CN115148643B 湿法蚀刻设备及湿法蚀刻方法 （中国科学院上海微系统与信息技术研究所）_第1页
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WO2020172454A1,2020.08本发明提供一种湿法蚀刻设备及湿法蚀刻吸附模块的一端与蚀刻腔室的排液口相连通和/2通过所述过滤单元防止所述吸附剂流出所述步骤S1:将基板上的硅、氧化硅或氮化硅材料中的一种或组合暴露于蚀刻液中进行蚀步骤S2：使用吸附剂吸附硅化合物，将所述吸附剂从所述蚀34基板上的硅和/或其无机化合物材料在蚀刻液中腐蚀的机理差异较大，因此蚀刻液的使用提高生产效率是重要课题。衬底上的硅和/或其无机化合物材料在蚀刻液中的蚀刻产物之[0003]以氮化硅材料的湿法蚀刻为例，氮化硅的湿法蚀刻常用含磷酸的蚀刻液进行腐[0006]以氧化硅薄膜的湿法蚀刻为例，常用的蚀刻液为稀释的氢氟酸溶液(DHF)或者为或其无机化合物材料在蚀刻液中的腐蚀工艺的进行，蚀刻液中的硅化合物含量逐渐上升，5设备包括蚀刻腔室及吸附模块，所述吸附模块的一端与所述蚀刻腔室的排液口相连通和/化合物中的任意一种或多种，或上述吸附剂的任意一种或多种的表面基团改性后的物质，胺-N-丙基及上述吸附剂的表面基团中的一种[0024]步骤S1:将基板上的硅、氧化硅或氮化硅材料中的一种或组合暴露于蚀刻液中进6化合物中的任意一种或多种，或上述吸附剂的任意一种或多种的表面基团改性后的物质，7[0048]需要说明的是,本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘附模块的一端与所述蚀刻腔室的排液口相连通和/或所述吸附模块设置于所述蚀刻腔室于蚀刻液中的硅化合物，比如说硅化合物的浓度超过在蚀刻液中的溶解度后形成不溶物，氮化硅材料的蚀刻产物硅化合物被所述吸附8[0057]所述吸附模块12中设置有用于吸附氮化硅蚀刻产物硅化合物的吸附剂(也可以称基基团的聚合物及上述吸附剂的任意一种或多种材料的氟9[0063]所述蚀刻腔室20的排液口排出的蚀刻液在所述吸附模块12中进行了硅化合物的块可与所述吸附模块12相连接，和/或设置于外槽与所述吸附模块12之间的循环管路11上述吸附模块12和外槽之间的所述循环管路11上，以实时监测所述循环管路11中的液体流述温度检测模块可以设置于所述吸附模块12与外槽(即蚀刻腔室排液口)之间的所述循环成为同一个模块而设置于外槽和所述吸附模块12之间的所述循环管述过滤器14并联设置为至少两条管路，以在其中一个流路上的所述过滤器14出现故障时，于容纳硅蚀刻液及待蚀刻的硅基板以进行氧化硅蚀刻，所述硅蚀刻设备还包括循环管路

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