CN119400686A 半导体器件制备方法及半导体器件 （合肥晶合集成电路股份有限公司）

本发明提供一种半导体器件制备方法及半体器件制备方法包括：在衬底上形成第一外延膜板在曝光单元内的第二外延层上形成预设结2提供标记掩膜板，通过所述标记掩膜板在所述第一外延层上形成第提供器件掩膜板，利用所述第一对准标记使所述器件通过所述器件掩膜板在所述曝光单元内的所述第一外延层上形成预设在将所述器件掩膜板上的对准标记图案与所述第二对准标记述器件掩膜板在所述曝光单元内的所述第二外延层上形成预设结第二对准标记位于所述曝光单元中的两条平在所述第二外延层上形成第三外延层，后在所述第三外延层上形成5.根据权利要求1或3所述的半导体器件制备方将所述器件掩膜板上的对准标记图案与所述第一对准标记对准，准标记与所述第一对准标记间间隔器件单元整数在将所述标记掩膜板上的对准标记图案与所述第一对准标记3将所述器件掩膜板上的对准标记图案与所述第二对驱使所述器件掩膜板移动所述器件单元整数倍距离，以使得所4同晶片层中形成的半导体结构需要通过对准[0003]为避免相同位置的前层对准标记在对准光照下对当层对准标记的反射光造成干提供标记掩膜板，通过所述标记掩膜板在所述第一外延层上形成第一对准标记，提供器件掩膜板，利用所述第一对准标记使所述器件掩膜板与所述曝光单元对位于所述曝光单元内，所述第二对准标记与所述第一对准标记间间隔器件单元整数倍距过所述器件掩膜板在所述曝光单元内的所述第二外延层上形成预567[0026]请参阅图1，图1本申请一实施例中半导体器件制备方法的流程图，本实施例以曝光单元300对准，并通过所述器件掩膜板在所述曝光单元300内的所述第一外延层210上步骤S150、利用所述标记掩膜板在所述第二外延层220上形成第二对准标记221，所述第二对准标记221位于所述曝光单元300内，所述第二对准标记221与所述第一对准标步骤S160、在将所述器件掩膜板上的对准标记图案与所述第二对准标记221对准标记221对准后移动器件单元整数倍距离，以将使所述器件掩膜板与所述曝光单元300对8上的芯片区域310和切割道320未设边线。下面结合图5至图11对本申请实施例提供的半导步骤S110、在衬底100上形成第一外延层210，可以包括如图5至图11所示的衬底本实施例中的衬底100为已经掺杂的衬底100，本实施例中的衬底100优选采用碳化硅衬底[0029]请参阅图6，步骤S120中通过常规光刻手段将标记掩膜板中的对准标记图案转移210上涂覆光刻胶，以在第一外延层210形成光刻胶层240，后利用标记掩膜板对光刻胶层蚀刻之后采用传统的灰化或剥离工艺去除光刻胶，使得第一外延层210上形成第一对准标211使所述器件掩膜板与所述曝光单元300对准，并通过所述器件掩膜板在所述曝光单元300内的所述第一外延层210上形成预设结构290。第一对准标记211用于层与层之间的对9[0034]步骤S220中，利用第一对准标记211在对准光照下的反射光与器件掩膜板上对准艺向所述注入窗口280暴露的所述第一外延层210中注入杂质离子，以在所述第一外延层[0038]例如第一外延层210为N型外延层，通过杂质离子注入的方式注入P型杂质离子形[0041]步骤S150、利用所述标记掩膜板在所述第二外延层220上形[0042]利用同一张标记掩膜板在第二外延层220上形成用于层间对准的第二对准标记的是，器件单元尺寸包括芯片区域310及芯片区域310一侧切割道320在一水平方向上的尺外延层220上形成的第二对准标记221仍处于切割道320内，不会影响到包含主要电路和功步骤S320、在将所述标记掩膜板上的对准标记图案与所述第一对准标记211对准[0044]步骤S330、利用移动后的所述标记掩膜板在所述第二外延层220上形成第二对准[0045]示例性的，所述第一对准标记211和所述第二对准标记221位于所述曝光单元300[0046]第一对准标记211位于切割道320内，标记掩膜板相较于形成第一对准标记211时通过所述器件掩膜板在所述曝光单元300内的所述第二外延层220上形成预设结[0048]器件掩膜板对准第二对准标记221后，将器件掩膜板沿标记掩膜板移动方向的反向移动与标记掩膜板移动距离相等的距离，即在水平方向上沿第二对准标记221向第一对则实现了器件掩膜板与第一对准标记211在竖直方向上对准，也就使得器件掩膜板与曝光步骤S430、驱使所述器件掩膜板在水平方向上沿第二对准标记221向第一对准标记211方向移动所述器件单元整数倍距离，以使得所述器件掩膜板与所述曝光单元300对膜板与第二对准标记221对准后，向标记掩膜板移动方向反向移动与标记掩膜板移动距离艺向所述注入窗口280暴露的所述第二外延层220中注入杂质离子，以在所述第二外延层[0051]第二外延层220上形成的预设结构290与第一外延层210上形成的预设结构290在[0053]在本发明一实施例中，半导体器件的制备方法还包括在所述第二外延层220上形[0056]在第二外延层220上生成第三外延层230，标记掩膜板在形成第二对准标记221的形成第二对准标记221时移动的距离相等，即在第一对准标记211和第二对准标记221间的[0057]将器件掩膜板与第三对准标记231进行对准，而后器件掩膜板沿标记掩膜板移动层230上形成的预设结构290与第二外延层220上形成的预设结构290、第一外延层210上形技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等