CN115480441B 光学临近修正方法、掩膜版、可读存储介质及计算机设备 （无锡华润上华科技有限公司）

US2019155143A1,2019.US7694267B1,2010.04.06US2007074143A1,2007.03.29本发明涉及一种光学临近修正方法、掩膜获取掩膜版设计图形；根据OPC模型对所述掩膜述掩膜版设计图形中筛选出符合第一预设条件处的边缘放置误差采用图形差值的平均值作为jog处EPE的值，能够有效避免“bridge”或2从所述掩膜版设计图形中筛选出符合第一预设条计算所述模拟曝光图形与所述掩膜版设计图形的边缘放置形处的边缘放置误差采用图形差值的平均值作为边缘放置其中，所述符合第一预设条件的台阶图形，是边长小于第一步骤B，根据OPC模型对所述调整后的掩膜版设计图形进3.根据权利要求2所述的光学临近修正方法，根据OPC设定将所述掩膜版设计图形的外边缘解所述根据所述边缘放置误差对所述掩膜版设计图形进行调整的步骤所述计算所述模拟曝光图形与所述掩膜版设计图形的边缘放置误所述掩膜版设计图形的所述外边缘对应的边缘放置误差的绝对值小于第8.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器9.一种计算机程序产品，包括计算机程序，所述计算机程34成电路制造工艺变得越来越复杂和精细。其中光刻技术是集成电路制造工艺发展的驱动件尺寸的缩小，曝光所用的波长大于物理版图设计的理想图形的尺寸和图形之间的间距，光波的干涉和衍射效应使得实际光刻产生的物理图形和物理版图设计的理想图形之间存[0003]产生这种差异的一个重要原因是光刻所用光束波长大于物理版图设计的理想图临近修正(OPC,OpticalProxim5[0010]在其中一个实施例中，所述根据OPC模型对所述掩膜版设计图形进行模拟的步骤理器执行时实现上述任一实施例所述的光学临近修正方法执行时实现前述任一实施例所述的光学临近修6[0027]图5是一示例性的掩膜版设计图形的外边缘解析分割及放置目标点(切分点)的示第一掺杂类型可以为P型且第二掺杂类型可以为N型，或第一掺杂类型可以为N型且第二掺[0034]这里参考作为本发明的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述发7曝光后的图形，和掩膜版设计图形对比(如图1所示)，它们之间的差别称为边缘放置误差(lineends)11取图形差值中的最大值(可以为线条末端11的中间位置)作为边缘放置误差大值(可以为离凸角B最远的位置)作为边缘放置误差的值；在凹角(concavecorners)C处[0042]可以采用本领域习知的可以用于OPC的计算机辅助软件工具(OPC软件)对掩膜版长短不一的校正线段。OPC修正量最大的部分通常在掩膜版设计图形的拐角和线条末端，OPC软件通常在掩膜版设计图形的拐角和末端处设置更小的格栅(即更短的校正线段)，使8[0056]在本申请的一个实施例中，根据边缘放置误差移动掩膜版设计图形的各校正片[0057]S454，根据OPC模型对调整后的掩膜版设计图形进行模拟，得到再次模拟曝光图9[0070]本申请相应提供一种根据上述任一实施例所述的光学临近修正方法得到的掩膜理器执行时实现上述任一实施例所述的光学临近修正方法执行时实现前述任一实施例所述的光学临近修