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文档简介
第二周:第2章半导体晶体管及放大电路基础(一)第1章半导体二极管及其应用自测题1.单选题:电路如图所示。其中限流电阻R=2kΩ,硅稳压管DZ1、DZ2的稳定电压UZ1、UZ2分别为6V和8V,正向压降为0.7V,动态电阻可以忽略。试求a,b,c,d各电路输出端A、B两端之间电压UAB的值。
选项:
A、14V,6V,6.7V,0.7V
B、14V,6V,0.7V,6.7V
C、14.7V,6V,0.7V,6.7V
D、14.7V,6V,6.7V,0.7V
答案:【14V,6V,6.7V,0.7V】2.单选题:设图所示各电路中的二极管性能均为理想。试判断各电路中的二极管D或D1是导通还是截止。
选项:
A、截止,导通,导通,截止
B、导通,导通,截止,截止
C、导通,截止,截止,导通
D、截止,截止,导通,导通
答案:【截止,导通,导通,截止】3.单选题:在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于。
选项:
A、材料
B、温度
C、压力
D、掺杂浓度
答案:【掺杂浓度】4.单选题:在掺杂半导体中,少子的浓度受的影响很大。
选项:
A、温度
B、掺杂工艺
C、掺杂浓度
D、压力
答案:【温度】5.单选题:在掺杂半导体中,多子的浓度越高,少子的浓度。
选项:
A、越高
B、越低
C、不变
D、无法判断
答案:【越低】6.单选题:温度升高,N型半导体的电阻率。
选项:
A、将增大
B、将减小
C、不变
D、无法判断
答案:【将增大】7.单选题:本征半导体中的自由电子浓度与空穴浓度的关系是
选项:
A、大于
B、小于
C、等于
D、无关
答案:【等于】8.单选题:已知二极管的静态工作点UD和ID,则其动态电阻为。
选项:
A、
B、
C、
D、
答案:【】9.单选题:某硅二极管在正向电压时,正向电流。若增大到0.66V,则电流约为。
选项:
A、11mA
B、20mA
C、500mA
D、100mA
答案:【100mA】10.单选题:当环境温度升高时,二极管的正向电压将,反向饱和电流将。
选项:
A、增大,减小
B、增大,增大
C、减小,增大
D、减小,减小
答案:【减小,增大】11.单选题:当PN结正向偏置时,耗尽层。当PN结反向偏置时,耗尽层。
选项:
A、变宽,变窄
B、变宽,变宽
C、变窄,变窄
D、变窄,变宽
答案:【变窄,变宽】12.单选题:普通二极管的正向电压降温度系数。
选项:
A、为正
B、为负
C、为零
D、无法判断
答案:【为负】13.单选题:确保二极管安全工作的两个主要参数分别是和。
选项:
A、UD,IF
B、IF,IS
C、UD,UR
D、IF,UR
答案:【IF,UR】14.单选题:二极管的反偏电压升高,其结电容。
选项:
A、增大
B、减小
C、不变
D、无法判断
答案:【减小】15.单选题:二极管的伏安特性表示式为。
选项:
A、
B、
C、
D、
答案:【】第三周:第2章半导体晶体管及放大电路基础(二)第2章半导体晶体管及放大电路基础自测题(1)1.单选题:对于电流放大器来说,则希望输入电阻越好,输出电阻越好。
选项:
A、越小,越大
B、越大,越小
C、越小,越小
D、越大,越大
答案:【越小,越大】2.单选题:晶体管电路如图所示,已知各晶体管的=50。试分析电路中晶体管的工作状态。
选项:
A、放大
B、饱和
C、截止
D、倒置
答案:【饱和】3.单选题:晶体管电路如图所示,已知各晶体管的=50。试分析电路中晶体管的工作状态。
选项:
A、放大
B、饱和
C、截止
D、倒置
答案:【截止】4.单选题:晶体管电路如图所示,已知各晶体管的=50。试分析电路中晶体管的工作状态。
选项:
A、放大
B、饱和
C、倒置
D、截止
答案:【放大】5.单选题:已知图示放大电路中的W,W,,晶体管的。若晶体管的。该晶体管处于何种状态?_______。
选项:
A、(a)放大状态
B、(b)饱和状态
C、(c)截止状态
D、(d)无法判断
答案:【(a)放大状态】6.单选题:若三级放大电路的,,则电路的放大倍数为。
选项:
A、(a)80
B、(b)800
C、(c)1000
D、(d)10000
答案:【(d)10000】7.单选题:有两个性能完全相同的放大器,其开路电压增益为20dB,W,W。现将两个放大器级联构成两级放大器,则开路电压增益为______。
选项:
A、(a)40dB
B、(b)32dB
C、(c)16dB
D、(d)10dB
答案:【(b)32dB】8.单选题:某放大电路在负载开路时的输出电压为10V,接入5k负载后输出电压降为3V,则此电路的输出电阻为。
选项:
A、50/6k
B、50/3k
C、25k
D、12.5k
答案:【50/3k】9.单选题:测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.66mA和3.6mA。则该管的b为。
选项:
A、40
B、50
C、60
D、100
答案:【60】10.单选题:温度升高,晶体管的电流放大系数b。
选项:
A、无法判断
B、不变
C、减小
D、增大
答案:【增大】11.单选题:温度升高,晶体管输入特性曲线。
选项:
A、右移
B、左移
C、不变
D、无法判断
答案:【左移】12.单选题:当晶体管的集电极电流时,下列说法正确的是。
选项:
A、晶体管一定被烧毁
B、晶体管的
C、晶体管的b一定减小
D、晶体管一定处于饱和状态
答案:【晶体管的b一定减小】13.单选题:晶体管能够放大的外部条件是。
选项:
A、发射结正偏,集电结正偏
B、发射结反偏,集电结反偏
C、发射结正偏,集电结反偏
D、发射结反偏,集电结正偏
答案:【发射结正偏,集电结反偏】14.单选题:17.NPN型晶体管工作在放大状态时,其发射结电压与电极电流的关系为。
选项:
A、(a)
B、(b)
C、(c)
D、(d)
答案:【(d)】15.单选题:引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是_______。
选项:
A、(a)晶体管的电流放大系数太大
B、(b)电源电压太高
C、(c)电压放大倍数太高
D、(d)晶体管参数随环境温度的变化而变化
答案:【(d)晶体管参数随环境温度的变化而变化】16.单选题:在放大电路中,直流负反馈可以________。
选项:
A、(a)提高晶体管电流放大倍数的稳定性
B、(b)提高放大电路的放大倍数
C、(c)提高放大电路的输入电阻
D、(d)稳定电路的静态工作点
答案:【(d)稳定电路的静态工作点】17.单选题:已知图示放大电路中的W,W,,晶体管的,。那么,该晶体管处于何种状态?。
选项:
A、(a)放大状态
B、(b)饱和状态
C、(c)截止状态
D、(d)无法判断
答案:【(b)饱和状态】18.单选题:测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、-2.2V,则该管。
选项:
A、处于饱和状态
B、放大状态
C、截止状态
D、已损坏
答案:【已损坏】19.单选题:对于电压放大器来说,越小,电路带负载的能力越强。
选项:
A、输入电阻
B、输出电阻
C、电压放大倍数
D、输入电压
答案:【输出电阻】20.单选题:在由NPN型晶体管组成的基本共射放大电路中,若输入电压为正弦波,输出波形的底部被削平,则这种失真是失真。
选项:
A、幅度
B、相位
C、截止
D、饱和
答案:【饱和】21.单选题:一放大电路如图所示,当逐渐增大输入电压的幅度时,输出电压的波形首先出现了底部被削平的情况,为了消除这种失真,应。
选项:
A、减小
B、增大
C、减小
D、减小
答案:【减小】第五周:第3章场效应晶体管及其放大电路(一)第2章半导体晶体管及放大电路基础自测题(2)1.单选题:已知某放大电路由放大倍数完全相同的两个单级放大电路组成,那么,在组成它的单级放大电路的截止频率处,电路的放大倍数下降了_______。
选项:
A、3dB
B、6dB
C、8dB
D、10dB
答案:【6dB】2.单选题:晶体管的共射截止频率、共基截止频率及特征频率三者之间的大小关系是_________。
选项:
A、
B、
C、
D、
答案:【】3.单选题:已知某晶体管的,。当其工作频率为时,。
选项:
A、50MHz
B、30MHz
C、10MHz
D、3MHz
答案:【3MHz】4.单选题:两级放大电路中,已知,;,。则:放大电路的下限截止频率,放大电路的上限截止频率。
选项:
A、45Hz,30kHz
B、55Hz,30kHz
C、45Hz,24kHz
D、55Hz,24kHz
答案:【55Hz,24kHz】5.单选题:在放大电路幅频响应(波特图)曲线中,在上限截止频率和下限截止频率频率点处,电压增益比中频区增益下降了3dB,亦即在该频率点处的输出电压是中频区输出电压的_______倍。
选项:
A、
B、
C、
D、
答案:【】6.单选题:有一共基极放大电路如图所示。其中VCC=24V、RB1=90kΩ、RB2=48kΩ、RC=RE=2.4kΩ、负载电阻RL=2.2kΩ,电容器C1、C2、C3的电容量均足够大。晶体管T为3DG4A型硅管,其rbb'=80Ω、β=20。计算放大倍数Au
选项:
A、61.7
B、38.9
C、50
D、55
答案:【61.7】7.单选题:一放大电路如图所示,其中和为负载电阻和负载电容。当增大的容量时,该放大电路的;
选项:
A、提高
B、减小
C、不变
D、无法判断
答案:【减小】8.单选题:当的容量减小时,该电路的。
选项:
A、提高
B、减小
C、不变
D、无法判断
答案:【提高】9.单选题:某共射极放大电路如图所示,已知晶体管的rbb=100Ω,rb’e=900Ω,gm=0.04S,三极管的结电容等效输入电容Ci=500pF,等效输出电容C0忽略不计。计算中频电压放大倍数Ausm
选项:
A、36
B、-36
C、24
D、-24
答案:【-36】10.单选题:有一共基极放大电路如图所示。其中VCC=24V、RB1=90kΩ、RB2=48kΩ、RC=RE=2.4kΩ、负载电阻RL=2.2kΩ,电容器C1、C2、C3的电容量均足够大。晶体管T为3DG4A型硅管,其rbb'=80Ω、β=20。试估算静态工作点UCEQ值
选项:
A、10
B、15
C、20
D、25
答案:【15】第六周:第3章场效应晶体管及其放大电路(二)第3章场效应晶体管及其放大电路自测题1.单选题:当场效应管工作于放大区时,耗尽型场效应管iD的数学表达式为:。
选项:
A、
B、
C、
D、
答案:【】2.单选题:与双极型晶体管比较,场效应管。
选项:
A、输入电阻小
B、输出电阻小
C、放大能力强
D、放大能力弱
答案:【放大能力弱】3.单选题:N沟道增强型MOSFET工作于放大工作状态时,要求UGSQ>______,UDSQ>______。
选项:
A、UGS(th),UGSQ-UGS(th)
B、UDSQ,UGSQ+UGS(th)
C、UGS(th),UGSQ
D、UGS(th),UGSQ+UGS(th)
答案:【UGS(th),UGSQ-UGS(th)】4.单选题:
选项:
A、
B、0
C、
D、
答案:【0】5.单选题:当场效应管的漏极电流IDQ从1mA变为2mA时,它的低频跨导。
选项:
A、增大
B、减小
C、不变
D、无法判断
答案:【增大】6.单选题:当ugs=0时,不能够工作在恒流区的是。
选项:
A、结型场效应管
B、增强型MOS管
C、耗尽型MOS管
D、无法判断
答案:【增强型MOS管】7.单选题:由N沟道耗尽型场效应管组成的共漏极电路如图所示。设UGSQ=-0.2V,gm=1.2ma/V,C1、C2的电容量足够大。试求电路的电压放大倍数Au
选项:
A、0.86
B、3.5
C、0.42
D、10
答案:【0.86】8.单选题:图示电路中,已知场效应管的UGS(off)=-5V,uGS=-3V,uDS=1V,管子工作在哪个区?
选项:
A、截止区
B、放大区
C、可变电阻区
D、损坏
答案:【可变电阻区】9.单选题:图示电路中,已知场效应管的UGS(off)=-5V,uGS=-3V,uDS=4V,管子工作在哪个区?
选项:
A、截止区
B、放大区
C、可变电阻区
D、损坏
答案:【放大区】10.单选题:一N型沟道增强型MOS场效应管放大电路如图所示。在线性放大条件下:
选项:
A、
B、
C、
D、
答案:【】11.单选题:反映场效应管放大能力的一个重要参数是。
选项:
A、输出电阻
B、击穿电压
C、跨导
D、输入电阻
答案:【跨导】12.单选题:图示电路中,已知场效应管的UGS(off)=-5V,uGS=-8V,uDS=4V,管子工作在哪个区?
选项:
A、截止区
B、放大区
C、可变电阻区
D、损坏
答案:【截止区】13.单选题:由N沟道耗尽型场效应管组成的共漏极电路如图所示。设UGSQ=-0.2V,gm=1.2ma/V,C1、C2的电容量足够大。试求电路的静态工作点UDSQ
选项:
A、15.8V
B、15.2V
C、14.8V
D、14.2V
答案:【15.8V】第七周:第4章集成运算放大器、第5章频率特性第4章集成运算放大器自测题1.单选题:电路如图所示,已知T1、T2均为硅管,UBE1=UBE2=0.7V,β1=β2=50,rbb’=300Ω,求差模电压放大倍数Aud
选项:
A、-72.35
B、-65
C、-81
D、-89.55
答案:【-72.35】2.单选题:某差分放大电路如图所示。设晶体管T1和T2的rbb’=300Ω,UBE=0.7V,β=50,VCC=VEE=12V,RB=1kΩ,RC=RL=RE=5kΩ,试估算晶体管静态工作点UCEQ
选项:
A、5
B、7.5
C、10
D、12.5
答案:【7.5】3.单选题:某差分放大电路如图所示。设晶体管T1和T2的rbb’=300Ω,UBE=0.7V,β=50,VCC=VEE=12V,RB=1kΩ,RC=RL=RE=5kΩ,试估算差模电压放大倍数Aud
选项:
A、-25
B、-33.3
C、-50
D、-66.7
答案:【-33.3】4.单选题:差分放大电路由双端输出变为单端输出,则共模电压增益。
选项:
A、增大
B、减小
C、不变
D、无法判断
答案:【增大】5.单选题:差分放大电路由双端输入变为单端输入,则差模电压增益。
选项:
A、增加一倍
B、为双端输入时的1/2
C、不变
D、无法判断
答案:【不变】6.单选题:差分放大电路如图所示。
选项:
A、
B、
C、
D、
答案:【】7.单选题:
选项:
A、
B、
C、
D、0
答案:【0】8.单选题:直接耦合放大电路产生零点漂移的主要原因是。
选项:
A、电源电压的波动
B、电路的电压放大倍数太大
C、晶体管参数的分散性
D、晶体管参数受温度影响变化较大
答案:【晶体管参数受温度影响变化较大】9.单选题:集成运放的输出级采用互补推挽电路是为了。
选项:
A、提高电压放大倍数
B、提高输出电阻
C、提高带负载能力
D、提高输出电压
答案:【提高带负载能力】10.单选题:共摸抑制比KCMR越大,表明电路的。
选项:
A、放大倍数越稳定
B、交流放大倍数越大
C、抑制零漂的能力越强
D、输出电阻越小
答案:【抑制零漂的能力越强】11.单选题:差分放大电路由双端输出变为单端输出,则差模电压增益。
选项:
A、增大
B、减小
C、不变
D、无法判断
答案:【减小】12.单选题:
选项:
A、提高差模电压放大倍数
B、提高共模电压放大倍数
C、提高输入电阻
D、提高共模抑制比
答案:【提高共模抑制比】13.单选题:差分放大电路由双端输出改为单端输出,其共模抑制比KCMR减小的原因是。
选项:
A、
B、
C、
D、
答案:【】14.单选题:
选项:
A、
B、
C、
D、
答案:【】15.单选题:电路如图所示,已知T1、T2均为硅管,UBE1=UBE2=0.7V,β1=β2=50,rbb’=300Ω,求静态工作点UCEQ
选项:
A、8.2V
B、8.6V
C、7.2V
D、7.6V
答案:【8.6V】16.单选题:
选项:
A、
B、
C、
D、
答案:【】17.单选题:
选项:
A、
B、
C、
D、
答案:【】18.单选题:
选项:
A、
B、0
C、
D、
答案:【】19.单选题:差分放大电路的共模抑制比KCMR为之比。
选项:
A、差模输入信号与共模输入信号
B、差模输出信号与共模输出信号
C、共模放大倍数与差模放大倍数的绝对值
D、差模放大倍数与共模放大倍数的绝对值
答案:【差模放大倍数与共模放大倍数的绝对值】20.单选题:集成运放采用直接耦合的原因是
选项:
A、便于设计
B、为了放大直流信号
C、为了放大交流信号
D、不易制作大容量的电容
答案:【不易制作大容量的电容】第八周:第6章反馈和负反馈放大电路第6章反馈和负反馈放大电路自测题1.单选题:判断电路反馈组态
选项:
A、电流串联负反馈
B、电流并联负反馈
C、电压串联负反馈
D、电压并联负反馈
答案:【电压串联负反馈】2.单选题:根据反馈信号的取样对象,反馈可分为_______反馈。
选项:
A、串联和并联
B、直流和交流
C、电压和电流
D、正和负
答案:【电压和电流】3.单选题:根据反馈信号的比较方式,反馈可分为_______反馈。
选项:
A、直流和交流
B、电压和电流
C、正和负
D、串联和并联
答案:【串联和并联】4.单选题:直流负反馈在电路中的主要作用是_______。
选项:
A、提高输入电阻
B、提高电路增益
C、降低输出电阻
D、稳定静态工作点
答案:【稳定静态工作点】5.单选题:若反馈信号正比于输出电流,该反馈为_______反馈。
选项:
A、并联
B、串联
C、电流
D、电压
答案:【电流】6.单选题:根据反馈信号的频率,反馈可分为_______反馈。
选项:
A、直流和交流
B、电压和电流
C、串联和并联
D、正和负
答案:【直流和交流】7.单选题:判断电路反馈组态
选项:
A、电流串联负反馈
B、电流并联负反馈
C、电压串联负反馈
D、电压并联负反馈
答案:【电流串联负反馈】8.单选题:判断电路反馈组态
选项:
A、电流串联负反馈
B、电流并联负反馈
C、电压串联负反馈
D、电压并联负反馈
答案:【电流并联负反馈】9.单选题:判断电路反馈组态
选项:
A、电流串联负反馈
B、电流并联负反馈
C、电压串联负反馈
D、电压并联负反馈
答案:【电压串联负反馈】10.单选题:判断电路反馈组态
选项:
A、电流串联负反馈
B、电流并联负反馈
C、电压串联负反馈
D、电压并联负反馈
答案:【电流串联负反馈】11.单选题:串联负反馈能够_________。
选项:
A、提高电路的输入电阻
B、降低电路的输入电阻
C、提高电路的输出电阻
D、降低电路的输出电阻
答案:【提高电路的输入电阻】12.单选题:
选项:
A、90和9
B、90和10
C、100和9
D、100和10
答案:【90和9】13.单选题:当电路的闭环增益为40dB时,基本放大电路的增益变化10%,电路的闭环增益相应变化1%,则此时电路的开环增益为dB。
选项:
A、30
B、40
C、50
D、60
答案:【60】14.单选题:负反馈放大器产生自激振荡的原因是。
选项:
A、电路的输入电压太高
B、电路的输出电压太高
C、闭环增益太大
D、环路增益太大
答案:【环路增益太大】第九周:第7章集成运算放大器组成的运算电路第7章集成运算放大器组成的运算电路自测题1.单选题:电压跟随器的,所以常用作缓冲器。
选项:
A、输入电阻很大、输出电阻很小
B、输入电阻很大、输出电阻很大
C、输入电阻很小、输入电阻很小
D、输入电阻很小、输出电阻很大
答案:【输入电阻很大、输出电阻很小】2.单选题:在图示电路中,设A为理想运放,那么,电路中存在如下关系,。
选项:
A、
B、
C、
D、
答案:【】3.单选题:
选项:
A、
B、
C、
D、
答案:【】4.单选题:
选项:
A、-12V
B、12V
C、-16V
D、16V
答案:【-12V】5.单选题:集成运放的增益越高,运放的线性区。
选项:
A、越大
B、越小
C、不变
D、无法判断
答案:【越小】6.单选题:为使运放的工作于线性区,通常。
选项:
A、引入深度负反馈
B、提高输入电阻
C、降低输入电阻
D、减小器件的增益
答案:【引入深度负反馈】7.单选题:反相比例运算电路中,电路引入了负反馈。
选项:
A、电流并联
B、电流串联
C、电压串联
D、电压并联
答案:【电压并联】8.单选题:电路如图所示,设运放是理想的。当输入电压uI=2V时,则输出电压uO=。
选项:
A、–4V
B、–5V
C、-7.5V
D、-10V
答案:【–5V】9.单选题:
选项:
A、反相比例
B、同相比例
C、同相加法运算
D、反相加法运算
答案:【反相加法运算】10.单选题:如果基本对数运算电路的输入电压在正常工作范围内增加到原来的10倍,那么它的输出电压将_________。
选项:
A、减小到原来的1/10
B、增加到原来的10倍
C、减小约26mV
D、减小约60mV
答案:【减小约60mV】11.单选题:电路如图所示,已知UI1=1V、UI2=2V、UI3=3V、UI4=4V(均为对地电压),R1=R2=2kΩ,R3=R4=RF=1kΩ求UO。
选项:
A、3.5
B、4.5
C、5.5
D、6.5
答案:【5.5】第十一周:第9章信号发生器第8章信号检测与处理电路自测题1.单选题:图示电路为比较器。
选项:
A、窗口
B、零电平电压
C、反相输入迟滞电压
D、同相输入迟滞电压
答案:【同相输入迟滞电压】2.单选题:
选项:
A、0V
B、5V
C、6V
D、10V
答案:【10V】3.单选题:由理想运放组成电路的电压传输特性如图所示,该电路为。
选项:
A、单门限比较器
B、迟滞比较器
C、窗口比较器
D、跟随器
答案:【单门限比较器】4.单选题:由理想运放组成电路的电压传输特性如图所示,该电路为。
选项:
A、单门限比较器
B、迟滞比较器
C、窗口比较器
D、跟随器
答案:【迟滞比较器】5.单选题:
选项:
A、
B、
C、
D、
答案:【】6.单选题:
选项:
A、低通
B、高通
C、带通
D、带阻
答案:【低通】7.单选题:与迟滞比较器相比,单门限比较器抗干扰力。
选项:
A、强
B、弱
C、两者一样
D、无法确定
答案:【弱】8.单选题:
选项:
A、反相输入单门限
B、同相输入单门限
C、反相输入迟滞
D、同相输入迟滞
答案:【反相输入单门限】9.单选题:由理想运放组成电路的电压传输特性如图所示,该电路为。
选项:
A、单门限比较器
B、迟滞比较器
C、窗口比较器
D、跟随器
答案:【窗口比较器】10.单选题:若希望在uI<2V时,uO为高电平,而在uI>2V时,uO为低电平,可采用比较器。
选项:
A、反相输入单门限
B、同相输入单门限
C、反向输入迟滞
D、同相输入迟滞
答案:【反相输入单门限】11.单选题:希望抑制50Hz的交流电源干扰,可选用滤波电路。
选项:
A、低通
B、高通
C、带通
D、带阻
答案:【带阻】12.单选题:在理想情况下,直流电压增益就是它的通带电压增益,该电路为滤波电路。
选项:
A、低通
B、高通
C、带通
D、带阻
答案:【低通】13.单选题:电路如图所示
选项:
A、
B、
C、
D、
答案:【】第十二周:第10章功率放大电路第9章信号发生器自测题1.单选题:电容三点式振荡器与电感三点式振荡器相比,输出的波形。
选项:
A、较好
B、较差
C、一样
D、随参数而定
答案:【较好】2.单选题:电路的振荡频率为。
选项:
A、
B、
C、
D、
答案:【】3.单选题:在正弦波振荡电路中,能产生振荡的相位条件是______。
选项:
A、φA+φF=nπ
B、φA+φF=(n+1)π
C、φA+φF=2nπ
D、φA+φF=(n+1/2)π
答案:【φA+φF=2nπ】4.单选题:电路如图所示,设运放是理想器件,R1=10kΩ,为使该电路能产生正弦波,则要求。
选项:
A、RF=10kΩ+4.7kΩ(可调)
B、RF=100kΩ+4.7kΩ(可调)
C、RF=18kΩ+4.7kΩ(可调)
D、RF=180kΩ+4.7kΩ(可调)
答案:【RF=18kΩ+4.7kΩ(可调)】5.单选题:在图示电路中,谐振回路由元件组成。
选项:
A、L1、C1
B、L1、C1、C3
C、L2、C2
D、L2、C2、C3
答案:【L1、C1】6.单选题:在正弦波振荡电路中,能产生振荡的条件是。
选项:
A、
B、
C、
D、
答案:【】7.单选题:振荡电路的振荡频率,通常是由决定的。
选项:
A、放大倍数
B、反馈系数
C、稳幅电路的参数
D、选频网络的参数
答案:【选频网络的参数】8.单选题:
选项:
A、
B、
C、
D、
答案:【】9.单选题:非正弦波发生器,一般由、反馈网络和等几部分组成。
选项:
A、放大电路、选频网络
B、放大电路、稳幅环节
C、开关器件、延迟环节
D、放大电路、延迟环节
答案:【开关器件、延迟环节】10.单选题:在方波—三角波振荡电路中,改变,可将三角波变为锯齿波.
选项:
A、积分电路,使充电和放电时间常数不等
B、反馈电压
C、方波幅值
D、放大电路
答案:【积分电路,使充电和放电时间常数不等】11.单选题:
选项:
A、
B、
C、
D、
答案:【】12.单选题:根据的元器件类型不同,将正弦波振荡器分为RC型、LC型和石英晶体振荡器。
选项:
A、放大电路
B、反馈网络
C、选频网络
D、稳幅电路
答案:【选频网络】13.单选题:若需要1MHz以下的正弦波信号,一般可用何种振荡电路?
选项:
A、RC型
B、LC型
C、石英晶体
D、无法判断
答案:【RC型】14.单选题:振荡电路的频率稳定度主要与振荡电路的有关。
选项:
A、反馈系数F
B、环路增益AF
C、放大倍数A
D、品质因数Q
答案:【品质因数Q】15.单选题:在RC型、LC型和晶体振荡器中,频率稳定度最高的是何种振荡电路?。
选项:
A、RC型
B、LC型
C、石英晶体
D、无法判断
答案:【石英晶体】第10章功率放大电路自测题1.单选题:乙类互补推挽功率放大电路中,流过功放管的最大电流为。
选项:
A、
B、
C、
D、
答案:【】2.单选题:乙类互补推挽功率放大电路的最大输出功率为。
选项:
A、
B、
C、
D、
答案:【】3.单选题:在乙类互补推挽功率放大电路中,电源提供的最大功率为。
选项:
A、
B、
C、
D、
答案:【】4.单选题:功率放大电路的转换效率是指_______。
选项:
A、输出功率与晶体管所消耗的功率之比
B、输出功率与电源提供的平均功率之比
C、晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比
D、晶体管所消耗的功率与输出功率的平均功率之比
答案:【输出功率与电源提供的平均功率之比】5.单选题:所谓能量转换效率是指。
选项:
A、电路的输出功率与输入功率之比
B、电路的输出功率与晶体管上消耗的功率之比
C、电路的输出功率与消耗的功率之比
D、输出功率与电源提供的功率之比
答案:【输出功率与电源提供的功率之比】6.单选题:乙类互补推挽功率放大电路的能量转换效率最高是。
选项:
A、50%
B、78.5%
C、85%
D、100%
答案:【78.5%】7.单选题:乙类互补推挽功率放大电路在输出电压幅值约等于时,管子的功耗最大。
选项:
A、0V
B、电源电压
C、0.5倍电源电压
D、0.64倍电源电压
答案:【0.64倍电源电压】8.单选题:在乙类互补推挽功率放大电路中,每只管子的最大管耗约为。
选项:
A、
B、
C、
D、
答案:【】9.单选题:乙类互补功放电路存在的主要问题是。
选项:
A、输出电阻太大
B、输出电阻太小
C、能量转换效率低
D、有交越失真
答案:【有交越失真】10.单选题:为了消除交越失真,应当使功率放大电路的功放管工作在_________状态。
选项:
A、甲类
B、乙类
C、甲乙类
D、都可以
答案:【甲乙类】11.单选题:在OCL乙类功放电路中,若最大输出功率为1W,则电路中功放管的集电极最大功耗约为_______。
选项:
A、1W
B、0.5W
C、0.2W
D、2W
答案:【0.2W】12.单选题:设计一个输出功率为20W的功放电路,若用乙类互补对称功率放大,则每只功放管的最大允许功耗PCM至小应有_________。
选项:
A、8W
B、6W
C、4W
D、2W
答案:【4W】13.单选题:乙类互补推挽功率放大电路中,若电源电压为VCC,放大管的饱和压降为UCES,那么放大管的最大管压降为。
选项:
A、VCC/2
B、VCC/2-Uces
C、2VCC
D、2VCC-Uces
答案:【2VCC-Uces】14.单选题:在图示功率放大电路中。二极管D1和D2的作用是_________。
选项:
A、增大输出功率
B、减小交越失真
C、减小三极管的穿透电流
D、增大三极管的穿透电流
答案:【减小交越失真】第十三周:第11章直流稳压电源第11章直流稳压电源自测题1.单选题:(2)电路输出电流的平均值为。
选项:
A、0.14A
B、0.1A
C、0.09A
D、0.07A
答案:【0.09A】2.单选题:(3)二极管承受的反向电压最大值。
选项:
A、14.14V
B、10V
C、9V
D、7.07V
答案:【14.14V】3.单选题:(4)若D1开路,则输出的平均值为。
选项:
A、14.14V
B、10V
C、9V
D、4.5V
答案:【4.5V】4.单选题:(1)电路输出电压的平均值约为。
选项:
A、7.07V
B、9V
C、10V
D、12V
答案:【12V】5.单选题:(1)电路输出电压的平均值为。
选项:
A、14.14V
B、10V
C、9V
D、7.07V
答案:【9V】6.单选题:电路如图所示,则输出电压Uo=。
选项:
A、15V
B、22.5V
C、30V
D、37.5V
答案:【22.5V】7.单选题:在图所示电路中,IQ=0。则该电路具有的特性。
选项:
A、电流源
B、电压源
C、分压器
D、分流器
答案:【电压源】8.单选题:电路如图所示,若IQ可以忽略,则电路具有的特性。
选项:
A、电压源
B、电流源
C、分压器
D、分流器
答案:【电流源】9.单选题:(2)流过每个二极管的平均电流约为。
选项:
A、0.45mA
B、0.5mA
C、0.6mA
D、1.2mA
答案:【0.6mA】10.单选题:串联型线性稳压电路中引入的反馈是负反馈。
选项:
A、电压串联
B、电压并联
C、电流串联
D、电流并联
答案:【电压串联】11.单选题:串联型线性稳压电路中的放大环节放大的对象是。
选项:
A、基准电压
B、取样电压
C、基准电压与取样电压之差
D、基准电压与取样电压之和
答案:【基准电压与取样电压之差】12.单选题:在串联型线性稳压电路中,若要求输出电压为18V,调整管压降为6V,整流电路采用电容滤波,则电源变压器次级电压有效值约为。
选项:
A、18V
B、20V
C、22V
D、24V
答案:【20V】期末考试《模拟电子技术基础》期末考试题1.单选题:电路的电源效率约为%。
选项:
A、82.5
B、78.5
C、72
D、65
答案:【65】2.单选题:复合管如图所示,T1、T2的电流放大系数分别为b1、b2,输入电阻分别为rbe1、rbe2。(该图用于题46-题47)复合管的电流放大系数b为。
选项:
A、b1b2
B、b1+b2
C、b1/b2
D、b2/b1
答案:【b1b2】3.单选题:当输入电压增加时,输出首先出现何种非线性失真?。
选项:
A、饱和
B、截止
C、饱和截止同时发生
D、无法判断
答案:【截止】4.单选题:电路的电压放大倍数为。
选项:
A、10
B、10.04
C、11
D、11.04
答案:【10】5.单选题:电路的输出功率约为W。
选项:
A、4.2
B、3.6
C、3
D、2.4
答案:【3】6.单选题:复合管的输入电阻为。
选项:
A、rbe1+rbe2
B、rbe1+(1+b1)rbe2
C、rbe1+(1+b2)rbe2
D、rbe1+(1+b1b2)rbe2
答案:【rbe1+(1+b1)rbe2】7.单选题:通常场效应管被称为控制型器件,表征管子放大能力的量是。
选项:
A、电压,跨导
B、电流,跨导
C、电压,电流放大倍数
D、电流,电流放大倍数
答案:【电压,跨导】8.单选题:某放大器要求其输出电流几乎不随负载电阻的变化而变化,应选用反馈;如希望提高输入电阻,应选用反馈。
选项:
A、电压负,串联负
B、电流负,并联负
C、电流负,串联负
D、电压负,并联负
答案:【电流负,串联负】9.单选题:在一个由NPN晶体管组成的固定偏置共射放大电路中,若当输入电压为正弦波时,输出电压波形下半部出现了失真。这种失真称为失真。这种失真的原因是。
选项:
A、饱和,Q低
B、饱和,Q高
C、截止,Q低
D、截止,Q高
答案:【饱和,Q高】10.单选题:在图所示电路中,已知集成运放A的输出电压最大幅度为±12V,当RW滑动端在最下端时uO=V;当RW滑动端在最上端时uO=V。
选项:
A、12,1
B、12,2
C、-12,1
D、-12,2
答案:【12,1】11.单选题:放大电路的非线性失真包括失真和失真。
选项:
A、幅值,相位
B、线性,非线性
C、饱和,截止
D、正向,反向
答案:【饱和,截止】12.单选题:已知放大电路输入信号电压为1mV,输出电压为1V,加入负反馈后,为达到同样的输出电压时,需要的输入信号为10mV,该电路的反馈深度为,反馈系数为。
选项:
A、10,0.09
B、10,0.009
C、100,0.09
D、100,0.009
答案:【10,0.009】13.单选题:维持正弦波振荡的幅度条件是,相位条件是。
选项:
A、AF=1,jA+jF=2np+p
B、AF=1,jA+jF=2np
C、AF=1,jA+jF=2np+p/2
D、AF>1,jA+jF=2np+p
答案:【AF=1,jA+jF=2np】14.单选题:甲类放大电路放大管的导通角等于,乙类放大电路放大管的导通角等于。
选项:
A、360°,360°
B、360°,180°
C、180°,360°
D、180°,180°
答案:【360°,180°】15.单选题:电路的电压放大倍数Au约为。
选项:
A、-200
B、-167
C、-101
D、-67
答案:【-101】16.单选题:电路的下限截止频率约为Hz。
选项:
A、2
B、6
C、11
D、16
答案:【16】17.单选题:电路的上限截止频率约为Hz。
选项:
A、50k
B、25k
C、12.5k
D、5k
答案:【50k】18.单选题:电路最大的不失真输出电压幅值Uom约为V。
选项:
A、0.7
B、3.76
C、4.48
D、12
答案:【3.76】19.单选题:电路如图所示,图中,晶体管T的β=50,rbb'C=300Ω,UBE=0.7V,结电容可以忽略。RB=300kΩ,RC=4kΩ,RL=4kΩ,C1=C2=10μF,VCC=12V,CL=1600pF。(该图用于题31-题39)电路的ICQ等于mA。
选项:
A、3
B、2.825
C、2
D、1.88
答案:【1.88】20.单选题:UCEQ约等于V。
选项:
A、0
B、0.7
C、4
D、4.48
答案:【4.48】21.单选题:电路的输入电阻约为Ω。
选项:
A、500
B、990
C、1490
D、300k
答案:【990】22.单选题:电路的输出电阻约为Ω。
选项:
A、2k
B、4k
C、8k
D、16k
答案:【2k】23.单选题:集成运放输入级采用差分放大电路的主要目的是为了。
选项:
A、稳定放大倍数
B、提高输入电阻
C、克服温漂
D、扩展频带
答案:【克服温漂】24.单选题:差分放大电路如图所示,则电路的差模电压放大倍数Aud=。
选项:
A、
B、
C、
D、
答案:【】25.单选题:为了稳定放大电路的输出电流,并提高输入电阻,应采用的负反馈类型为。
选项:
A、电压并联负反馈
B、电压串联负反馈
C、电流并联负反馈
D、电流串联负反馈
答案:【电流串联负反馈】26.单选题:在图所示电路中uI2>0、模拟乘法器(K>0)及运算放大器均为理想器件。该电路实现运算功能。
选项:
A、乘法
B、除法
C、加法
D、减法
答案:【除法】27.单选题:共集电极放大电路的主要特点是。
选项:
A、输入电阻高,输出电阻高
B、输入电阻高,输出电阻低
C、输入电阻低,输出电阻低
D、输入电阻低,输出电阻高
答案:【输入电阻高,输出电阻低】28.单选题:晶体管的参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的,ICBO,UBE的变化情况为。
选项:
A、,ICBO增加,UBE减小
B、增加,ICBO,UBE减
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