CN119404140A 量测系统和方法 （Asml荷兰有限公司）

2024.12.20PCT/EP2023/0704882023.07.25WO2024/041827EN2024.02.29分析检测的信号束，以确定目标结构的套刻表2扫描系统，被配置为扫描所述光束并且控制到所第二扫描镜，被配置为在第二方向上扫描所述光束，其中所描系统扫描所述目标结构而获得的至少一个图像中所述光学元件被定位在所述光源和所述目标结构之间的所述照射8.根据权利要求6所述的系统，其中所述光学元件被定位在所述目标结构之后的所述3其中所述光学系统包括光瞳中继系统，所述光瞳中继系统被将来自所述目标结构的信号束引导朝向检测器系统，其中所述4[0002]本申请要求于2022年8月22日提交的美国申请63/399966和于2023年7月10日提交称为掩模或掩模版)用于生成要形成在IC的单个层上的电路图案。该图案可以被转印到衬连续图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻装置包括所谓的步进器和所谓的扫描仪，在产品衬底和/或专用量测目标上执行该测量。存在用于测量形成在光刻过程中的微观结图案化衬底中或图案化衬底上的两个层之间的套刻误差(OV))。通过比较在束被衬底反射5[0008]套刻系统可以使用四个离轴图像来测量在图案化衬底中或图案化衬底上形成的来解释本公开的原理并且使得相关领域中的技术人员能够制造和使用本文中描述的实施6以被实现为存储在机器可读介质上的指令，这些指令可以由一个或多个处理器读取和实7可以与在目标部分C中创建以形成集成电路的装置中的特定功能层倾斜的小反射镜在由小反射镜的矩阵反射的辐射束B中赋予图案。因素(诸如衬底W上的浸没液体的使用或真空8[0044]照射器IL可以包括用于调整辐射束的角强度分布的调整器AD可以调整照射器的光瞳平面中的强度分布的至少外部径向程度和/或内部径向程度(通常[0045]参考图1A，辐射束B入射在被保持于支撑结构(例如，掩模台)MT上的图案化装置[0046]参考图1B，辐射束B入射在被保持在支撑结构(例如，掩模台MT)上的图案化装置[0047]投射系统PS将掩模图案MP的图像投射到涂覆在衬底W上的光致抗蚀剂层上，其中方向上没有任何改变的情况下穿过图案。零阶衍射束穿过投射系统PS的光瞳共轭物PPU的的平面中并且与零阶衍射束相关联的强度分布的部分是照射系统IL的照射系统光瞳IPU中的强度分布的图像。孔径装置PD例如定位在或基本定位在包括投射系统PS的光瞳共轭物[0048]投射系统PS被布置为通过透镜或透镜群组L的方式不仅捕获零阶衍射束，还捕获9射束在晶片W的水平处与对应零阶衍射束干涉，以在最高可能的分辨率下并且在过程窗口些实施例中，可以通过阻挡与相对象限中的辐射极相关联的投射系统的光瞳共轭物PPU中的零阶束来减小像散像差。这在于2009年03月31日发布的US7,511,799B2中进行了更详细式传感器)，可以准确移动衬底台WT(例如，以便将不同目标部分C定位在辐射束B的路径和投射系统PS。源收集器装置SO被构造和布置以使得可以在源收集器装置SO的包围结构何其他合适气体或蒸气。在一些实施例中，提供经激励的锡(Sn)的等离子体以产生EUV辐[0059]从热等离子体210发射的辐射从源腔室211经由可选的气体阻挡件或污染物阱230物阱230定位在源腔室211中的开口中或后方。污染物阱230可以包括通道结构。污染物阱230还可以包括气体阻挡件或气体阻挡件和通道结构的组合。本文中进一步指示的污染物[0060]收集器腔室212可以包括辐射收集器CO，该辐射收集器CO可以是所谓的掠入射收光瞳反射镜装置224，该琢面场反射镜装置222和琢面光瞳反射镜装置224被布置为在图案化装置MA处提供辐射束221的期望角分布，以及在图案化装置MA处提供辐射强度的期望均该图案化束226通过投射系统PS经由反射元件228、反射元件230成像到由晶片载物台或衬轴O轴向对称布置，并且这种类型的收集器光学器件CO优选地与由等离子体源产生的放电(经常被称为DPP源)组合使用。[0065]图3示出了根据一些实施例的光刻单元300(有时也被称为光刻单元(lithocell)[0067]为了控制光刻过程以将器件特征准确放置在衬底上，通常在衬底上提供对准标以使用美国公开号2009/195768A(Bijnen等人)中描述的技术来执行组合的X测量和Y测量。底上的对准标记的位置，并且使用所检测的对准标记的位置相对于光刻装置100或光刻装或多个通带的电磁窄带辐射束413。在一个示例中，一个或多个通带可以在约500nm至约多个通带的具有在长时间时段内(例如，在照射系统412的寿命内)基本恒定的中心波长[0070]在一些实施例中，分束器414可以被配置为接收辐射束413并且将辐射束413分束中所示。分束器414还可以被配置为将辐射子束415引导到放置在载物台422上的衬底420418可以与未经旋转对准标记或目标418基本相同。衬底420上的目标418可以是(a)包括由参数光栅量测(MultiparameterGratingMetrologyUsingOpticalScatterometry)”，面光谱散射测量(SpecularSpectroscopicScatterometryinDUVLithography)”，数(诸如线宽和形状)可以从印刷步骤和/或其他散[0071]在一些实施例中，根据一个实施例，分束器414还可以被配置为接收衍射辐射束[0072]应当注意，尽管分束器414被示为朝向对准标记或目标418引导辐射子束415并且[0073]如图4A中图示的，干涉仪426可以被配置为通过分束器414接收辐射子束417和衍件集合(例如棱镜组合)，其可以被配置为基于征。干涉仪426还可以被配置为将两个图像中的一个图像相对于两个图像中的另一图像旋图像，并且当检查装置400的对准轴421穿过对准标记或目标418的对称中心(未示出)时检420并且穿过图像旋转干涉仪426的中心的光束对准。检测器428还可以被配置为通过如下方式来估计对准标记或目标418的位置：实现传感器表征并且与晶片标记过程变化相互作[0075]在另外的实施例中，检测器428通过执行以下测量中的一个或多个测量来确定对中所描述的SMASH(智能对准传感器混合)传感器，该对准传感器采用具有单个检测器和四为确定载物台422的位置，并且使得载物台422的位置与对准标记或目标418的对称中心的位置，使得可以参考检查装置400或任何其他参考元件获知对准标记或目标418的对称中产品光栅轮廓、标记堆叠轮廓和标记非对称信息。光束分析器430的一个示例是由荷兰用全文并入本文。光束分析器430还可以被配置为处理涉及该层中的曝光图案的特定表征CCD或CMOS(线性)阵列。多模式光学纤维束的使用使得任何消散元件都能够出于稳定性原因而被远程定位。离散PIN检测器给予大的动态范围，但每个检测器需要单独的前置放大[0084]在一些实施例中，第二光束分析器430’可以被配置为接收和确定衍射辐射子束光束分析器430的至少所有功能，诸如确定载物台422的位置并且使得载物台422的位置与析器被配置为接收和确定衍射辐射子束429和衍射辐射子束439两最小化。处理器432可以基于从检测器428和光束分析器430接收的信息来创建基本校正算[0087]在一些实施例中，处理器432还可以被配置为基于从检测器428和光束分析器430刻偏移周围具有正偏置和负偏置的套刻目标。测[0090]在一些实施例中，处理器432可以确认该群组的所有成员或大多数成员具有相似[0098]在一些实施例中，光学元件518可以控制由IMS的两个相对照射象限(有时被称为[0100]在一些实施例中，光学系统504可以包括反射元件528和光学元件530(例如，物辐射将始终被称为散射辐射。散射辐射由光学元件530收集。散射辐射包括照射束的反射500可以包括波阵面传感器。波阵面传感器(未示出)可以被配置为向光学元件518提供反[0112]在一些实施例中，光学系统504可以包括反射元件528和光学元件530(例如，物光学元件568可以是像差校正装置(诸如可变形镜(DM)、空间光调制器(SLM)或像差校正器[0117]在一些实施例中，光学元件568可以被定位在光学系统504之后由光学元件530收[0120]在一些实施例中，光学元件568可以控制由检测路径中的检测楔形光瞳的每个象面传感器的输入。处理器508可以确定光学元件568和光学元件518的设置以校正像差。例[0126]正常图像包括A_1X和B+1Y。A_1X对应于由IMS处的照射光瞳A在x方向上创建的负分离焦偏置行为。这在题目为“用于照射调整的方法和装置(METHODANDAPPARATUSFOR[0132]方法还包括通过加载在步骤704中处理的校准信息，利用经像差校正的照射束来[0135]方法还包括使用沿检测路径定位的附加光学元件来校正因此，像差是均匀的并且可以被控制。光学元件818可以控制波长和偏振相关的场常数像在一些实施例中，光学元件818可以是像差校正装置(诸如可变形镜(DM)、空间光调制器[0147]在一些实施例中，光学系统804可以包括分束器系统828(例如，一个或多个分束部分引导到波阵面传感器866。在一些方面，分束器系统828将整个光束引导到扫描系统辐射将始终被称为散射辐射。散射辐射由光学元件830收集。散射辐射包括照射束的反射光学元件846可以是像差校正装置(诸如可变形镜(DM)、空间光调制器(SLM)或像差校正器[0153]在一些实施例中，光学元件846可以被定位在光学系统804之后由光学元件830收以校正z方向上由目标对准不良和不准确引入的光学元件846可以不被配置为控制系统800中面传感器864可以被配置为测量散射束的光学波阵面的像差。可以基于测量的像差来控制可以接收来自波阵面传感器864的输入。处理器808可以确定光学元件846的设置以校正像目标区域。例如，如果由检测系统806检测到来自背景(即临近期望目标区域的区域)的散[0164]在一些实施例中，光学系统904可以包括分束器系统928(例如，一个或多个分束辐射将始终被称为散射辐射。散射辐射由光学元件830收集。散射辐射包括照射束的反射的另一部分引导到波阵面传感器(未示出)。光学元件96描系统扫描目标结构而获得的至少一个图像中中描述的光刻装置可以具有其他应用，诸如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测衬底上并且使曝光的抗蚀剂显影的工具)和/或量测单元中处理本文中提及的衬底。在可适多层IC，可以多于一次地处理衬底，以使本文中使用的术语衬底也可以是指已经包含多个经处理层的衬底。措辞法或术语学要由相关领域的技术人员鉴于本文中780nm至3000nm(或更大)之间的辐射被认为是IR辐射。UV是指波长近似为100nm至400nm的和/或I线365nm。真空UV或VUV(即，被气体吸收的UV)是指波长为近似100nm至200nm的辐