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文档简介

本发明提供一种能够对光学部件进行标记表层的所述低折射率层,使所述高折射率层露2在所述去除工序中,对以覆盖光学基材的光学面的方式形成的所述超短脉冲激光的脉冲宽度为0.1皮秒以上且小于10在部分去除了所述低折射率层的激光扫描区域的位于下低折射率层的去除部位的厚度t1与所述低折射率层的未去除部位的厚度t2的比t1/t2属于通过去除所述低折射率层而露出的层是作为所述高折射率层的Z在所述去除工序中,通过部分去除所述最表层的所述低折射率所述防反射膜构成为具有层叠有低折射率层和高折射率层的多层结构结构的最表层的所述低折射率层被部分去除而在通过去除所述低折射率层而露出的所述高折射率层中,的厚度t1与所述低折射率层的未去除部位的厚度t2的比t1/t2属于0.90以上且1.00以下的通过去除所述低折射率层而露出的层是作为高折射率层的Z所述最表层的所述低折射率层的去除部位构成所述光学部件的装饰图3除所述多层结构的最表层的所述低折射率层而使所述高4多层结构的最表层的所述低折射率层被部分去部位的厚度t1与所述最表层的未去除部位的厚度t2的比t1/t2属于0.90以上且1.00以下的[0048]图2是表示本发明的一实施方式涉及的眼镜镜片的制造方法的工序的一个例子的[0049]图3是表示本发明的一实施方式涉及的眼镜镜片中的薄膜的层叠结构的一个例子[0050]图4A及图4B是表示在本发明的一实施方式涉及的眼镜镜片的制造方法中使用的[0051]图5A及图5B是表示本发明的一实施方式涉及的眼镜镜片的主要部分结构例的说51,实施配合佩戴者所佩戴的眼镜框的镜框形状2切削镜片外形的磨边加工(镜框切割加工),并且以位于镜框切割后的镜片区域内的方式实施表示徽标(logo)、公司专用标志6(Ta2O5氧化钇(Y2O3)、氧化铝(Al2O3)、以及它们的混合物(例如氧化铟锡(ITO))等构成。其中,设多层结构的AR膜的最表层构成为必须是低折射率层(例如,SiO2[0073]经过如以上那样的成膜处理,从而在镜片基材的光学面上形成如图3所示的层叠SnO2层13b及ZrO2层13c的多层结构,并且构成为最表层(即,疏水膜14侧的表层)为SiO2层在被固定的状态下对作为加工对象的眼镜镜片的被加工面(具体而言,是没有被固定的一侧的光学面)测量其加工区域的镜片高度(即被加工面中的加工区域的三维形状)(S107)。7先针对作为加工对象的眼镜镜片的被加工面测量其加工区域的镜片高度(即,被加工面中工时,首先实施将作为加工对象的眼镜镜片的一侧的光学面安装到专用夹具的夹具固定具取下眼镜镜片的夹具解除(S116),针对取下的眼镜镜片实施用于去除在加工时的残留装饰图案的标记,所述去除工序是通过照射激光的激光加工来部分去除最表层的SiO2层射率层的ZrO2层13c露出,则对于其上层侧的高折射率层即SnO2层13b,也可以与最表层的[0087]图4A和图4B是表示在本实施方式涉及的眼镜镜片的制造方法中使用的激光加工[0088]如图4A所示,在本实施方式中使用的激光加工装置具有激光光源部21、AOM如上述那样能够优选使用例如0.1皮秒以上(包括1皮秒以[0091]超短脉冲激光的波长例如是355nm的THG(ThirdHarmonicGeneration,3倍频)、或者532nm的SHG(SecondHarmonicGeneration,2倍频)。但是不限于此,例如也可以是8[0093]AOM系统部22是通过在扫描振镜部24刚开始操作后和就要操作结束时取消激光的[0094]光束整形部23是通过对来自激光光源部21的激光从高斯型的能量分布变换成顶[0095]扫描振镜部24是通过使来自激光光源部21的激光的照射位置以二维或者三维移部21的激光到达眼镜镜片的被加工部位的方式引导从基于激光的被加工部位即AR膜13的表面起离开了规定的散焦距离的量来设定要照射的13的表面形状的影响造成被照射部位的高度可能发生变动的情况下是非常有用的。但是,焦点位置F向与散焦设定相反的方向离开的对焦(infocus)设定来进行激[0101]当照射超短脉冲激光时,该超短脉冲激光透过眼镜镜片的9为高折射率层的SnO2层13b及ZrO2层13c的多层结构,构成为部分去除该多层结构的最表层正下方的层即SnO2层13b、以及疏水膜14而使得作为高折射率层的ZrO2层13c露出的激光扫[0112]构成装饰图案的激光扫描区域16是去除了AR膜13的最表层即SiO2层13a、和其正[0113]如上述那样,AR膜13的最表层即SiO2层13a的去除能够通过利用超短脉冲激光的除了SiO2层13a的激光扫描区域16的部分的厚度t1与被SiO2层13a覆盖的非加工区域15的部描区域16的形成是利用基于超短脉冲激光的非加热加[0121](a)在本实施方式中,通过针对作为覆盖镜片基材11的光学面的薄膜之一的AR膜低限度的层,则能够抑制由于该去除导致在构成AR膜13的多层结构的各层发生剥落的情去除SiO2层13a而露出的ZrO2层13c的露出表面产生特别是在由于AR膜13的表面形状的影响而造成被照射部位的高度可能发生变动的情况下部分去除SiO2层13a,与此相伴也去除SnO2层13b的情况下,SiO2层13a等的去除部位处的ZrO2层13c的厚度t1与SiO2层13a等的未去除部位处的ZrO2层13c的厚度t2的比t1/t2例如属SiO2层13a的下方侧的层是作为高折射率层的SnO2层13b和ZrO2层13c,当部分去除SiO2层SiO2层13a一同被去除的SnO2层13b,也可以采用具有导电性的较薄厚度的ITO层来代替该SnO2层13b。于被去除的层的正下方的层,去除部位的厚度t1与未去除部位的厚度t2的比t1/t2例如属[0137]所述至少一层的正下方的层构成为所述至少一层的去除部位的厚度t1与所述至少一层的未去除部位的厚度t2的比t1/t2属于0.90以上且1(低折射率层);(高折射率层);(高折射率层);

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