CN113964027B 硅片扩散制结用链式推进方法 （常州时创能源股份有限公司）_第1页
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CN213816090U,2021.07.27本发明公开了一种硅片扩散制结用链式推热装置。本发明的硅片扩散制结用链式推进方法，其能对完成BSG沉积的硅片进行高温推进处21.硅片扩散制结用链式推进方法，采用链式炉对完成BSG沉积的硅片进行高温推进处在链式炉中分批依次传送硅片，每批至少一个硅片；沿硅在链式炉中设置至少一个高温推进处理区；在所述高温推进控制所述奇数批加热区段的工作模式如下：仅当奇数批硅片途径奇数批加热区段时，控制所述偶数批加热区段的工作模式如下：仅当偶数批硅片途径偶数批加热区段时，控制所述奇数批预热区段的工作模式如下：仅当奇数批硅片途径奇数批预热区段时，控制所述偶数批预热区段的工作模式如下：仅当偶数批硅片途径偶数批预热区段时，3控制奇数批预热区段的加热装置将途径的奇数批硅片加热至100～200℃;控制偶数批预热区段的加热装置将途径的偶数批硅片加热至100～200℃。途径的奇数批硅片加热至1050～1120℃,且使奇数批加热区段的炉体氛围最高温度控制在途径的偶数批硅片加热至1050～1120℃,且使偶数批加热区段的炉体氛围最高温度控制在将奇数批硅片途径上述多个高温推进处理区的奇数批加热区段的总时间控制在150~将偶数批硅片途径上述多个高温推进处理区的偶数批加热区段的总时间控制在150~4950℃)推进，来获得一定深度的硼发射极。虽然这种管式沉积并推进的扩散方法可制备硼发射极的要求，但是由于工艺温度高和工艺时间长会导致能耗过高和产能小的问[0003]链式隧道炉由于具有快速升降温且受热更均匀等特点使得其在光伏太阳能电池的工艺峰值温度更高（高达1100℃),并且需要较高的升温速率，采用红外灯管加热硅片可5[0017]优选的，控制奇数批预热区段的加热装置将途径的奇数批硅片加热至100～200热区段的加热装置在10～15s内将途径的奇数批硅片加热至1050～1120℃,且使奇数批加热区段的加热装置在10～15s内将途径的偶数批硅片加热至1050～1120℃,且使偶数批加[0023]将偶数批硅片途径上述多个高温推进处理区的偶数批加热区段的总时间控制在完成BSG沉积的硅片进行高温推进处理，且能避免炉体以及内部氛围持续加热导致温度过6现快速升温至1100℃左右，硅片快速升温过程中会在硅片近表面产生大量空位和间隙原将途径的奇数批硅片加热至100～200℃;7片加热至1050～1120℃,由于奇数批加热区段的红外灯管开启时间短，奇数批加热区段的将途径的偶数批硅片加热至100～200℃;片加热至1050～1120℃,由于偶数批加热区段的红外灯管开启时间短，偶数批加热区段的[0042]将奇数批硅片途径上述多个高温推进处理区的奇数批加热区段的总时间控制在[0043]将偶数批硅片途径上述多个高温推进处理区的偶数批加热区段的总时间控制在[

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