CN114497114B 集成芯片及其制作方法和集成电路 （深圳市汇芯通信技术有限公司）

一村社区皇岗路5001号深业上城（南US2021067123A1,2021.03.04申请公开了一种集成芯片及其制作方法和迁移率晶体管包括设置在所述第一外延层上的置在所述压电层上的第一叉指换能器和第二叉2所述氮化镓高电子迁移率晶体管包括设置在所述第一外延层上的源极、漏极和栅极，所述表面声波滤波器包括设置在所述压电层上的第一叉指换能器和第二叉指换能器，所述氮化镓高电子迁移率晶体管和所述表面声波滤波器通过金属导所述外延层为氮化铝材料层或氮化镓铝材料层，所述压电层为掺杂钪所述表面声波滤波器对应的所述压电层的厚度，大于所述氮化镓高电子迁所述第一反射器和第二反射器分别由多条并列设置的金属4.如权利要求3所述的集成芯片，其特征在于，所述集成芯片还包括背孔和背面金属形成贯穿所述外延层的隔离结构，所述隔离结构将所述外延层划分为7.如权利要求6所述的集成芯片的制作方法3所述形成贯穿所述外延层的隔离结构，所述隔离结构将所述外延层划形成贯穿所述外延层的隔离结构，所述隔离结构将所述外延层划分为在所述压电层上同步形成第一叉指换能器、第二叉指换能器、将所述氮化镓高电子迁移率晶体管与所述表面声波滤波器的第一叉指换能器通过金4用于移动通信系统之中；而功率放大器将采用高性能的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN晶体管)的功率放大器是分别制作完成的，然后将分别制作完成的滤波器和功率放大器在[0004]本申请的目的是提供一种将氮化镓高电子迁移率晶体管和表面声波滤波器集成电子迁移率晶体管和所述表面声波滤波器通过金属5[0023]将所述氮化镓高电子迁移率晶体管与所述表面声波滤波器的第一叉指换能器通化镓高电子迁移率晶体管和表面声波滤波器做到一个芯片上，从而减小了射频器件的面67波器226；所述氮化镓高电子迁移率晶体管225包括设置在所述第一外延层240上的源极滤波器226包括设置在所述压电层2232上的第一叉指换能器2261和第二叉指换能器2262；所述第一叉指换能器2261作为所述表面声波滤波器226的输入换能器，所述第二叉指换能器2262作为作为所述表面声波滤波器226的输出换能器，所述氮化镓高电子迁移率晶体管225和所述表面声波滤波器226通过金属导线23的信号滤除；双工器113(Duplexer)由一个接收型表面声波滤波器和一个发射型表面声波射频滤波器或双工器。集成氮化镓高电子迁移率晶体管(GaNHEMT)225和表面声波滤波器器226结合形成射频前端110的发射通道；当氮化镓高电子迁移率晶体管225作为低噪放大波滤波器226结合形成射频前端110的接收通道；另外还可以通过调节叉指换能器的间距，8图11所示，采用数量相等的基于GaNHEMT型的低噪放大器(LNA)和基于GaNHEMT型的射频波器和发射滤波器，因此所需芯片数量将随着通道数量的增加而大量增加,芯片总数到达器111(PA)、低噪放大器114(LNA)和射频开关115都是基于氮化镓高电子迁移率晶体管221将在5G及未来通信或其它终端设备中得到广泛的应间还设有中间层227，所述中间层227的平均晶格常数在衬底221材料的晶格常数和沟道层(AlGaN)，当然还可以是其它材料，势垒层2231的材料和厚度由GaNHEMT晶体管的设计决[0060]位于第一外延层240和压电层2232之间的隔离结构224可以是隔离槽，当外延层9料时，掺杂后，Sc原子取代部分Al原子而形成氮化钪(ScN)。氮化钪是非极性的具有岩盐(racksalt)结构的III-V氮化物，而氮化铝是极性的纤锌矿(wurztite)结构的III-V氮化薄膜的压电系数。适量的Sc掺杂可以使AlN薄膜的压电系数增加100-500极大地提高表减小电阻。在制作完源极2251和漏极2253后，在源极2251和漏极2253上形成一层钝化层绝缘层可以采用氧化铝(Al2O3)或氮化硅(Si3N)材料。换能器2262并列设置，第一叉指换能器2261与氮化镓高电子迁移率晶体管225中的漏极构224与所述第一叉指换能器2261之间，所述第二反射器2264设置在所述第二叉指换能器[0066]并且所述第一反射器2263和第二反射器2264分别由多条可以通过调节第一反射器2263和第二反射器2264中金属条的数量和相邻金属条之间的间同一道工序形成，进一步还可同时与氮化镓高电子迁移率晶体管225中的源极2251、漏极贯穿所述衬底221和外延层223，所述背面金属层2281设置在所述衬底221远离所述外延层[0081]S25：将所述氮化镓高电子迁移率晶体管与所述表面声波滤波器的第一叉指换能对应衬底部分的背面蚀刻过孔和沉积背面金属