CN119400687A 一种晶片上沟槽图形的生成方法及其应用 （芯恩（青岛）集成电路有限公司）

本发明公开了一种晶片上沟槽图形的生成使光罩处于与晶片之间发生第一转动角的相对形与位于第二预设区域中的第二沟槽图形之间2然后，使所述光罩处于与所述晶片之间发生第一转动角的相对转动后的第二相对方显影后，在所述晶片的表面上形成与所述第一沟槽图形对应的第二的所述第二沟槽图形之间具有与所述第一转动角对应的相对夹7.根据权利要求1所述的晶片上沟槽图形的生成方法，其特征在于，所述第一转动角和/或所述第一相对方位与所述第二相对方位之间的方位角包括90度角39.一种根据权利要求1_8任意一项所述的晶片上沟槽图形的生成方法在沟槽型功率MOSFET领域的应用。第二沟槽图形的所述沟槽型功率MOSFET的沟槽的光刻图形，以及基于所述沟槽的光刻图4起到平衡芯片上的沟槽带来的应力的作用。5域中的所述第二沟槽图形之间具有与所述第一转动角对应的相对[0020]进一步地，所述第一转动角和/或所述第一相对方位与所述第二相对方位之间的[0022]本发明还提供一种根据上述的晶片上沟槽图形的生成方法在沟槽型功率MOSFET6[0032]如图2所示，其沿箭头方向显示了本发明一种晶片上沟槽图形的生成方法中的多个曝光步骤阶段a～g及晶片10减薄后侧视形等。图中与各曝光步骤阶段a～g对应的圆形晶片10上的多个矩形图形体现了一个光罩也可以将每个光罩20的运动轨迹图形看作是曝光后在晶片10上形成的曝光后图形30(故将第一沟槽图形，来映射曝光后在晶片10上所形成的具有第一走向的第二沟槽图形(即以光7假定第一沟槽图形为直条形，则第一走向可以是第一沟槽图形沿直条形长度延伸的方向。有体现方位的标记21，且此方位标记21将对应体现在晶片10的曝光后图形30上(即曝光后10上显示的光罩20图形(曝光后图形30)的方位标记21相对于晶片10而言都相同(图示为指方位排布的曝光后图形30(实际需要显影后才能显示出立体的曝光后图形30(光阻图形))，的方位标记21在每次曝光时相对于晶片10都指向左上第四行直接曝光第五行。如此，直至第四个曝光步骤阶段d所示的对所有的奇数行完成曝8转90度(或270度)，使光罩20与晶片10之间发生90度(或270度)的第一转动角的相对转动。光罩20上的方位标记21在每次曝光时相对于晶片10都指向曝光在曝光步骤阶段c中跳过的第四行。从而可在晶片10上对应第四行的区域上对应形成~g将通过采取设置对应的光罩20曝光扫描程式方式，完成对晶片10表面剩余的未曝光区9晶片10上形成的位于奇数行(第一预设区域)中的二沟槽图形与位于第二预设区域中的第二沟槽图形之间具有与90度(或270度)的第一转动角对应的90度(或270度)的相对夹角，即位于第一预设区域中的第二沟槽图形的走向与位成的位于曝光后图形30中的第二沟槽图形的第一走向也对应与光罩20进行曝光时的行扫图形(或晶片10上的第二沟槽图形)的第一走向可与光罩20进行曝光时的奇数行扫描方向第一走向可与光罩20在偶数行上的扫描方向垂直。从而在晶片10上形成了位于奇数行(第一预设区域)中的第二沟槽图形与位于偶数行(第二预设区域)中的第二沟槽图形的走向走向都一致，这将会导致后续刻蚀沟槽并填充后所带来的应力在各沟槽之间无法被抵消，[0061]相比上述现有的曝光方式，本发明通过对晶片10上的不同设定区域(第一预设区转换形式，使得位于相邻行或相邻列的沟槽图形(第二沟槽图形)之间具有相互垂直的走[0063]在一些实施例中，上述应用包括采用本发明的上述晶片应用于在晶片10上制备具有条状非封闭形式的多种沟片10进行两次分步曝光方式，并在两次曝光时使光罩20与晶