CN115047655B 一种基于微型电加热器的电光调制器件及其制作方法 （杭州电子科技大学）

一种基于微型电加热器的电光调制器件及本发明公开了一种基于微型电加热器的电2米盘的形状为圆形，所述金纳米盘的直径为200-1000nm，所述金纳米盘的厚度为100-5.根据权利要求1或4所述的一种基于微8.一种适用于权利要求1所述的一种基于微型电加热器的电光调制器件的制作方法，9.根据权利要求8所述的一种基于微型电加热器的电光调制器件的制作方法，其特征500μm厚度的PDMS薄膜从胶带上撕出若干层的PtSe2，并贴在载玻片上，在110℃温度环境3料在相变过程中存在成丝现象和中红外波段透[0004]本发明是为了克服现有技术的相变材料在相变过程中存在成丝现象和中红外波4[0008]作为本发明的优选方案，所述金纳米盘的形状为圆形，所述金纳米盘的直径为[0009]作为本发明的优选方案，所述相变材料的形状与金纳米盘相同，相变材料采用于微型电加热器的电光调制器件制作方法适用于一种基于微型电加热器的电光调制器的2覆盖层和金属电极等多层复Ge2Sb2Te5薄膜构成异质结；空间入射光和Ge2Sb2Te5相互作用形成局部表面等离子体共振，层金属电极两端施加电流脉冲能够引发中间Ge2Sb2Te5纳米柱阵列的相变使Ge2Sb2Te5的光5点；本发明将相变材料沉积在提前预备好的纳米孔洞阵列中制成盘状结构，通过缩小[0020]图6是本发明的电光调制器件厚度为217.6nmPtSe2通电前在中红外波长范围内[0021]图7是本发明的电光调制器件厚度为217.6nmPtSe2通电后在中红外波长范围内[0022]图8是本发明的一种基于微型电加热器的电光调制器件的制作方法的方法流程[0023]图9是本发明的一种基于微型电加热器的电光调制器件的制作方法的方法流程示μm；金纳米盘3的形状为圆形，金纳米盘3的直径为200-1000nm，金纳米盘3的厚度为100-6施加电流脉冲引发中间Ge2Sb2Te5纳米柱阵列的相变使Ge2Sb2Te5的光学介电常数主动发生2可以增强空间光与相变材料本发明中覆盖层6厚度还可以有多种选择，均可以实现本发明的结果。相变层采用的是Ge2Sb2Te5，具体为Ge2Sb2Te5纳米柱阵列，直径和形状与金纳米盘3保持一致，厚度为150-局部区域即PtSe2与Ge2Sb2Te5接触的部分能产生足够多的焦耳热用以驱动Ge2Sb2Te5发生相变；器件能够通过电压脉冲诱导相变材料4发生相变，通过外部施加激励改变电压使得10μm的中红外波段；PtSe2厚度为217.6nm时，在频率为2661.1cm-1处，最大调制深度为7过外部电压诱导相变材料4发生相变和引起光学介电常数的显著变化，可以实现对空间光贴在载玻片上。在110℃的加热温度下，利用PDMS的体积膨胀将多层或少层的PtSe2变层中，产生磁等离激元共振。从如图6所示的反射光谱上可以明显观察出共振峰与[0038]如图5所示，为利用时域有限差分法(FDTD)进行模拟计算得出的Ge2Sb2Te5相变前吸收峰，相变后吸收峰产生了明显的红移，在2191.8cm-1处达到最大吸收峰，Δω~331.9cm-1在2523.7cm-1处达到了74[0039]如图6所示为电光调制器件处于非晶态时PtSe2通电前在中红外波长范围内的反8结构中Ge2Sb2Te5由非晶态转换为晶态后，反射光谱测量值的第一个共振峰从频率移至频率1895.6cm-1处，Δω~333.6cm-1；第三个共振峰从频率3370.8cm-1红移至频率2覆盖层6和金属电极5等多层复合结构构成。制备了PtSe2/Ge2Sb2Te5/Au三层堆叠结构的电光调制器，半金属的多层PtSe2与Ge2Sb2Te5薄膜构[0041]本发明的核心思想是：针对传统光调制器的结构造型和新型电光材料---相变材料4相变存在的问题提出一种基于微型电加热器的电光调制器件，解决传统的电光调制器(电导率σ=64000S/m)和高透光性(MIR)等特点，由于PtSe2在中红外波段的高透光性和本[0042]另外相变材料4相变过程中存在成丝现象，即最初结晶的细线变成了比周围的非晶态基体具有更高导电性的电流导管，电流会沿着最优路径通过相变材料4而阻止整个体一个关键在于如何设置器件的结构和尺寸避免成丝现象。在本发明中将相变材料4沉积在提前预备好的纳米孔洞阵列中，通过缩小相变材料4的体积和表面积之比减小成丝现象的提下的最小覆盖层6厚度和电光重叠因子来确定最优的覆盖层69域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替