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文档简介

第二周:第2章半导体晶体管及放大电路基础(一)第1章半导体二极管及其应用自测题1.单选题:电路如图所示。其中限流电阻R=2kΩ,硅稳压管DZ1、DZ2的稳定电压UZ1、UZ2分别为6V和8V,正向压降为0.7V,动态电阻可以忽略。试求a,b,c,d各电路输出端A、B两端之间电压UAB的值。

选项:

A、14V,6V,6.7V,0.7V

B、14V,6V,0.7V,6.7V

C、14.7V,6V,0.7V,6.7V

D、14.7V,6V,6.7V,0.7V

答案:【14V,6V,6.7V,0.7V】2.单选题:设图所示各电路中的二极管性能均为理想。试判断各电路中的二极管D或D1是导通还是截止。

选项:

A、截止,导通,导通,截止

B、导通,导通,截止,截止

C、导通,截止,截止,导通

D、截止,截止,导通,导通

答案:【截止,导通,导通,截止】3.单选题:在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于。

选项:

A、材料

B、温度

C、压力

D、掺杂浓度

答案:【掺杂浓度】4.单选题:在掺杂半导体中,少子的浓度受的影响很大。

选项:

A、温度

B、掺杂工艺

C、掺杂浓度

D、压力

答案:【温度】5.单选题:在掺杂半导体中,多子的浓度越高,少子的浓度。

选项:

A、越高

B、越低

C、不变

D、无法判断

答案:【越低】6.单选题:温度升高,N型半导体的电阻率。

选项:

A、将增大

B、将减小

C、不变

D、无法判断

答案:【将增大】7.单选题:本征半导体中的自由电子浓度与空穴浓度的关系是

选项:

A、大于

B、小于

C、等于

D、无关

答案:【等于】8.单选题:已知二极管的静态工作点UD和ID,则其动态电阻为。

选项:

A、

B、

C、

D、

答案:【】9.单选题:某硅二极管在正向电压时,正向电流。若增大到0.66V,则电流约为。

选项:

A、11mA

B、20mA

C、500mA

D、100mA

答案:【100mA】10.单选题:当环境温度升高时,二极管的正向电压将,反向饱和电流将。

选项:

A、增大,减小

B、增大,增大

C、减小,增大

D、减小,减小

答案:【减小,增大】11.单选题:当PN结正向偏置时,耗尽层。当PN结反向偏置时,耗尽层。

选项:

A、变宽,变窄

B、变宽,变宽

C、变窄,变窄

D、变窄,变宽

答案:【变窄,变宽】12.单选题:普通二极管的正向电压降温度系数。

选项:

A、为正

B、为负

C、为零

D、无法判断

答案:【为负】13.单选题:确保二极管安全工作的两个主要参数分别是和。

选项:

A、UD,IF

B、IF,IS

C、UD,UR

D、IF,UR

答案:【IF,UR】14.单选题:二极管的反偏电压升高,其结电容。

选项:

A、增大

B、减小

C、不变

D、无法判断

答案:【减小】15.单选题:二极管的伏安特性表示式为。

选项:

A、

B、

C、

D、

答案:【】第三周:第2章半导体晶体管及放大电路基础(二)第2章半导体晶体管及放大电路基础自测题(1)1.单选题:对于电流放大器来说,则希望输入电阻越好,输出电阻越好。

选项:

A、越小,越大

B、越大,越小

C、越小,越小

D、越大,越大

答案:【越小,越大】2.单选题:晶体管电路如图所示,已知各晶体管的=50。试分析电路中晶体管的工作状态。

选项:

A、放大

B、饱和

C、截止

D、倒置

答案:【饱和】3.单选题:晶体管电路如图所示,已知各晶体管的=50。试分析电路中晶体管的工作状态。

选项:

A、放大

B、饱和

C、截止

D、倒置

答案:【截止】4.单选题:晶体管电路如图所示,已知各晶体管的=50。试分析电路中晶体管的工作状态。

选项:

A、放大

B、饱和

C、倒置

D、截止

答案:【放大】5.单选题:已知图示放大电路中的W,W,,晶体管的。若晶体管的。该晶体管处于何种状态?_______。

选项:

A、(a)放大状态

B、(b)饱和状态

C、(c)截止状态

D、(d)无法判断

答案:【(a)放大状态】6.单选题:若三级放大电路的,,则电路的放大倍数为。

选项:

A、(a)80

B、(b)800

C、(c)1000

D、(d)10000

答案:【(d)10000】7.单选题:有两个性能完全相同的放大器,其开路电压增益为20dB,W,W。现将两个放大器级联构成两级放大器,则开路电压增益为______。

选项:

A、(a)40dB

B、(b)32dB

C、(c)16dB

D、(d)10dB

答案:【(b)32dB】8.单选题:某放大电路在负载开路时的输出电压为10V,接入5k负载后输出电压降为3V,则此电路的输出电阻为。

选项:

A、50/6k

B、50/3k

C、25k

D、12.5k

答案:【50/3k】9.单选题:测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.66mA和3.6mA。则该管的b为。

选项:

A、40

B、50

C、60

D、100

答案:【60】10.单选题:温度升高,晶体管的电流放大系数b。

选项:

A、无法判断

B、不变

C、减小

D、增大

答案:【增大】11.单选题:温度升高,晶体管输入特性曲线。

选项:

A、右移

B、左移

C、不变

D、无法判断

答案:【左移】12.单选题:当晶体管的集电极电流时,下列说法正确的是。

选项:

A、晶体管一定被烧毁

B、晶体管的

C、晶体管的b一定减小

D、晶体管一定处于饱和状态

答案:【晶体管的b一定减小】13.单选题:晶体管能够放大的外部条件是。

选项:

A、发射结正偏,集电结正偏

B、发射结反偏,集电结反偏

C、发射结正偏,集电结反偏

D、发射结反偏,集电结正偏

答案:【发射结正偏,集电结反偏】14.单选题:17.NPN型晶体管工作在放大状态时,其发射结电压与电极电流的关系为。

选项:

A、(a)

B、(b)

C、(c)

D、(d)

答案:【(d)】15.单选题:引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是_______。

选项:

A、(a)晶体管的电流放大系数太大

B、(b)电源电压太高

C、(c)电压放大倍数太高

D、(d)晶体管参数随环境温度的变化而变化

答案:【(d)晶体管参数随环境温度的变化而变化】16.单选题:在放大电路中,直流负反馈可以________。

选项:

A、(a)提高晶体管电流放大倍数的稳定性

B、(b)提高放大电路的放大倍数

C、(c)提高放大电路的输入电阻

D、(d)稳定电路的静态工作点

答案:【(d)稳定电路的静态工作点】17.单选题:已知图示放大电路中的W,W,,晶体管的,。那么,该晶体管处于何种状态?。

选项:

A、(a)放大状态

B、(b)饱和状态

C、(c)截止状态

D、(d)无法判断

答案:【(b)饱和状态】18.单选题:测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、-2.2V,则该管。

选项:

A、处于饱和状态

B、放大状态

C、截止状态

D、已损坏

答案:【已损坏】19.单选题:对于电压放大器来说,越小,电路带负载的能力越强。

选项:

A、输入电阻

B、输出电阻

C、电压放大倍数

D、输入电压

答案:【输出电阻】20.单选题:在由NPN型晶体管组成的基本共射放大电路中,若输入电压为正弦波,输出波形的底部被削平,则这种失真是失真。

选项:

A、幅度

B、相位

C、截止

D、饱和

答案:【饱和】21.单选题:一放大电路如图所示,当逐渐增大输入电压的幅度时,输出电压的波形首先出现了底部被削平的情况,为了消除这种失真,应。

选项:

A、减小

B、增大

C、减小

D、减小

答案:【减小】第五周:第3章场效应晶体管及其放大电路(一)第2章半导体晶体管及放大电路基础自测题(2)1.单选题:已知某放大电路由放大倍数完全相同的两个单级放大电路组成,那么,在组成它的单级放大电路的截止频率处,电路的放大倍数下降了_______。

选项:

A、3dB

B、6dB

C、8dB

D、10dB

答案:【6dB】2.单选题:晶体管的共射截止频率、共基截止频率及特征频率三者之间的大小关系是_________。

选项:

A、

B、

C、

D、

答案:【】3.单选题:已知某晶体管的,。当其工作频率为时,。

选项:

A、50MHz

B、30MHz

C、10MHz

D、3MHz

答案:【3MHz】4.单选题:两级放大电路中,已知,;,。则:放大电路的下限截止频率,放大电路的上限截止频率。

选项:

A、45Hz,30kHz

B、55Hz,30kHz

C、45Hz,24kHz

D、55Hz,24kHz

答案:【55Hz,24kHz】5.单选题:在放大电路幅频响应(波特图)曲线中,在上限截止频率和下限截止频率频率点处,电压增益比中频区增益下降了3dB,亦即在该频率点处的输出电压是中频区输出电压的_______倍。

选项:

A、

B、

C、

D、

答案:【】6.单选题:有一共基极放大电路如图所示。其中VCC=24V、RB1=90kΩ、RB2=48kΩ、RC=RE=2.4kΩ、负载电阻RL=2.2kΩ,电容器C1、C2、C3的电容量均足够大。晶体管T为3DG4A型硅管,其rbb'=80Ω、β=20。计算放大倍数Au

选项:

A、61.7

B、38.9

C、50

D、55

答案:【61.7】7.单选题:一放大电路如图所示,其中和为负载电阻和负载电容。当增大的容量时,该放大电路的;

选项:

A、提高

B、减小

C、不变

D、无法判断

答案:【减小】8.单选题:当的容量减小时,该电路的。

选项:

A、提高

B、减小

C、不变

D、无法判断

答案:【提高】9.单选题:某共射极放大电路如图所示,已知晶体管的rbb=100Ω,rb’e=900Ω,gm=0.04S,三极管的结电容等效输入电容Ci=500pF,等效输出电容C0忽略不计。计算中频电压放大倍数Ausm

选项:

A、36

B、-36

C、24

D、-24

答案:【-36】10.单选题:有一共基极放大电路如图所示。其中VCC=24V、RB1=90kΩ、RB2=48kΩ、RC=RE=2.4kΩ、负载电阻RL=2.2kΩ,电容器C1、C2、C3的电容量均足够大。晶体管T为3DG4A型硅管,其rbb'=80Ω、β=20。试估算静态工作点UCEQ值

选项:

A、10

B、15

C、20

D、25

答案:【15】第六周:第3章场效应晶体管及其放大电路(二)第3章场效应晶体管及其放大电路自测题1.单选题:当场效应管工作于放大区时,耗尽型场效应管iD的数学表达式为:。

选项:

A、

B、

C、

D、

答案:【】2.单选题:与双极型晶体管比较,场效应管。

选项:

A、输入电阻小

B、输出电阻小

C、放大能力强

D、放大能力弱

答案:【放大能力弱】3.单选题:N沟道增强型MOSFET工作于放大工作状态时,要求UGSQ>______,UDSQ>______。

选项:

A、UGS(th),UGSQ-UGS(th)

B、UDSQ,UGSQ+UGS(th)

C、UGS(th),UGSQ

D、UGS(th),UGSQ+UGS(th)

答案:【UGS(th),UGSQ-UGS(th)】4.单选题:

选项:

A、

B、0

C、

D、

答案:【0】5.单选题:当场效应管的漏极电流IDQ从1mA变为2mA时,它的低频跨导。

选项:

A、增大

B、减小

C、不变

D、无法判断

答案:【增大】6.单选题:当ugs=0时,不能够工作在恒流区的是。

选项:

A、结型场效应管

B、增强型MOS管

C、耗尽型MOS管

D、无法判断

答案:【增强型MOS管】7.单选题:由N沟道耗尽型场效应管组成的共漏极电路如图所示。设UGSQ=-0.2V,gm=1.2ma/V,C1、C2的电容量足够大。试求电路的电压放大倍数Au

选项:

A、0.86

B、3.5

C、0.42

D、10

答案:【0.86】8.单选题:图示电路中,已知场效应管的UGS(off)=-5V,uGS=-3V,uDS=1V,管子工作在哪个区?

选项:

A、截止区

B、放大区

C、可变电阻区

D、损坏

答案:【可变电阻区】9.单选题:图示电路中,已知场效应管的UGS(off)=-5V,uGS=-3V,uDS=4V,管子工作在哪个区?

选项:

A、截止区

B、放大区

C、可变电阻区

D、损坏

答案:【放大区】10.单选题:一N型沟道增强型MOS场效应管放大电路如图所示。在线性放大条件下:

选项:

A、

B、

C、

D、

答案:【】11.单选题:反映场效应管放大能力的一个重要参数是。

选项:

A、输出电阻

B、击穿电压

C、跨导

D、输入电阻

答案:【跨导】12.单选题:图示电路中,已知场效应管的UGS(off)=-5V,uGS=-8V,uDS=4V,管子工作在哪个区?

选项:

A、截止区

B、放大区

C、可变电阻区

D、损坏

答案:【截止区】13.单选题:由N沟道耗尽型场效应管组成的共漏极电路如图所示。设UGSQ=-0.2V,gm=1.2ma/V,C1、C2的电容量足够大。试求电路的静态工作点UDSQ

选项:

A、15.8V

B、15.2V

C、14.8V

D、14.2V

答案:【15.8V】第七周:第4章集成运算放大器、第5章频率特性第4章集成运算放大器自测题1.单选题:电路如图所示,已知T1、T2均为硅管,UBE1=UBE2=0.7V,β1=β2=50,rbb’=300Ω,求差模电压放大倍数Aud

选项:

A、-72.35

B、-65

C、-81

D、-89.55

答案:【-72.35】2.单选题:某差分放大电路如图所示。设晶体管T1和T2的rbb’=300Ω,UBE=0.7V,β=50,VCC=VEE=12V,RB=1kΩ,RC=RL=RE=5kΩ,试估算晶体管静态工作点UCEQ

选项:

A、5

B、7.5

C、10

D、12.5

答案:【7.5】3.单选题:某差分放大电路如图所示。设晶体管T1和T2的rbb’=300Ω,UBE=0.7V,β=50,VCC=VEE=12V,RB=1kΩ,RC=RL=RE=5kΩ,试估算差模电压放大倍数Aud

选项:

A、-25

B、-33.3

C、-50

D、-66.7

答案:【-33.3】4.单选题:差分放大电路由双端输出变为单端输出,则共模电压增益。

选项:

A、增大

B、减小

C、不变

D、无法判断

答案:【增大】5.单选题:差分放大电路由双端输入变为单端输入,则差模电压增益。

选项:

A、增加一倍

B、为双端输入时的1/2

C、不变

D、无法判断

答案:【不变】6.单选题:差分放大电路如图所示。

选项:

A、

B、

C、

D、

答案:【】7.单选题:

选项:

A、

B、

C、

D、0

答案:【0】8.单选题:直接耦合放大电路产生零点漂移的主要原因是。

选项:

A、电源电压的波动

B、电路的电压放大倍数太大

C、晶体管参数的分散性

D、晶体管参数受温度影响变化较大

答案:【晶体管参数受温度影响变化较大】9.单选题:集成运放的输出级采用互补推挽电路是为了。

选项:

A、提高电压放大倍数

B、提高输出电阻

C、提高带负载能力

D、提高输出电压

答案:【提高带负载能力】10.单选题:共摸抑制比KCMR越大,表明电路的。

选项:

A、放大倍数越稳定

B、交流放大倍数越大

C、抑制零漂的能力越强

D、输出电阻越小

答案:【抑制零漂的能力越强】11.单选题:差分放大电路由双端输出变为单端输出,则差模电压增益。

选项:

A、增大

B、减小

C、不变

D、无法判断

答案:【减小】12.单选题:

选项:

A、提高差模电压放大倍数

B、提高共模电压放大倍数

C、提高输入电阻

D、提高共模抑制比

答案:【提高共模抑制比】13.单选题:差分放大电路由双端输出改为单端输出,其共模抑制比KCMR减小的原因是。

选项:

A、

B、

C、

D、

答案:【】14.单选题:

选项:

A、

B、

C、

D、

答案:【】15.单选题:电路如图所示,已知T1、T2均为硅管,UBE1=UBE2=0.7V,β1=β2=50,rbb’=300Ω,求静态工作点UCEQ

选项:

A、8.2V

B、8.6V

C、7.2V

D、7.6V

答案:【8.6V】16.单选题:

选项:

A、

B、

C、

D、

答案:【】17.单选题:

选项:

A、

B、

C、

D、

答案:【】18.单选题:

选项:

A、

B、0

C、

D、

答案:【】19.单选题:差分放大电路的共模抑制比KCMR为之比。

选项:

A、差模输入信号与共模输入信号

B、差模输出信号与共模输出信号

C、共模放大倍数与差模放大倍数的绝对值

D、差模放大倍数与共模放大倍数的绝对值

答案:【差模放大倍数与共模放大倍数的绝对值】20.单选题:集成运放采用直接耦合的原因是

选项:

A、便于设计

B、为了放大直流信号

C、为了放大交流信号

D、不易制作大容量的电容

答案:【不易制作大容量的电容】第八周:第6章反馈和负反馈放大电路第6章反馈和负反馈放大电路自测题1.单选题:判断电路反馈组态

选项:

A、电流串联负反馈

B、电流并联负反馈

C、电压串联负反馈

D、电压并联负反馈

答案:【电压串联负反馈】2.单选题:根据反馈信号的取样对象,反馈可分为_______反馈。

选项:

A、串联和并联

B、直流和交流

C、电压和电流

D、正和负

答案:【电压和电流】3.单选题:根据反馈信号的比较方式,反馈可分为_______反馈。

选项:

A、直流和交流

B、电压和电流

C、正和负

D、串联和并联

答案:【串联和并联】4.单选题:直流负反馈在电路中的主要作用是_______。

选项:

A、提高输入电阻

B、提高电路增益

C、降低输出电阻

D、稳定静态工作点

答案:【稳定静态工作点】5.单选题:若反馈信号正比于输出电流,该反馈为_______反馈。

选项:

A、并联

B、串联

C、电流

D、电压

答案:【电流】6.单选题:根据反馈信号的频率,反馈可分为_______反馈。

选项:

A、直流和交流

B、电压和电流

C、串联和并联

D、正和负

答案:【直流和交流】7.单选题:判断电路反馈组态

选项:

A、电流串联负反馈

B、电流并联负反馈

C、电压串联负反馈

D、电压并联负反馈

答案:【电流串联负反馈】8.单选题:判断电路反馈组态

选项:

A、电流串联负反馈

B、电流并联负反馈

C、电压串联负反馈

D、电压并联负反馈

答案:【电流并联负反馈】9.单选题:判断电路反馈组态

选项:

A、电流串联负反馈

B、电流并联负反馈

C、电压串联负反馈

D、电压并联负反馈

答案:【电压串联负反馈】10.单选题:判断电路反馈组态

选项:

A、电流串联负反馈

B、电流并联负反馈

C、电压串联负反馈

D、电压并联负反馈

答案:【电流串联负反馈】11.单选题:串联负反馈能够_________。

选项:

A、提高电路的输入电阻

B、降低电路的输入电阻

C、提高电路的输出电阻

D、降低电路的输出电阻

答案:【提高电路的输入电阻】12.单选题:

选项:

A、90和9

B、90和10

C、100和9

D、100和10

答案:【90和9】13.单选题:当电路的闭环增益为40dB时,基本放大电路的增益变化10%,电路的闭环增益相应变化1%,则此时电路的开环增益为dB。

选项:

A、30

B、40

C、50

D、60

答案:【60】14.单选题:负反馈放大器产生自激振荡的原因是。

选项:

A、电路的输入电压太高

B、电路的输出电压太高

C、闭环增益太大

D、环路增益太大

答案:【环路增益太大】第九周:第7章集成运算放大器组成的运算电路第7章集成运算放大器组成的运算电路自测题1.单选题:电压跟随器的,所以常用作缓冲器。

选项:

A、输入电阻很大、输出电阻很小

B、输入电阻很大、输出电阻很大

C、输入电阻很小、输入电阻很小

D、输入电阻很小、输出电阻很大

答案:【输入电阻很大、输出电阻很小】2.单选题:在图示电路中,设A为理想运放,那么,电路中存在如下关系,。

选项:

A、

B、

C、

D、

答案:【】3.单选题:

选项:

A、

B、

C、

D、

答案:【】4.单选题:

选项:

A、-12V

B、12V

C、-16V

D、16V

答案:【-12V】5.单选题:集成运放的增益越高,运放的线性区。

选项:

A、越大

B、越小

C、不变

D、无法判断

答案:【越小】6.单选题:为使运放的工作于线性区,通常。

选项:

A、引入深度负反馈

B、提高输入电阻

C、降低输入电阻

D、减小器件的增益

答案:【引入深度负反馈】7.单选题:反相比例运算电路中,电路引入了负反馈。

选项:

A、电流并联

B、电流串联

C、电压串联

D、电压并联

答案:【电压并联】8.单选题:电路如图所示,设运放是理想的。当输入电压uI=2V时,则输出电压uO=。

选项:

A、–4V

B、–5V

C、-7.5V

D、-10V

答案:【–5V】9.单选题:

选项:

A、反相比例

B、同相比例

C、同相加法运算

D、反相加法运算

答案:【反相加法运算】10.单选题:如果基本对数运算电路的输入电压在正常工作范围内增加到原来的10倍,那么它的输出电压将_________。

选项:

A、减小到原来的1/10

B、增加到原来的10倍

C、减小约26mV

D、减小约60mV

答案:【减小约60mV】11.单选题:电路如图所示,已知UI1=1V、UI2=2V、UI3=3V、UI4=4V(均为对地电压),R1=R2=2kΩ,R3=R4=RF=1kΩ求UO。

选项:

A、3.5

B、4.5

C、5.5

D、6.5

答案:【5.5】第十一周:第9章信号发生器第8章信号检测与处理电路自测题1.单选题:图示电路为比较器。

选项:

A、窗口

B、零电平电压

C、反相输入迟滞电压

D、同相输入迟滞电压

答案:【同相输入迟滞电压】2.单选题:

选项:

A、0V

B、5V

C、6V

D、10V

答案:【10V】3.单选题:由理想运放组成电路的电压传输特性如图所示,该电路为。

选项:

A、单门限比较器

B、迟滞比较器

C、窗口比较器

D、跟随器

答案:【单门限比较器】4.单选题:由理想运放组成电路的电压传输特性如图所示,该电路为。

选项:

A、单门限比较器

B、迟滞比较器

C、窗口比较器

D、跟随器

答案:【迟滞比较器】5.单选题:

选项:

A、

B、

C、

D、

答案:【】6.单选题:

选项:

A、低通

B、高通

C、带通

D、带阻

答案:【低通】7.单选题:与迟滞比较器相比,单门限比较器抗干扰力。

选项:

A、强

B、弱

C、两者一样

D、无法确定

答案:【弱】8.单选题:

选项:

A、反相输入单门限

B、同相输入单门限

C、反相输入迟滞

D、同相输入迟滞

答案:【反相输入单门限】9.单选题:由理想运放组成电路的电压传输特性如图所示,该电路为。

选项:

A、单门限比较器

B、迟滞比较器

C、窗口比较器

D、跟随器

答案:【窗口比较器】10.单选题:若希望在uI<2V时,uO为高电平,而在uI>2V时,uO为低电平,可采用比较器。

选项:

A、反相输入单门限

B、同相输入单门限

C、反向输入迟滞

D、同相输入迟滞

答案:【反相输入单门限】11.单选题:希望抑制50Hz的交流电源干扰,可选用滤波电路。

选项:

A、低通

B、高通

C、带通

D、带阻

答案:【带阻】12.单选题:在理想情况下,直流电压增益就是它的通带电压增益,该电路为滤波电路。

选项:

A、低通

B、高通

C、带通

D、带阻

答案:【低通】13.单选题:电路如图所示

选项:

A、

B、

C、

D、

答案:【】第十二周:第10章功率放大电路第9章信号发生器自测题1.单选题:电容三点式振荡器与电感三点式振荡器相比,输出的波形。

选项:

A、较好

B、较差

C、一样

D、随参数而定

答案:【较好】2.单选题:电路的振荡频率为。

选项:

A、

B、

C、

D、

答案:【】3.单选题:在正弦波振荡电路中,能产生振荡的相位条件是______。

选项:

A、φA+φF=nπ

B、φA+φF=(n+1)π

C、φA+φF=2nπ

D、φA+φF=(n+1/2)π

答案:【φA+φF=2nπ】4.单选题:电路如图所示,设运放是理想器件,R1=10kΩ,为使该电路能产生正弦波,则要求。

选项:

A、RF=10kΩ+4.7kΩ(可调)

B、RF=100kΩ+4.7kΩ(可调)

C、RF=18kΩ+4.7kΩ(可调)

D、RF=180kΩ+4.7kΩ(可调)

答案:【RF=18kΩ+4.7kΩ(可调)】5.单选题:在图示电路中,谐振回路由元件组成。

选项:

A、L1、C1

B、L1、C1、C3

C、L2、C2

D、L2、C2、C3

答案:【L1、C1】6.单选题:在正弦波振荡电路中,能产生振荡的条件是。

选项:

A、

B、

C、

D、

答案:【】7.单选题:振荡电路的振荡频率,通常是由决定的。

选项:

A、放大倍数

B、反馈系数

C、稳幅电路的参数

D、选频网络的参数

答案:【选频网络的参数】8.单选题:

选项:

A、

B、

C、

D、

答案:【】9.单选题:非正弦波发生器,一般由、反馈网络和等几部分组成。

选项:

A、放大电路、选频网络

B、放大电路、稳幅环节

C、开关器件、延迟环节

D、放大电路、延迟环节

答案:【开关器件、延迟环节】10.单选题:在方波—三角波振荡电路中,改变,可将三角波变为锯齿波.

选项:

A、积分电路,使充电和放电时间常数不等

B、反馈电压

C、方波幅值

D、放大电路

答案:【积分电路,使充电和放电时间常数不等】11.单选题:

选项:

A、

B、

C、

D、

答案:【】12.单选题:根据的元器件类型不同,将正弦波振荡器分为RC型、LC型和石英晶体振荡器。

选项:

A、放大电路

B、反馈网络

C、选频网络

D、稳幅电路

答案:【选频网络】13.单选题:若需要1MHz以下的正弦波信号,一般可用何种振荡电路?

选项:

A、RC型

B、LC型

C、石英晶体

D、无法判断

答案:【RC型】14.单选题:振荡电路的频率稳定度主要与振荡电路的有关。

选项:

A、反馈系数F

B、环路增益AF

C、放大倍数A

D、品质因数Q

答案:【品质因数Q】15.单选题:在RC型、LC型和晶体振荡器中,频率稳定度最高的是何种振荡电路?。

选项:

A、RC型

B、LC型

C、石英晶体

D、无法判断

答案:【石英晶体】第10章功率放大电路自测题1.单选题:乙类互补推挽功率放大电路中,流过功放管的最大电流为。

选项:

A、

B、

C、

D、

答案:【】2.单选题:乙类互补推挽功率放大电路的最大输出功率为。

选项:

A、

B、

C、

D、

答案:【】3.单选题:在乙类互补推挽功率放大电路中,电源提供的最大功率为。

选项:

A、

B、

C、

D、

答案:【】4.单选题:功率放大电路的转换效率是指_______。

选项:

A、输出功率与晶体管所消耗的功率之比

B、输出功率与电源提供的平均功率之比

C、晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比

D、晶体管所消耗的功率与输出功率的平均功率之比

答案:【输出功率与电源提供的平均功率之比】5.单选题:所谓能量转换效率是指。

选项:

A、电路的输出功率与输入功率之比

B、电路的输出功率与晶体管上消耗的功率之比

C、电路的输出功率与消耗的功率之比

D、输出功率与电源提供的功率之比

答案:【输出功率与电源提供的功率之比】6.单选题:乙类互补推挽功率放大电路的能量转换效率最高是。

选项:

A、50%

B、78.5%

C、85%

D、100%

答案:【78.5%】7.单选题:乙类互补推挽功率放大电路在输出电压幅值约等于时,管子的功耗最大。

选项:

A、0V

B、电源电压

C、0.5倍电源电压

D、0.64倍电源电压

答案:【0.64倍电源电压】8.单选题:在乙类互补推挽功率放大电路中,每只管子的最大管耗约为。

选项:

A、

B、

C、

D、

答案:【】9.单选题:乙类互补功放电路存在的主要问题是。

选项:

A、输出电阻太大

B、输出电阻太小

C、能量转换效率低

D、有交越失真

答案:【有交越失真】10.单选题:为了消除交越失真,应当使功率放大电路的功放管工作在_________状态。

选项:

A、甲类

B、乙类

C、甲乙类

D、都可以

答案:【甲乙类】11.单选题:在OCL乙类功放电路中,若最大输出功率为1W,则电路中功放管的集电极最大功耗约为_______。

选项:

A、1W

B、0.5W

C、0.2W

D、2W

答案:【0.2W】12.单选题:设计一个输出功率为20W的功放电路,若用乙类互补对称功率放大,则每只功放管的最大允许功耗PCM至小应有_________。

选项:

A、8W

B、6W

C、4W

D、2W

答案:【4W】13.单选题:乙类互补推挽功率放大电路中,若电源电压为VCC,放大管的饱和压降为UCES,那么放大管的最大管压降为。

选项:

A、VCC/2

B、VCC/2-Uces

C、2VCC

D、2VCC-Uces

答案:【2VCC-Uces】14.单选题:在图示功率放大电路中。二极管D1和D2的作用是_________。

选项:

A、增大输出功率

B、减小交越失真

C、减小三极管的穿透电流

D、增大三极管的穿透电流

答案:【减小交越失真】第十三周:第11章直流稳压电源第11章直流稳压电源自测题1.单选题:(2)电路输出电流的平均值为。

选项:

A、0.14A

B、0.1A

C、0.09A

D、0.07A

答案:【0.09A】2.单选题:(3)二极管承受的反向电压最大值。

选项:

A、14.14V

B、10V

C、9V

D、7.07V

答案:【14.14V】3.单选题:(4)若D1开路,则输出的平均值为。

选项:

A、14.14V

B、10V

C、9V

D、4.5V

答案:【4.5V】4.单选题:(1)电路输出电压的平均值约为。

选项:

A、7.07V

B、9V

C、10V

D、12V

答案:【12V】5.单选题:(1)电路输出电压的平均值为。

选项:

A、14.14V

B、10V

C、9V

D、7.07V

答案:【9V】6.单选题:电路如图所示,则输出电压Uo=。

选项:

A、15V

B、22.5V

C、30V

D、37.5V

答案:【22.5V】7.单选题:在图所示电路中,IQ=0。则该电路具有的特性。

选项:

A、电流源

B、电压源

C、分压器

D、分流器

答案:【电压源】8.单选题:电路如图所示,若IQ可以忽略,则电路具有的特性。

选项:

A、电压源

B、电流源

C、分压器

D、分流器

答案:【电流源】9.单选题:(2)流过每个二极管的平均电流约为。

选项:

A、0.45mA

B、0.5mA

C、0.6mA

D、1.2mA

答案:【0.6mA】10.单选题:串联型线性稳压电路中引入的反馈是负反馈。

选项:

A、电压串联

B、电压并联

C、电流串联

D、电流并联

答案:【电压串联】11.单选题:串联型线性稳压电路中的放大环节放大的对象是。

选项:

A、基准电压

B、取样电压

C、基准电压与取样电压之差

D、基准电压与取样电压之和

答案:【基准电压与取样电压之差】12.单选题:在串联型线性稳压电路中,若要求输出电压为18V,调整管压降为6V,整流电路采用电容滤波,则电源变压器次级电压有效值约为。

选项:

A、18V

B、20V

C、22V

D、24V

答案:【20V】期末考试《模拟电子技术基础》期末考试题1.单选题:电路的电源效率约为%。

选项:

A、82.5

B、78.5

C、72

D、65

答案:【65】2.单选题:复合管如图所示,T1、T2的电流放大系数分别为b1、b2,输入电阻分别为rbe1、rbe2。(该图用于题46-题47)复合管的电流放大系数b为。

选项:

A、b1b2

B、b1+b2

C、b1/b2

D、b2/b1

答案:【b1b2】3.单选题:当输入电压增加时,输出首先出现何种非线性失真?。

选项:

A、饱和

B、截止

C、饱和截止同时发生

D、无法判断

答案:【截止】4.单选题:电路的电压放大倍数为。

选项:

A、10

B、10.04

C、11

D、11.04

答案:【10】5.单选题:电路的输出功率约为W。

选项:

A、4.2

B、3.6

C、3

D、2.4

答案:【3】6.单选题:复合管的输入电阻为。

选项:

A、rbe1+rbe2

B、rbe1+(1+b1)rbe2

C、rbe1+(1+b2)rbe2

D、rbe1+(1+b1b2)rbe2

答案:【rbe1+(1+b1)rbe2】7.单选题:通常场效应管被称为控制型器件,表征管子放大能力的量是。

选项:

A、电压,跨导

B、电流,跨导

C、电压,电流放大倍数

D、电流,电流放大倍数

答案:【电压,跨导】8.单选题:某放大器要求其输出电流几乎不随负载电阻的变化而变化,应选用反馈;如希望提高输入电阻,应选用反馈。

选项:

A、电压负,串联负

B、电流负,并联负

C、电流负,串联负

D、电压负,并联负

答案:【电流负,串联负】9.单选题:在一个由NPN晶体管组成的固定偏置共射放大电路中,若当输入电压为正弦波时,输出电压波形下半部出现了失真。这种失真称为失真。这种失真的原因是。

选项:

A、饱和,Q低

B、饱和,Q高

C、截止,Q低

D、截止,Q高

答案:【饱和,Q高】10.单选题:在图所示电路中,已知集成运放A的输出电压最大幅度为±12V,当RW滑动端在最下端时uO=V;当RW滑动端在最上端时uO=V。

选项:

A、12,1

B、12,2

C、-12,1

D、-12,2

答案:【12,1】11.单选题:放大电路的非线性失真包括失真和失真。

选项:

A、幅值,相位

B、线性,非线性

C、饱和,截止

D、正向,反向

答案:【饱和,截止】12.单选题:已知放大电路输入信号电压为1mV,输出电压为1V,加入负反馈后,为达到同样的输出电压时,需要的输入信号为10mV,该电路的反馈深度为,反馈系数为。

选项:

A、10,0.09

B、10,0.009

C、100,0.09

D、100,0.009

答案:【10,0.009】13.单选题:维持正弦波振荡的幅度条件是,相位条件是。

选项:

A、AF=1,jA+jF=2np+p

B、AF=1,jA+jF=2np

C、AF=1,jA+jF=2np+p/2

D、AF>1,jA+jF=2np+p

答案:【AF=1,jA+jF=2np】14.单选题:甲类放大电路放大管的导通角等于,乙类放大电路放大管的导通角等于。

选项:

A、360°,360°

B、360°,180°

C、180°,360°

D、180°,180°

答案:【360°,180°】15.单选题:电路的电压放大倍数Au约为。

选项:

A、-200

B、-167

C、-101

D、-67

答案:【-101】16.单选题:电路的下限截止频率约为Hz。

选项:

A、2

B、6

C、11

D、16

答案:【16】17.单选题:电路的上限截止频率约为Hz。

选项:

A、50k

B、25k

C、12.5k

D、5k

答案:【50k】18.单选题:电路最大的不失真输出电压幅值Uom约为V。

选项:

A、0.7

B、3.76

C、4.48

D、12

答案:【3.76】19.单选题:电路如图所示,图中,晶体管T的β=50,rbb'C=300Ω,UBE=0.7V,结电容可以忽略。RB=300kΩ,RC=4kΩ,RL=4kΩ,C1=C2=10μF,VCC=12V,CL=1600pF。(该图用于题31-题39)电路的ICQ等于mA。

选项:

A、3

B、2.825

C、2

D、1.88

答案:【1.88】20.单选题:UCEQ约等于V。

选项:

A、0

B、0.7

C、4

D、4.48

答案:【4.48】21.单选题:电路的输入电阻约为Ω。

选项:

A、500

B、990

C、1490

D、300k

答案:【990】22.单选题:电路的输出电阻约为Ω。

选项:

A、2k

B、4k

C、8k

D、16k

答案:【2k】23.单选题:集成运放输入级采用差分放大电路的主要目的是为了。

选项:

A、稳定放大倍数

B、提高输入电阻

C、克服温漂

D、扩展频带

答案:【克服温漂】24.单选题:差分放大电路如图所示,则电路的差模电压放大倍数Aud=。

选项:

A、

B、

C、

D、

答案:【】25.单选题:为了稳定放大电路的输出电流,并提高输入电阻,应采用的负反馈类型为。

选项:

A、电压并联负反馈

B、电压串联负反馈

C、电流并联负反馈

D、电流串联负反馈

答案:【电流串联负反馈】26.单选题:在图所示电路中uI2>0、模拟乘法器(K>0)及运算放大器均为理想器件。该电路实现运算功能。

选项:

A、乘法

B、除法

C、加法

D、减法

答案:【除法】27.单选题:共集电极放大电路的主要特点是。

选项:

A、输入电阻高,输出电阻高

B、输入电阻高,输出电阻低

C、输入电阻低,输出电阻低

D、输入电阻低,输出电阻高

答案:【输入电阻高,输出电阻低】28.单选题:晶体管的参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的,ICBO,UBE的变化情况为。

选项:

A、,ICBO增加,UBE减小

B、增加,ICBO,UBE减

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