A、基片B、靶材C、一样高D、无法确定参考答案:B31.影响蒸发镀膜膜层致密度的最关键真空参数是?A、真空度(压强)B、极限真空度C、饱和蒸气压D、压升率参考答案:A32.关于蒸发镀膜中的舟皿材料,通常选用()是因为其熔点高、化学性质稳定且不与镀膜材料反应。A、铝B、石墨C、铜合金参考答案:B33.下列哪种现象通常标志着真空镀膜室中的气压已达到充气所需的正常范围?()A、真空规读数在1Pa左右,且指针摆动B、真空规读数在10^-2Torr左右,且指针稳定C、真空规读数极高,指示真空度破坏参考答案:B34.在磁控溅射中,为了防止靶材“中毒”,溅射气体中通常需要控制氧气的含量,这属于()。A、反应溅射B、离子镀C、真空蒸发参考答案:A35.真空阀门在真空系统中起到()作用。A、产生等离子体B、切断或接通气流,隔离系统部分C、加热基片参考答案:B36.电子束蒸发源通常采用哪种加热方式来熔化靶材?A、辉光放电加热B、电弧加热C、电子束直接加热D、红外辐射加热参考答案:C37.镀膜机真空泵组的配置中,通常前级泵的作用是()。A、维持系统的粗真空B、抽走反应气体C、为主泵提供必要的压差参考答案:C38.下列哪种气体通常不作为真空镀膜系统的真空维持气体(工作气体)?()A、氩气B、氮气C、氧气参考答案:C39.关于膜厚的均匀性,下列措施中无效的是()。A、旋转基片架B、增加源到基片的距离C、基片架不旋转且靠近靶材参考答案:C40.电子束蒸发装置中,冷却水系统的主要作用是?A、提供动力B、冷却靶材和蒸发舟C、清除灰尘D、吹扫杂质参考答案:B41.下列哪种镀膜材料是利用电阻加热蒸发法制备的?A、多晶硅B、二氧化硅C、碳化钛(TiC)D、硫化锌(ZnS)参考答案:D42.硬质涂层(如TiN)镀制时,通常需要调节的工艺参数不包括()。A、背压B、靶偏压C、弧电流参考答案:A43.基片夹具在镀膜过程中若带电,可能造成()。A、膜层厚度更均匀B、基片被击穿或放电,导致膜层受损C、靶材电流增加参考答案:B44.在脉冲溅射中,相对于直流溅射,其主要优点是()。A、溅射速率更高B、靶材冷却效果更好,靶材利用率更高C、靶材不需要连接正极参考答案:B45.为了防止金属在真空蒸发过程中被氧化,真空室的充气系统应优先充入?A、氮气B、氧气C、氩气D、空气参考答案:C46.真空室的“烘烤”处理通常用于()。A、提高真空度B、除去材料表面的水分和吸附气体,降低放气率C、加热基片以加快沉积速度参考答案:B47.镀膜结束后,为了防止基片在冷却过程中被污染,通常采用的步骤是()。A、立即打开钟罩B、抽真空并通入保护气体冷却C、关闭电源自然冷却参考答案:B48.在镀膜工艺中,采用离子辅助沉积(IAD)技术,其主要目的是?A、提高沉积速率B、改善膜层附着力C、减少膜层厚度D、增加膜层折射率参考答案:B49.为了获得高质量的透明导电薄膜(如ITO),通常采用什么镀膜方法?A、蒸发镀膜B、磁控溅射C、离子镀D、火焰喷涂参考答案:B50.制备高反射率金属膜(如铝、银)时,为了提高反射率,通常需要再镀一层?A、抗氧化膜B、吸收层C、氧化膜D、防粘层参考答案:A51.真空系统的气密性检查,通常使用什么气体作为示踪剂?A、氧气B、氮气C、氦气D、氢气参考答案:C52.下列哪种真空泵可以直接从大气开始抽气?A、分子泵B、罗茨泵C、机械泵D、扩散泵参考答案:C53.真空镀膜机中,使用油扩散泵抽气时,工作温度通常需要控制在多少度以上?A、100℃B、150℃C、200℃D、250℃参考答案:C54.真空泵油变质通常会导致()。A、泵的极限真空度提高B、泵油乳化、发黑、粘度降低C、泵的抽气速率变快参考答案:B55.磁控溅射中,如果靶材表面的电弧放电导致表面受损(熔坑),通常是因为?A、真空度太低B、靶材污染C、气体纯度低D、靶压过高参考答案:B56.真空镀膜中,若镀膜室的本底真空度未达到设定值,会导致溅射过程中的()升高。A、气体放电电压B、靶材蒸发温度C、工件温度参考答案:A57.电子束蒸发法制备氧化物薄膜时,如果直接在真空中加热氧化物晶体,容易导致?A、薄膜纯度提高B、氧分压不足导致薄膜缺氧C、薄膜结晶完美D、蒸发速率加快参考答案:B58.在制备光学薄膜时,为了防止薄膜出现(),必须严格控制真空度。A、色散B、吸收和散射(气孔)C、厚度参考答案:B59.镀膜完成后,打开钟罩取出工件前,必须确保()。A、钟罩内温度很高,以便膜层固化B、系统压力恢复到大气压,防止膜层氧化或灰尘落入C、真空泵继续运行参考答案:B60.在磁控溅射过程中,随着工作气压的升高,阴极位降区的宽度通常会?A、变宽B、变窄C、不变D、忽高忽低参考答案:A61.溅射过程中,如果靶材电流忽大忽小(电流噪声大),通常表明()。A、靶材偏压接触不良B、靶材表面出现“疮”或非均匀放电C、真空度太高参考答案:B62.真空系统的极限真空度主要取决于什么设备?A、机械泵B、扩散泵C、真空计D、机械泵与扩散泵的组合参考答案:D63.下列哪种镀膜方式容易产生柱状晶结构?A、低温沉积B、高温沉积C、离子束辅助沉积D、分子束外延参考答案:A64.在ITO镀膜中,使用偏压溅射的主要作用是?A、加快沉积速率B、调整膜的化学计量比C、控制薄膜的晶向D、增加膜层厚度参考答案:C65.电子束蒸发镀膜时,为了获得高蒸发速率,通常需要将蒸发材料加热到其?A、升华点B、沸点C、熔点D、软化点参考答案:B66.镀膜机真空检漏时,常用的肥皂水对于大多数金属管道和玻璃管道均适用,但需注意()。A、必须在高压下使用B、肥皂水不应涂抹在有机材料(如O型圈)上,以免损坏密封C、肥皂水可以涂在任何地方参考答案:B67.下列哪种镀膜方式属于“冷蒸发”或“升华”?A、热蒸发B、电阻加热蒸发C、电子束蒸发D、线性放电蒸发参考答案:D68.在磁控溅射中,使用()可以降低溅射电压,提高溅射速率,并减少靶材过热。A、冷阴极溅射B、射频溅射C、磁控溅射参考答案:C69.镀膜工艺中,基片预处理的目的是()。A、增加基片导电性B、增强薄膜与基片的结合力(附着力)C、降低薄膜的折射率参考答案:B70.在离子镀过程中,基片偏压的极性通常是()。A、正极B、负极C、交流电参考答案:B71.在磁控溅射镀膜中,磁控靶的背面安装有永久磁铁,其极性配置通常是?A、N-S-NB、S-N-SC、N-ND、S-S参考答案:B72.对于高反射率的金属膜(如Ag、Al),主要影响其反射率的因素是()。A、薄膜的致密程度B、薄膜的厚度C、薄膜的晶体结构参考答案:A73.在真空镀膜工艺中,“烘烤除气”的主要目的是?A、提高真空度B、降低镀膜时的气体释放量C、清洁基片D、增加膜层厚度参考答案:B74.镀膜过程中,基片架的旋转速度通常影响薄膜的()。A、颜色B、内应力与均匀性C、电阻率参考答案:B75.电子束蒸发时,为了防止蒸发物飞溅污染镀膜腔室,通常会使用什么装置?A、挡板B、反射镜C、扩散片D、滤网参考答案:A76.电子束蒸发过程中,当蒸发源达到一定温度时,发射的电子在电场作用下加速撞击蒸发物质,该现象称为?A、俄歇效应B、热辐射C、电子束轰击D、等离子体注入参考答案:C77.磁控溅射靶材(阴极)需要连接高压电源,而工件(阳极)连接地线,这是为了保证()。A、靶材能正常产生等离子体B、工件能获得正向离子的轰击C、电荷平衡,防止静电积累参考答案:A78.在镀膜过程中,如果发现膜层出现针孔,最可能的原因是?A、真空度过高B、气体反散射C、蒸发源温度不稳定D、基片温度过低参考答案:B79.真空镀膜机的波纹管主要用于连接哪些部件?A、泵与阀门B、阀门与室体C、真空计与室体D、蒸发源与室体参考答案:B80.蒸发镀膜中,使用坩埚时,若镀膜材料与坩埚发生反应,会导致()。A、镀膜材料附着力增加B、膜层变薄C、膜层变色或污染,影响性能参考答案:C多选题1.在薄膜质量控制中,如何检测薄膜的附着力?A、剥离法B、拉伸法C、摩擦法D、激光剥蚀法参考答案:ABCD2.下列关于蒸发镀膜中蒸发舟的材料选择,说法正确的是?A、铝、铜等低熔点金属常用钼丝制成的舟或坩埚进行蒸发B、钨(W)和钽(Ta)具有高熔点和高化学稳定性,适合作为高温蒸发舟C、石墨舟耐高温但容易被氧化,需要高真空或惰性气氛保护D、坩埚材料的选择与被蒸发物质的熔点、化学性质无关参考答案:ABC3.下列哪些属于真空镀膜常见的污染源?A、真空室壁吸附的水分和气体释放B、靶材表面氧化层或油污未处理C、粒子蒸发过程中带入的杂质D、背景气体(如氮气、氧气)纯度不够参考答案:ABCD4.真空镀膜工艺中,常见的气体放电形式有哪些?A、弧光放电B、辉光放电C、电晕放电D、电弧放电参考答案:ABC5.电子真空镀膜操作人员需要掌握的基本安全操作规范包括哪些?A、严格遵守停机顺序B、穿戴好防护用品C、设备运行时打开观察窗D、操作后进行清理参考答案:ABD6.在电子真空镀膜机中,为了保证溅射或蒸发过程的顺利进行,必须维持高真空环境,通常涉及的真空获得设备包括哪些?A、机械泵B、扩散泵C、罗茨泵D、风扇参考答案:ABC7.电子真空镀膜中,为了防止膜层出现彩虹色或不良的光学性能,通常采用什么技术?A、磁控溅射技术B、离子束辅助沉积(IBAD)C、旋转基台技术D、提高真空度参考答案:ACD8.电子真空镀膜过程中,导致膜层产生针孔或麻点的原因可能包括哪些?A、基材表面有油脂B、镀膜室内有粉尘C、溅射功率过低D、蒸发源蒸发速率过大参考答案:ABD9.在电子玻璃镀膜工艺中,膜层折射率控制的方法包括哪些?A、选择不同折射率的材料B、调整膜的厚度C、改变真空室的气压D、改变衬底的温度参考答案:ABC10.电子真空镀膜设备的安全防护系统通常包含哪些部分?A、真空泄漏检测装置B、高压控制互锁装置C、水压、水温、气压报警装置D、报警喇叭参考答案:ABC11.下列关于真空镀膜设备常用真空泵的说法正确的是?A、机械泵(旋片泵)主要用于获得高真空,也可作为扩散泵的前级泵B、分子泵依靠高速运动的分子撞击来抽气,在启动前必须先通入油封或水冷却C、油扩散泵是利用气体扩散原理抽气,具有抽速大、极限真空高的特点D、隔膜泵属于机械泵的一种,具有无油污染的优点,但极限真空度较低参考答案:BCD12.以下属于电子真空镀膜工艺控制参数的有?A、基板温度B、镀膜速率C、沉积时间D、室内湿度参考答案:ABC13.电子真空镀膜设备中,真空计用于测量真空度,常见的类型包括哪些?A、电离真空计B、薄膜规C、霍尔效应传感器D、热偶真空计参考答案:ABD14.镀膜工艺中,真空室的气压对溅射速率有什么影响?A、气压过高,气体密度大,电子散射严重,平均自由程短,溅射速率下降B、气压过高,带电粒子被气体分子散射,到达基板的比例降低C、气压过低,电离效率下降,轰击靶材的离子流密度不足D、气压对溅射速率没有影响,只影响电离程度参考答案:ABC15.下列关于薄膜应力状态的描述,正确的是?A、压应力(CompressiveStress)可以防止薄膜在曲面上龟裂或剥落B、张应力(TensileStress)容易导致薄膜脆性开裂C、双轴应力通常通过使用X射线衍射(XRD)的$\sin^2\psi$法进行测试D、薄膜应力主要由热应力(由于热膨胀系数差异)和本征应力(由于原子级缺陷)组成参考答案:ABCD16.关于真空镀膜工艺中溅射镀膜的特点,下列描述正确的是?A、溅射原子具有较大的动能,因此薄膜密度高、附着力强B、溅射过程通常在惰性气体(如氩气)中进行,阳极接负高压,阴极接工件C、直流二极溅射的电流密度和沉积速率较低,且基体温度上升快D、磁控溅射利用磁场约束电子,延长电子在等离子体中的行程,显著提高电离效率参考答案:ABD17.下列哪些因素会导致溅射靶材利用率下降?A、靶材边缘的非均匀溅射B、靶材中心区域溅射速率过快C、靶材采用分段供电方式以控制厚度D、靶材面积过大,超出磁控环有效覆盖范围参考答案:ABD18.真空镀膜设备中,加热蒸发源(如钨舟、钼舟)通常由什么材料制成?A、钨B、钼C、铝D、石墨参考答案:ABD19.电子真空镀膜前,基材表面处理是保证镀膜层附着力的重要工序,主要包括哪些方法?A、机械打磨B、化学清洗C、喷砂处理D、去油脱脂参考答案:ABCD20.在真空镀膜设备维护中,清洗真空室和零部件需要注意哪些事项?A、清洗后必须彻底干燥,防止残留水分带入真空B、真空室金属部件可以使用含氯的溶剂(如三氯乙烯)清洗C、真空室陶瓷部件可用丙酮或无水乙醇擦拭D、检查密封圈(橡胶)是否有老化或划痕,必要时更换参考答案:ACD21.在磁控溅射工艺中,如何改善薄膜的均匀性?A、旋转基板台B、调整靶材与基板距离C、使用非平面靶材(如环形靶、锥形靶)D、增加真空室内的压强参考答案:ABC22.电子真空镀膜成品的质量检验通常包括哪些方面?A、外观质量B、附着力测试C、电阻率测量D、硬度测试参考答案:ABC23.关于溅射过程中的工作气体,常见的气体种类包括哪些?A、氩气(Argon)B、氮气C、氧气D、氢气参考答案:ABCD24.薄膜电阻测试中,四探针法的特点是?A、可以消除接触电阻对测量的影响B、测量的是薄膜的真实本体电阻率C、需要四根探针与薄膜同时接触D、只能测量薄膜的方块电阻(SheetResistance)参考答案:ABC25.电子真空镀膜中,控制镀膜速率的关键设备及其功能包括哪些?A、质量流量计B、精密电位器C、冷阱D、快速挡板参考答案:AB26.在电子玻璃真空镀膜工艺中,常用的导电介质材料有?A、镍铬合金B、钛C、氧化铟锡(ITO)D、铝参考答案:AC27.真空镀膜机中,用于防止油蒸汽进入真空室的部件是?A、冷阱B、隔离阀C、油封系统D、前置泵参考答案:ABC28.在真空蒸发镀膜工艺中,影响蒸发速率的因素有哪些?A、蒸发源的温度B、蒸发物质的饱和蒸气压C、蒸发源与基板的距离D、真空室的压强参考答案:ABD29.在电子真空镀膜维护保养中,涉及机械维护的内容包括哪些?A、检查轴承润滑B、校准旋转电机C、检查电参数D、清洗泵油参考答案:ABD30.镀膜工艺中常见的离子束辅助沉积(IBAD)技术具有哪些优势?A、可以显著提高薄膜的附着力B、可以通过调节离子能量来控制薄膜的晶粒结构和应力C、完全不需要真空腔体环境,可以直接在大气中操作D、能够在低温下制备出高致密度、柱状结构不明显的薄膜参考答案:ABD31.电子真空镀膜中,常用的阳极材料通常具备哪些特性?A、良好的导电性B、耐高温C、化学稳定性D、导磁性参考答案:ABC32.电子真空镀膜工艺中,为了获得高质量的薄膜,基板预处理工艺通常包括哪些步骤?A、超声波清洗B、化学腐蚀(酸洗或碱洗)C、高温烘烤除气D、直接安装在真空室内进行参考答案:ABC33.在离子镀工艺中,为了提高离子轰击能量,通常会进行什么操作?A、增加溅射功率B、增加偏压电压C、减小靶材与基板的距离D、减小溅射气压参考答案:ABC34.关于镀膜工艺中的“负载锁定”技术,下列说法正确的是?A、负载锁定系统允许在不破坏主真空室真空度的情况下,完成多个工件的装卸B、负载锁定室通常配备单独的机械泵和挡油阱C、负载锁定室内的压强通常与主真空室相同D、这种技术大大提高了镀膜生产效率和设备利用率参考答案:ABD35.下列哪些是真空镀膜设备常见的安全防护措施?A、设置真空系统的真空释放阀(防爆阀)B、操作人员佩戴防静电手环和面罩C、电控柜安装漏电保护装置D、真空泵停止运行后,必须及时对真空室进行放气参考答案:ABCD36.关于ITO(氧化铟锡)透明导电薄膜,下列说法正确的是?A、ITO薄膜具有优异的光学透过率和良好的导电性B、ITO薄膜在可见光范围内具有极高的反射率C、低温磁控溅射制备的ITO薄膜其方阻通常高于高温制备的薄膜D、ITO薄膜的结晶度越高,其电阻率通常越低参考答案:ACD37.关于磁控溅射工艺中的靶材与基板距离,下列说法正确的是?A、距离过近会导致靶材局部过热熔化,甚至产生“靶中毒”现象B、距离过远会降低薄膜的沉积速率,且电子容易被收集极吸收导致成膜电压升高C、距离适中可以兼顾沉积速率、薄膜均匀性和靶材寿命D、距离与膜层厚度分布的均匀性无关参考答案:ABC38.下列哪些材料属于磁控溅射中常用的靶材?A、铝靶B、不锈钢靶C、陶瓷靶(如ITO、氧化锆)D、金属有机源(MO源)参考答案:ABC39.电子真空镀膜中,常用的物理气相沉积(PVD)技术主要包括哪些?A、践射镀膜B、蒸发镀膜C、离子镀膜D、化学气相沉积(CVD)参考答案:ABC40.镀膜过程中,为了防止环境污染,涉及的安全环保措施包括哪些?A、使用环保型镀膜材料B、安装油雾捕集器C、遵守危化品处理规定D、直接排放冷却水参考答案:ABC判断题1.离子束辅助沉积(IBAD)技术主要用于制备具有高度取向结构的单晶薄膜。A、正确B、错误参考答案:A2.蒸发镀膜过程中,膜层的均匀性主要取决于蒸发源的温度分布和基底的形状。A、正确B、错误参考答案:A3.磁控溅射是通过外加磁场来改变电子的运动轨迹,从而增加电离效率。A、正确B、错误参考答案:A4.蒸发源加热至工作温度后,即可直接向蒸发舟中添加蒸发材料,无需进行烘烤去气处理。A、正确B、错误参考答案:B5.在大面积镀膜工艺中,采用旋转多阴极磁控溅射可以显著改善均匀性。A、正确B、错误参考答案:A6.真空镀膜设备在停机抽真空时,应先关闭加热电源,再关闭真空泵。A、正确B、错误参考答案:B7.真空镀膜室内的视窗玻璃主要用于观察内部情况,不需要考虑其透光率对镀膜的影响。A、正确B、错误参考答案:B8.多弧离子镀中,弧电流的大小决定了镀膜过程的稳定性。A、正确B、错误参考答案:A9.为了提高镀膜产品的附着力,在沉积薄膜前必须对基底进行彻底的去油和去氧化处理。A、正确B、错误参考答案:A10.电子真空镀膜是将金属或非金属材料的原子、分子在真空条件下蒸发或溅射到基底表面,形成功能性的薄膜层。A、正确B、错误参考答案:A11.使用离子束镀膜时,离子束的强度越大,离子的平均能量越高,膜层的附着力就越强。A、正确B、错误参考答案:A12.电子束蒸发源使用的是灯丝,与电阻蒸发源的结构完全相同。A、正确B、错误参考答案:B13.直流溅射中,为了防止靶材(阴极)发生阳极靶效应,必须保证阴极对地是绝缘的。A、正确B、错误参考答案:A14.真空室内的各种泵、阀门、管道连接处如果密封不严,会导致真空度无法提升。A、正确B、错误参考答案:A15.磁控溅射工艺中,磁铁极性分布错误会导致靶材靶面无法形成闭合磁力线,从而无法产生溅射。A、正确B、错误参考答案:B16.真空镀膜过程中,射频(RF)溅射主要适用于金属靶材的沉积。A、正确B、错误参考答案:B17.真空镀膜机的扩散泵在使用前,必须先启动机械泵将腔体抽至低真空才能工作。A、正确B、错误参考答案:A18.真空腔体内部的压力单位可以用帕斯卡(Pa)或托(Torr)表示。A、正确B、错误参考答案:A19.真空镀膜机的水冷系统漏水可能会直接导致镀膜失败。A、正确B、错误参考答案:B20.溅射过程中,如果阳极电流过大,可能会导致靶材发生“弧光放电”现象。A、正确B、错误参考答案:A21.薄膜的内应力可以通过控制基板温度、沉积速率和溅射气压来降低。A、正确B、错误参考答案:A22.电子枪蒸发过程中,如果发现聚焦磁场减弱,可能会导致镀膜均匀性变差。A、正确B、错误参考答案:A23.真空镀膜机使用的电阻加热蒸发源(如钨丝、钼舟),在使用过程中可以随意拆卸和更换而不影响真空度。A、正确B、错误参考答案:B24.在镀制介质膜(如氧化物)时,通常需要向镀膜室内通入氧气作为反应气体。A、正确B、错误参考答案:A25.压力释放阀是真空镀膜机安全装置的一部分,平时应处于常闭状态。A、正确B、错误参考答案:B26.在镀制高反射率的金属膜时,膜层厚度通常控制在波长的四分之一左右。A、正确B、错误参考答案:A27.电子束蒸发时,电子束聚焦越强,能量密度越高,蒸发效率越高。A、正确B、错误参考答案:A28.磁控溅射中的靶材需要定期更换,这主要是因为靶材被完全消耗了。A、正确B、错误参考答案:B29.真空室的清洁度(清洁度)对镀膜质量的影响很小,因为薄膜是在真空环境下生成的。A、正确B、错误参考答案:B30.真空镀膜工艺结束后,关闭水冷系统后可以立即切断总电源。A、正确B、错误参考答案:B31.电子束蒸发镀膜时,蒸发舟(坩埚)必须始终与高压电源保持良好的电气连接,否则无法加热。A、正确B、错误参考答案:A32.原子层沉积(ALD)技术是通过重复进行的表面反应循环来逐个原子地沉积薄膜。A、正确B、错误参考答案:A33.等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备中,射频功率源发射的能量与放电功率成正比。A、正确B、错误参考答案:B34.镀膜前进行基底清洗是保证膜层结合力的关键步骤。A、正确B、错误参考答案:A35.薄膜的硬度越高,其耐磨性一定越好。A、正确B、错误参考答案:B36.在磁控溅射镀膜工艺中,加速电压越高,溅射效率通常越高,薄膜沉积速率也越快。A、正确B、错误参考答案:A37.真空镀膜过

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