CN114008774B 电子电路和用于制造电子电路的方法 （西门子股份公司）

2021.12.10PCT/EP2020/0656272020.06.05WO2020/249479DE2020.12.17导体组件(9)利用上侧抵靠在第一电路载体(6)的下侧处并且利用下侧抵靠在第二电路载体(8)该第一通孔将第一半导体组件(9)与第一印制导第二通孔将布置在电路载体之间的连接元件二半导体组件(10)抵靠在第一电路载体(6)的下侧处并且与第一印制导线或第二印制导线电连半导体组件(10)的下侧抵靠在第三电路载体(17)的上侧处。第一电路载体(6)的横向热膨胀系数大于第二电路载体(8)的横向热膨胀系数且234半导体组件具有抵靠在第一电路载体的下侧处的上侧和抵靠在第二电路载体的上侧处的[0008]关于第二电路载体的以上实施方案和必要时其他的实施方案类似地适用于第三[0010]电路载体或半导体组件的上侧与电路载体或半导体组件的相应下侧相对置。此5是半导体组件并且然后是第二电路载体且必的一侧在电路载体的相应的一侧的接触区域中与该侧平面平行或基本上平面平行地取向是双极功率晶体管、功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)或IGBT(绝缘栅双极型6[0025]因为第二电路载体的横向热膨胀系数小于第一电路载体的横向热膨胀系数并且电子电路的运行温度总是低于接缝温度，在该接缝温度下电路载体经由连接元件彼此连电路载体的下侧与第三电路载体的上侧之间的第二连接元件与第一电路载体的第一印制7[0041]第二电路载体和必要时第三电路载体特别地固定在冷却体处并且特别地直接与烧结材料)和/或用于改进导热性的介质(例如导热膏)位于相应电路载和第三电路载体。公共的冷却体还能够用于为电路的另外的电路载体和/或半导体组件散[0044]由此实现了在冷却体与第二电路载体之间或在冷却体与第三电路载体之间进而在冷却体与半导体组件之间的改进的机械接[0045]更好的热接触导致改进的散热。改进的机械接触还导致改进的电子电路的可靠一电路载体的背离第一半导体组件和第二半导体组件的上侧上并且例如放置在第一电路[0047]根据至少一个实施方式，夹持元件被构造作为放置在第一电路载体的上侧上的[0051]至少一个螺钉或至少一个支撑元件被引导穿过第一电路载体的至少一个通孔并[0057]根据至少一个实施方式，第一半导体组件和第二半导体特别是借助第一印制导线和第二印制导线以及必要时借助第三印制导线连接成半桥电路一印制导线例如与第一直流电压接口电连接。第二印制导线例如与交流电压接口电连接。8[0061]通过电绝缘层的使用实现了半导体组件相对于冷却体的电绝缘。通过使用陶瓷[0071]在此，变频器能够被理解为将第一交流电压转换成特别是具有其他频率和/或相9[0080]根据至少一个实施方式，第二半导体组件借助于芯片接合固定在第三电路载体[0081]根据至少一个实施方式，在第一电路载体或第三电路载体上安装第二连接元一电路载体的第四通孔与第一电路载体的第三印制导线或与第一[0083]特别地，在第一连接元件与第一电路载体和第二电路载或者如适用的话，在第二连接元件与第一电路载体和第三电路载体材料配合地连接之后，[0086]根据改进概念的方法的另外的设计方案直接源自根据改进概念的电子电路或变[0087]由根据改进概念的用于制造电子电路的方法的设计方式得出根据改进概念的用27'。[0103]电路7具有第一功率晶体管9，该第一功率晶体管借助芯片接合与第二电路载体8[0105]电路7还具有第二功率晶体管10，第二功率晶体管通过芯片接合并且必要时使用使用其他的功率电子半导体组件代替功率晶体管9、10中的一个功率晶体管或代替两个功[0110]第一电路载体6例如在外层33的背离功率晶体管9，10的一侧上具有第一绝缘层层29'的背离内层15的一侧上布置有第一电路载体6的另[0112]第一电路载体6的第二通孔13穿过绝缘层29并将外层33与内层15连接，特别是将[0113]第四通孔18穿过绝缘层29、内层15和另外的绝缘层29'并且将外层33与外层12连另外的功率晶体管10和第二连接元件20嵌入另外的浇注材料中并且另外的浇注材料例如[0115]第二电路载体和第三电路载体8，17的绝缘体例如能够全面地包围重叠相应的导[0117]图3示出了根据改进概念的电子电路7的另一示例性实施方式的另一截面图。图3经由第三连接元件37和第五通孔35示出了功率晶体管9的第三接触部。在图2的电路7中也于定位功率晶体管9、二极管9'和/或电子组件32和/或用于避免焊膏不受控制的润湿或分[0125]图5示出了根据改进概念的电子电路7的另一示例性实施方式的另一截面图。图5[0127]图6示出了根据改进概念的电子电路7的另一示例性实施方式的截面图。图6的实在相同的功率晶体管9的情况下，在第一铜层25与第一电路载体6之间的间距小于图4的实应设计方案的情况中，在外层33与功率晶体管9之间的连接材料30能够在工艺步骤中与连功率晶体管9和另外的半导体组件9'借助芯片接合被固定在第二电路载体8上。在步骤c)[0135]图10中的电路7具有夹板22和公共的冷却体21。第二电路[0138]图8示出了根据改进概念的变流器28(例如变频器)的一部分的示例性实施方式的