CN119404283A 优化全水平扫描束距离的系统以及方法 （应用材料股份有限公司）

2024.11.27PCT/US2023/0219372023.05.11WO2023/229857EN2023.11.30本文中提供一种优化加速器束的全水平扫杯处测量离子束的第一束电流且在第二法拉第电流及第二束电流来确定离子束的跨越预期束2沿着所述预期束扫描区域的所述第一侧及所述第二侧对离在所述第一法拉第杯位置处测量所述离子束的第一束电流且在所述第二法拉第杯位基于所述第一束电流及所述第二束电流来确定所述离子在所述预期束扫描区域的所述第一侧以外对所述离子束进行在所述预期束扫描区域的所述第二侧以外对所述离子束进行束电流达到第一预定阈值时确定所述离子束已完全穿过所述第一法拉第杯的所述第一孔将所述束宽度乘以第一乘数以获得第一乘积，其中所述第一乘数将所述第一乘积与所述第一孔口和所述植入区域的所述第一侧之间的长度尺寸相加将所述束宽度与第二乘数相乘以获得第二过扫描值，其中将所述离子束朝向所述预期束扫描区域的所述将所述离子束朝向所述预期束扫描区域的所述3沿着所述预期束扫描区域的第二侧的法拉第轮廓仪，其中所述域的所述第一侧及所述第二侧对所述点离子束进行扫描的所述束扫描在所述预期束扫描区域的所述第一侧以外对所述点离子束进行在所述预期束扫描区域的所述第二侧以外对所述点离子束进行将所述束宽度乘以第一乘数以获得第一乘积，其中所述第一乘数将所述第一乘积与所述第一孔口和所述植入区域的所述第一侧之间的长度尺寸相加将所述束宽度与第二乘数相乘以获得第二过扫描值，其中将所述离子束朝向所述预期束扫描区域的所述将所述离子束朝向所述预期束扫描区域的所述第二4在沿着所述预期束扫描区域的第一侧定位的第一法拉第杯处测量所述点离子束的第基于所述第一束电流及所述第二束电流来确定所述离子将所述计算机配置成沿着所述预期束扫描区域的所述第一侧及所述第二侧对所述点离子在所述预期束扫描区域的所述第一侧以外对所述点离子束进行在所述预期束扫描区域的所述第二侧以外对所述点离子束进行将所述束宽度乘以第一乘数以获得第一乘积，其中所述第一乘数将所述第一乘积与所述第一法拉第杯的第一孔口和所述植入区域的所述第一侧之间将所述束宽度与第二乘数相乘以获得第二过扫描值，其中起初将所述离子束定位于第一过扫描区域中的所述第一法当所述点离子束朝向所述预期束扫描区域的所述第一侧移动时，测量所述第一束电当所述点离子束朝向所述预期束扫描区域的所述第二侧移动时，测量所述第二束电5[0002]本申请要求于2022年5月27日提交的美国专利申请序列号17/827,204的优先权，晶片进行充分的扫描，因此常常会发生对晶片的过扫描(overscanning)或欠扫描(under[0007]提供本发明内容是为了以简化形式介绍将在下文的具体实施方式中加以进一步以测量点离子束的第一束电流，且法拉第轮廓仪能够操作以测量点离子束的第二束电流。例程在控制器上运行以基于第一束电流及第二束电流来确定离子束的最6于第一束电流及第二束电流来确定离子束的最佳扫描距[0012]图1是根据本公开实施例的包括用于确定扫描束距离的一对法拉第杯位置的系[0014]图3是根据本公开实施例的包括用于确定扫描束距离的一对法拉第杯位置的系[0015]图3是根据本公开实施例的包括用于确定扫描束距离的一对法拉第杯位置的系[0016]图4A是根据本公开实施例的包括用于确定扫描束距离的一对法拉第杯位置的系例是为了使本公开将全面及完整，且将向所属领域中的技术人员充分传达所述主题的范[0023]本文中阐述的实施例提供使用来自定位于晶片的相对边缘处的一组法拉第杯的7[0024]图1示出用于确定离子植入机的最佳扫描距离的设备100的第一实施例。设备100可包括法拉第杯101以及法拉第杯或法拉第轮廓仪103，法拉第杯101沿着预期束扫描区域描区域106的第二侧112位于第二法拉第杯位置110处。在一些实施例中，仅存在法拉第杯从法拉第杯101获得的测量值及从法拉第轮廓仪103获得的测量值来确定束电流何时完全[0026]预期束扫描区域106一般来说可对应于离子束114将要处理(例如扫描)的晶片的可在第一侧104与第二侧112之间延伸。在所示实施例中，法拉第杯101在第一过扫描区域一过扫描区域130可包括与第一孔口和第一侧104之间的长度(例如，沿着x方向)对应的第越预期束扫描区域106且跨越第一过扫描区域130及第二过扫描区域132的最佳扫描距离。大水平扫描距离从而使束电流减小。换句话说，设备100允许进行水平扫描距离的快速调描区域132)对离子束114进行扫描，且然后朝向预期束扫描区域106的中心将离子束114在水平方向上的宽度缓慢地减小。图2A展示出电流与第一法拉第杯乘数(在下文中为乘数1)8杯101对实例性电流测量值进行跟踪的线135展示出过扫描不足的情形，使得线135从参考第二过扫描区域132确定离子束114的动态水平扫组静止的点离子束214A、214B起初分别定位于第一过扫描区域230及第二过扫描区域232中。第一离子束214A可经由被指令到固定位置的扫描器而朝向第一法拉第位置202处的法拉第杯201反复地位移。法拉第杯201测量当第一离子束214A朝向预期束扫描区域206移动拉第位置210处的法拉第轮廓仪203反复地位移。法拉第轮廓仪203测量当第二离子束214B定预期束扫描区域206的边缘处的电流边缘。然后可使用快速点数据来确定所测量电流的[0035]图5以方块形式示出出根据本公开各种实施例的束线离子植入机(被示出为离子射设置于衬底平台314上的衬底316之前可行进穿过分析器磁体306、质量分辨狭缝(mass9[0036]离子植入机300还包括用于监测被提供至衬底316的束电流的一组电流探测器测量束均匀性的轮廓仪法拉第杯。电流探测器318A至电流探测器318B可沿着衬底316的相对侧放置以阻止离子束304，且可被配置成在如上所述的各种水平扫描束距离优化操作期电流探测器318A、电流探测器318B。束校准组件320可耦合到一个或多个组件以对离子束离子植入。束校准组件320可包括逻辑，所述逻辑基于各种束测量值的应用来确定基于所确定的ScanWidthTotal来产生用于对离子束304的扫描进行调节的调节信号。在一件以执行基于ScanWidthTotal的确定而对离子束304的扫描进行调节的指令。实施例并非括沿着预期束扫描区域的第一侧提供第一法拉第杯位置且沿着预期束扫描区域的第二侧描区域的在圆周上相对的点处沿着相同的水实行此工艺。达到第二预定阈值时确定离子束已完全穿过第二法拉第不旨在解释为排除也包括所叙述特征的