长鑫科技公司深度报告：十年铸剑勇立潮头

目录深耕本土DRAM赛道的国产存储龙头 6长鑫科技是全球领先的DRAM一体化供应商 6股权架构均衡多元，核心团队具备深厚产业积淀 7存储周期步入上行通道，公司盈利弹性有望释放 9AI算力带动需求扩张，存储产业迎来发展新机遇 11AI算力拉动DRAM需求持续扩张，行业维持寡头垄断格局 12存储行业历史周期复盘 13下游应用驱动DRAM技术迭代，HBM开辟高端算力增量 17对标全球存储龙头，产品技术持续突破 19全球主流存储芯片供应商格局梳理 19紧跟国际龙头步伐，HBM高端存储实现技术突破 22政策资本双向赋能，国产存储迎来成长窗口期 24盈利预测与估值分析 26盈利预测 26相对估值 27风险提示 28图表目录图表1：长鑫科技发展里程碑梳理 6图表2：长鑫科技核心产品及应用布局 7图表3：长鑫科技产能梳理 7图表4：长鑫科技持股参股图 8图表5：公司核心人员信息汇总 8图表6：2022-2026Q1长鑫科技营业收入及同比 9图表7：2022-2026Q1长鑫科技归母净利润 9图表8：2022-2026Q1长鑫科技毛利率与净利率 10图表9：2022-2026Q1长鑫科技销售、管理、研发费用率 10图表10：长鑫科技主营业务收入（按产品） 10图表11：长鑫科技主营业务收入占比（按产品） 10图表12：长鑫科技主要客户来自中国香港 11图表13：长鑫科技中国大陆业务持续增长 11图表14：2025年全球半导体、集成电路和存储芯片市场 11图表15：存储芯片主要包含易失性存储（RAM）和非易失性存储（ROM） 12图表16：DRAM结构示意图 12图表17：DRAM各功能模块面积占比拆解图 12图表18：全球DRAM市场规模 13图表19：2026Q1全球DRAM市场占有率 13图表20：2006-2025年存储行业历史周期梳理 13图表21：2006-2010数码相机、PC出货量梳理 14图表22：中国智能手机市场占有率 14图表23：2011-2015年中国智能手机2G/3G/4G出货量 14图表24：2015-2019年全球智能手机出货量及同比 15图表25：2020-2023年全球PC出货量及同比 15图表26：2021-2026全球八大云厂商资本开支 16图表27：全球服务器市场规模（按服务器类别） 16图表28：2026Q2-2026Q3存储产品合约价趋势 17图表29：2025/01-2026/08DRAM现货平均价 17图表30：JEDEC定义了三种DRAM标准类别 18图表31：NVIDIA与AMD人工智能芯片的高带宽内存规格发展时间线及其对比 18图表32：2025-2030年全球HBM市场规模 19图表33：2025Q1-2026Q1全球HBM市场格局 19图表34：Micron12层堆叠HBM3E示意图 19图表35：Micron第九代3DTLCNANDFlash产品示意图 20图表36：Micron联合NVIDIA共同推出全球首款SOCAMM内存模组 20图表37：SKhynix2026-2031产品路线图 21图表38：SKhynixStandard与CustomHBM结构对比图 21图表39：全球主流厂商DRAM技术图 22图表40：NVIDIA芯片参数持续提升 22图表41：各代HBM技术性能参数对比 23图表42：全球主流存储厂商营收对比 23图表43：全球主流存储厂商毛利率对比 24图表44：全球主流存储厂商DRAM业务营收对比 24图表45：全球主流存储厂商DRAM业务综合ASP对比 24图表46：《国家集成电路产业发展推进纲要》总体目标 25图表47：《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》目标 25图表48：国家集成电路大基金投资情况 26图表49：2019-2025年美国对华半导体出口管制政策升级历程 26图表50：公司收入拆分及预测 27图表51：可比公司估值表（截至2026/8/19） 28深耕本土DRAM赛道的国产存储龙头7278.66/DRAM27Apple7月8pple已启动长鑫AM产品测试，计划将芯片搭载于面向中国市场销售的终端设备。在AI需求拉动存储周DRAM长鑫科技是全球领先的DRAMDRAM2016DRAMDRAM本土化量产突破。20199DRAM11月落地首批商用订单，正式进入12DRAM20267IPO图表1：长鑫科技发展里程碑梳理公司官网公司长期深耕DRAM存储芯片赛道，依托内存核心技术积累完善产品矩阵，形成LPDDR低功耗移动存储、DDR算力内存两大核心业务板块。LPDDRLPDDR4XLPDDR5/5X。LPR55X单颗粒容量12Gb16Gb10,667bpsLPR566%30%，且向下兼容前代产品，适配高端轻薄手机、平板电脑；LPDDR4XLVSTL（LowVoltageSwingLogic）低功耗接口，兼顾高带宽与低系统功耗，配套智能手机、智能穿戴等消费电子终端。DDRDDR4DDR5DDR58,000Mbps，覆盖16Gb/24Gb容量，功耗相较DDR4下降20%，内置片内检错纠错架构保障数据稳定运行，适配服务器、工作站、台式机等算力设备；DDR4技术成熟、规格体系完备，带宽与能效相较DDR3全面升级，配套多规格模组覆盖PC、服务器、机顶盒等通用终端。图表2：长鑫科技核心产品及应用布局长鑫存储公司官网

公司产能高速扩张。DigiTimes、太极网数据显示，公司晶圆年产能自202024202527362.63%2020-2025图表3：长鑫科技产能梳理DigiTimes，太极网公司前五大股东分别为：合肥清辉集电企业管理合伙企业（有限合伙）21.67%、合肥长鑫集成电路有限责任11.718.73%7.91%。31.72%），配套多家其他经营主体，形成覆盖DRAMIDM图表4：长鑫科技持股参股图长鑫存储招股说明书董事DRAMDRAM图表5：公司核心人员信息汇总姓名 职位 过往履历姓名 职位 过往履历朱一明 董事曹堪宇 董事郑锐 董事方炜 董事

曾任iPolicyNetworksInc.资深工程师、MonolithicSystemTechnologiesInc.项目主管；2005年创办兆易创新，历任兆易创新总经理；历任长鑫存储董事、董事长、首席执行官，长鑫科技首席执行官；现任兆易创新董事长、长鑫科技董事长。NoVoMemInc.NAND储产品研发执行副总裁、技术研发执行副总裁、长鑫集电总经理；现任长鑫科技董事、首席执行官、总裁，为公司核心技术人员。曾任安徽省投综合发展部高级主管、金融投资部项目经理、风险管控部部门经理，安徽中安资本管理有执行董事、总经理，长鑫科技董事。先后任职于原合肥化肥厂、合肥四方化工集团有限公司、合肥市工业投资控股有限公司，曾任合肥市产（集团集团长鑫科技董事。韦俊 董事 先后任职于机械电子工业部电子行业发展司、综合规划司和工信部综合规划司，曾任工信部规划司副长；现任国家集成电路产业投资基金股份有限公司一、二、三期副总裁，长鑫科技董事。侯华伟 董事 曾任中国船舶工业集团公司船舶工业经济研究中心船舶市场分析师，任职于国家开发银行，曾任北京西城区金融街街道办事处副主任；现任华芯投资管理有限责任公司董事、副总裁，长鑫科技董事。先后任职于安徽中皖物矿有限责任公司、安徽科力信息产业有限责任公司、合肥经济技术开发区管委会、谢树民 董

华夏幸福基业股份有限公司合肥事业部；曾任长鑫存储综合管理部总监，长鑫科技职工代表监事、监事会主席；现任长鑫科技总监、党群中心工会负责人、职工董事。陈武朝 独立董事 曾任中华会计师事务所项目经理、清华大学讲师；现任清华大学副教授，中国石油集团资本股份有限司独立董事、中信信托有限责任公司独立董事、长鑫科技独立董事。曾任职于中国石化国际事业有限公司；历任北京市天银律师事务所合伙人律师、北京京仪集团有限责任李华 独立董蔡一茂 独立董

公司总经理助理、北京市盈科律师事务所高级合伙人律师、资本市场部主任，曾任绿盟科技集团股份有限公司独立董事；现任北京德恒律师事务所一级合伙人、全球合伙人，太极计算机股份有限公司独立董事、北京宇信科技集团股份有限公司独立董事、长鑫科技独立董事。曾任韩国三星电子高级研究员；历任北京大学微纳电子学系副教授、教授、系主任；现任北京大学集成长鑫科技独立董事。郭薇 独立董事 曾任香港理工大学助理教授；现任中欧国际工商学院副教授，环旭电子股份有限公司独立董事、长鑫技独立董事。长鑫存储招股说明书202282.87-83.282023滑至-163.40亿元。2024AIDRAM供需格局改善，DRAMI算力拉动服务器AM2025年营业收入达617.9918.752026Q1508.00元，同比增长719.13%；受益于存储涨价红利持续兑现，归母净利润大幅攀升至247.62亿元，量价共振推动盈利能力跨越式修复。图表6：2022-2026Q1长鑫科技营业收入及同比 图表7：2022-2026Q1长鑫科技归母净利润 公司公告 公司公告2024年起进入回升通道。2022-2023年，全球半导体处于去库存周期，下游消费电子需求疲软，DRAM产品价格持续下行；叠加前期大规模扩产带来产能利用率走低、单位制造成本上行，公司盈利水平阶段性承压。2024AIDRAM司高附加值算力端DRAM产品订单占比稳步提高，产品结构持续优化；叠加产能利用率逐季修复，厂房、设备折旧等固定成本得到有效摊薄，整体盈利水平稳步修复。图表8：2022-2026Q1长鑫科技毛利率与净利率 图表9：2022-2026Q1长鑫科技销售、管理、研发费用率公司公告 公司公告PDDR224年营收占比维持%2025DDRLPDDRLPDDRDDR双产品线协同驱动。图表10：长鑫科技主营业务收入（按产品） 图表11：长鑫科技主营业务收入占比（按产品） 公司公告 公司公告20222022202513.81%42.43%，DRAM图表12：长鑫科技主要客户来自中国香港 图表13：长鑫科技中国大陆业务占比持续增长公司公告 公司公告AI算力带动需求扩张，存储产业迎来发展新机遇20257009整体产业规模的88%；其中存储芯片在集成电路市场中占比33%。结合WSTS、OmdiaDRAM65%。图表14：2025年全球半导体、集成电路和存储芯片市场WSTS，Omdia，长鑫存储招股说明书按照断电后数据能否留存的特性，存储芯片行业可划分为易失性存储（RAM）与非易失性存储（ROM）两大品类；市场份额最高的两类核心产品分别为易失存储主力DRAMNANDFlashDRAM图表15：存储芯片主要包含易失性存储（RAM）和非易失性存储（ROM）长鑫存储招股说明书AI算力拉动DRAMDRAM为易失性存储介质，可与CPU、GPU等计算芯片配套协同，高速承载算力运算过程中产生的海量临时数据。完整DRAM芯片由存储单元、外围逻辑电路、周边线路三大功能模块构成。图表16：DRAM结构示意图 图表17：DRAM各功能模块面积占比拆解图51CTO 36KrDRAMOmdiaDRAM0年64亿美元增长至2025年15052020-205年复合增速达17.78%，AI算力产业爆发带来的增量需求：大模型训练与推理催生大容AIDRAM8-10DRAM行业寡头垄断格局明确，头部厂商马太效应持续强化。据显示，2026Q1DRAMSamsung40.54%、SKhynix29.63%、Micron19.92%、CXMT7.71%、Nanya1.60%，CR390%，行业集中度相对较高。图表18：全球DRAM市场规模 图表19：2026Q1全球DRAM市场占有率 Omdia TrendForce我们梳理了2006-2025年全球芯片市场的周期表现，对过往的涨价与跌价进行了复盘分析。图表20：2006-2025年存储行业历史周期梳理WSTS，Omdia

1）2006-2010年，全球存储行业景气主要由PC与消费电子普及带动。据Gartner数据，全球PC出货量从2006年的2.39亿台增加至2010年的3.51亿台（CAGR=10.1%），PC市场持续扩容有效拉动DRAM需求。数据显示，2005-20100.651.21SDNANDFlash2008图表21：2006-2010数码相机、PC出货量梳理 CIPA，Gartner2）2011-2015年，移动互联网升级推动了智能手机出货量的提升。2010年苹果iPhone4LPDDRNANDFlash3G20144G动存储行业持续上行。随着Samsung、Micron、SKhynix产能持续释放，叠加2014H2图表22：中国智能手机市场占有率 图表23：2011-2015年中国智能手机2G/3G/4G出货量Wind Wind3）2016-2019年经历了一轮存储周期，主要原因来自于智能手机的升级换代。iPhone2018-2019图表24：2015-2019年全球智能手机出货量及同比IDC4）2020-2023PC由于25：2020-2023PCGartner2023年起AIDDR5HBM3EAI大模型训练过程中的I/O瓶颈；DDR5全球八大云服务厂商（CSP）持续加大资本开支，有望推动服务器扩容。TrendForce202114512024，2021-202421.6%；该机构进一步预测，202671002024-206年复合增长率或将达65.0%。图表26：2021-2026全球八大云厂商资本开支Trendforce20201400202416002030年将进一步提升至19502024-2030年复合增长率达3.35%。20020306502024-203021.71%，显著高于行业整体增速。图表27：全球服务器市场规模（按服务器类别）弗若斯特沙利文206年3月ore2026Q1普通AM合约价大幅上涨93%-98%。2026Q2HBM、服务器级高端DRAM58%-63%；NANDFlashAI与数据中心高景气支撑，涨价逻辑持续强2026Q255%-60%DRAMHBMNANDFlash图表28：2026Q2-2026Q3存储产品合约价趋势TrendForce，快科技其中，DRAMDRAMeXchange8118Gb）、DRAM（DDR34Gb）51.9386.8745.2014.02美元。图表29：2025/01-2026/08DRAM现货平均价DRAMexchange下游应用驱动DRAMHBM伴随下游终端应用场景持续细分，DRAM技术体系逐步走向场景化、差异化发展。JEDECDDR、LPDDR、GDDRDRAMAIDDRPC为面向移DRAMDDR具备突出的能效比优势，适配智能手DRAMSDRAMAI图表30：JEDEC定义了三种DRAM标准类别SynopsysHBM3DDRAMDRAMTSVDRAMAIHBM步升级、分层竞争的特征。2022-2025HBM2e/HBM3（8Hi堆叠）HBM3e（8Hi/12Hi）HBM80-128GB288GB图表31：NVIDIA与AMD人工智能芯片的高带宽内存规格发展时间线及其对比TrendForceAIHBM嘉世咨询数据显示，2025HBM3501300SKhynixSamsungMicronHBM量产及供应能力。SKhynix20238HBM3EHBM4CounterpointHBMhynix、Micron、Samsung58%、21%、21%。图表32：2025-2030年全球HBM市场规模 图表33：2025Q1-2026Q1全球HBM市场格局嘉世咨询 Counterpoint对标全球存储龙头，产品技术持续突破MicronDRAMNANDFlashNORFlash，广泛应用于数据中心、PC、消费电子、工业、图形、汽车及网络设备等下游领域。产品迭代方面，Micron8层堆叠24GBHBM3E已随NVIDIAH200CoreGPU36GBHBM3E12层堆叠HBM3E内存立方体带宽突破1.2TB/s，相对8层版本容量提升50%。图表34：Micron12层堆叠HBM3E示意图Micron官网2025730Micron3DTLCNANDFlashG9NAND3.6GB/sI/O50%99%、88%的优化提升，NANDFlash”的特性——NANDFlash73%、空28%，NANDMicron2650SSD图表35：Micron第九代3DTLCNANDFlash产品示意图Micron官网Micron联合NVIDIA推出全球首款SOCAMMLPDDR5XNVIDIAGB300GraceBlackwellUltra图表36：Micron联合NVIDIA共同推出全球首款SOCAMM内存模组Micron官网此外，MicronCrucial（英睿达）品牌战略调整计划，已20262CrucialSSDAISKhynixDRAMNANDFlashHBM等关键存储品类。SKhynix3DNANDAIAI2025114SKhynixCEOKwakNoh-Jung于韩国首尔举办的“SKAISummit20252026-2031将分阶段落地标准化与定制化HBMAIAI-D、AI-N系列，并推进通用DRAMNAND图表37：SKhynix2026-2031产品路线图SKhynix，EETimesChinaHBMSkhynix2026-2028HBM416HBM4EHBMHBMGPUASICHBMGPUASICSKhynixHBM5SKhynix的12层HBM42TB/s602025SKyx占据全球M市场50VDAAIGPUHBM3/HBM3E图表38：SKhynixStandard与CustomHBM结构对比图SKhynix，EETimesChinaHBM2016DRAMSamsungMicron、SKhynixTechInsights2022EUV1a2019G1DDR4G1、G3DUV2022G4G4G5图表39：全球主流厂商DRAM技术图TechInsightsAIGPUSemiAnalysis架构从HopperRubinFP416HBM10图表40：NVIDIA芯片参数持续提升202220232024202520262027HopperBlackwellRubinAcceleratorH100(SXM)H200B200/GB200GB300(Ultra)B300(singledie,B300A)VR200VR300(Ultra)GPTTDP(w)700700700/1200140060018003600FoundryNode4N4NPN3P(3NP)FP4PFLOPs-Dense(perPackage)4*10154.633.366.7HBM80GBHBM3141GBHBM3E192GBHBM3E288GBHBM3E144GBHBM3E288GBHBM41024GBHBM4EHBMStacks56884816HBMBandWidth(TB/s)3.354.88841332PackagingCoWoS-SCoWoS-LSerDesspeed(G)112224448NvidiaCPUGraceVeraSemiAnalysisHBMSemiAnalysis数据显示，长鑫已落地HBM2HBM2E产品开发，并规划2026年推出HBM3/HBM3E01公司202020212022公司20202021202220232024202520262027SKhynixHBM2EHBM3HBM3E(1st）HBM3EHBM4HBM4ESamsungHBM2EHBM3HBM3EHBM3EHBM4HBM4EMicronHBM2EHBM3EHBM3EHBM4HBM4ECXMTHBM2HBM2EHBM3/3EHBM3E/Custom

SamsungSKhynixMicron2022-2025年营收数据可以发现：20232023AI存储量产产能成为企业业绩增长的核心分水岭。HBM高端存储量产能力的Samsung、SKhynix、MicronHBMAI图表42：全球主流存储厂商营收对比各公司公告盈利层面，HBMDRAMSamsungSKhynixDRAMHBMDRAMAI2024-202535.41Micron、Samsung、SKhynix，本土厂商业绩弹性持续兑现。图表43：全球主流存储厂商毛利率对比各公司公告2024-2026Q1SamsungSKhynix、Micron务器高附加值DRAM出货比例，营收与综合ASP同步大幅上行，2026Q1三家单Gb1.02、1.24、1.10图表44：全球主流存储厂商DRAM业务营收对比 图表45：全球主流存储厂商DRAM业务综合ASP对比SemiAnalysis SemiAnalysisDRAMDRAMDDR5ASP有望迎来确定性修复；产能扩张与产品结构优化形成共振，将持续抬升公司中长期业绩中枢。WTO、深度融入全球半导体分工，国内逐步成为全球最大半导体进口市场，存储芯片对外依存度长期处于高位，产业链安全风险凸显。为破解“卡脖子”DRAM2003年，国家布局十六个重大科技专项，其中01专项（核心电子器件、高端通用芯片）、02专项（极大规模集成电路制造技术及成套工艺）定向攻坚半导体底层制造与芯片技术，为国内存储产业技术积累奠定基础；2006（2006—2020DRAM图表46：《国家集成电路产业发展推进纲要》总体目标中华人民共和国国家互联网信息办公室20142020图表47：《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》目标中华人民共和国中央人民政府2014（大基金一期）138720192024204134402020LPDDR5/DDR5AI图表48：国家集成电路大基金投资情况央视网2018年以来，半导体产业成为中美科技博弈核心赛道，海外对华半导体管制持续收紧。2019存储芯片设备、材料及技术引进受限，本土DRAM产业迭代节奏放缓。202210EAR18nmDRAM2024-2025DRAMDRAM图表49：2019-2025年美国对华半导体出口管制政策升级历程中国科技网，中华人民共和国中央人民政府，美国驻华大使馆和领事馆，爱建证券研究所盈利预测与估值分析我们预计公司2026-2028年营业收入为2796.17/4277.58/6077.16亿元，同比增加352.46%/52.98%/42.07%。公司营收增长主要由LPDDR系列与DDR系列两大核心主业驱动：LPDDR面向移动终端、AIAIDRAM产品盈利水平修复。我们预计2026-2028年LPDDR系列营收1632.01/2366.41/3218.32300.95%/45.00%/36.00%。DDR主要覆盖服务器、PCAIDRAMDRAM2026-2028DDR1146.66/1891.99/2837.99487.09%/65.00%/50.00%。图表50：公司收入拆分及预测202420252026E2027E2028E营业总收入（百万元）24178.2561799.32279617.20427758.40607716.36YOY（%）LPDDR系列19798.2640703.55163200.88236641.28321832.14YOYDDR系列3173.9719531.29114666.25189199.31283798.97YOY其他产品及服务956.521040.541144.591259.051384.96YOY其他业务249.50523.95602.54662.80695.94YOY毛利率（%）5.58%40.99%72.22%76.99%77.93%LPDDR系列-1.23%37.25%DDR系列-26.87%41.89%其他产品及服务-3.38%-17.23%长鑫科技招股说明书 测算注：其他业务数据根据长鑫科技招股说明书缺口测算；各产品毛利率及总毛利率均取自长鑫科技公开披露数据。SKhynixMicron、Samsung三家企业2026E-2028EPE均值分别为8.74/5.43/5.18X。长鑫科技作为国内存储IDM龙头，正处于国产替代突破、产能快速扩张阶段，收入规模相对较小，营收已2026-2028PE27.25/15.95/11.00X，IDM存在估值溢价。后续随着产能持续释放、工艺迭代成熟、规股票代码股票简称收盘价EPS（元）PE（X）图表51：可比公司估值表（截至股票代码股票简称收盘价EPS（元）PE（X）000660.KSSKhynix（元）7,149.742025A293.442026E1,216.992027E1,570.122028E1,688.462025A24.372026E5.872027E4.552028E4.23MU.OMicron6,358.6353.94445.73908.90984.97117.8814.277.006.46005930.KSSamsung1,179.7132.09193.91248.75242.7136.766.084.744.86中值36.766.084.744.86均值59.678.745.435.18688825.SH长鑫科技57.550.032.113.615.232,052.9527.2515.9511.00Wind注：可比公司EPS、PE数据取Wind一致预测风险提示长鑫科技存储工艺良率爬坡不及预期：DRAM、HBM存储行业周期性波动风险：存储行业具备极强周期属性，供需格局极易随厂商扩高端光刻机及海外设备出口管制风险：HBMEUVEUVDUVHBM高端产品量产与客户认证不及预期风险：HBM2、HBM2E仅完成工程样品及客户送样，HBM3、HBM3ESamsung、SKhynix、Micron存在明显技术代差；HBM涉及多层堆叠、TSV硅通孔等高难度长鑫科（688825.SH） 2026年08月20日资产负债表人民币:百万元利润表人民币:百万元资产负债表人民币:百万元利润表人民币:百万元会计年度202420252026E2027E2028E货币资金42698.6851990.22273337.63580101.461027391.60应收票据及账款1845.891523.743830.375859.708324.88预付账款109.9893.09846.53969.671608.72其他应收款144.17170.531219.461522.942407.00存货18549.5328567.6938303.3437749.8440419.18其他流动资产4665.8628640.6264823.3779846.73110148.36流动资产总计68014.11110985.88382360.71706050.331190299.75长期股权投资299.861519.541519.541519.541519.54固定资产153252.56183147.34175642.80176125.74186362.85在建工程41208.6931789.6248526.4148929.8728333.33无形资产5153.414277.563773.453884.354130.24长期待摊费用873.131005.70952.85400.00375.00其他非流动资产2797.074059.284659.284809.284959.28非流动资产合计203584.72225799.04235074.33235668.79225680.25资产总计271598.83336784.92617435.04941719.121415979.99短期借款1796.489675.909575.909375.908875.90应付票据及账款6274.948701.6919364.4724537.3933437.69其他流动负债49119.3734464.7666671.9784308.07115617.90流动负债合计57190.8052842.3695612.34118221.37157931.49长期借款96064.27118888.98118888.98118888.98118888.98其他非流动负债14086.8910953.6510953.6510953.6510953.65非流动负债合计110151.16129842.63129842.63129842.63129842.63负债合计167341.95182684.98225454.96248063.99287774.11股本57770.9460192.8066880.8866880.8866880.88资本公积22165.8633103.7684334.4584334.4584334.45留存收益-38517.14-36542.85104726.81346066.86695880.21归属母公司权益41419.6656753.70255942.15497282.19847095.54少数股东权益62837.2297346.24136037.93196372.94281110.34股东权益合计104256.88154099.94391980.07693655.131128205.88会计年度202420252026E2027E2028E营业收入24178.2561799.32279617.21427758.41607716.37营业成本22829.5436465.4177670.6698419.22134118.20税金及附加182.76350.591286.241924.912734.72销售费用223.97337.13643.12941.071336.98管理费用2358.316630.926990.437485.7710331.18研发费用4607.289593.259506.9912404.9917623.77财务费用2204.282953.752227.181296.46-38.36资产减值损失-2464.12-754.66-279.62-427.76-607.72信用减值损失-8.670.890.000.000.00其他经营损益-0.00-0.00-0.00-0.00-0.00投资收益104.94-68.1242.73-57.1344.77公允价值变动损益-177.62371.53100.00100.00100.00资产处置收益4.3212.147.249.388.24其他收益1800.302690.662044.332178.432304.47营业利润-8968.767720.71183207.28307088.90443459.64营业外收入15.8413.2114.5014.5014.50营业外支出95.7432.8055.0055.0055.00其他非经营损益0.000.000.000.000.00利润总额-9048.667701.12183166.78307048.40443419.14所得税2.34556.883205.425373.358868.38净利润-9051.007144.24179961.36301675.05434550.75少数股东损益-1906.115269.3838691.6960335.0184737.40归属母公司股东净利润-7144.891874.86141269.67241340.04349813.36EBITDA9379.6637741.33219218.67347050.41487919.32NOPLAT-7571.4813325.43182083.99302881.15434446.78EPS(元)-0.110.032.113.615.23负债和股东权益合计271598.83336784.92617435.04941719.12141597