【《H公司集成电路晶圆制造生产工厂生产系统现状与问题分析案例》10000字】

H公司集成电路晶圆制造生产工厂生产系统现状与问题分析案例目录TOC\o"1-3"\h\u19603H公司集成电路晶圆制造生产工厂生产系统现状与问题分析案例 196301.1集成电路晶圆制造工艺流程与生产设备 1228741.1.1扩散工艺流程及生产设备 2304591.1.2光刻、离子注入、刻蚀、薄膜和研磨工艺流程及生产设备 6213251.2生产设施现场布置 7162991.2.1生产车间整体布局概述 8214391.2.2炉管区域layout 9134131.3生产制造管理系统及指标参数 106381.1.1制造执行系统 10133161.1.2生产设备产能管理 10184801.1.3产品工艺流程管理 11237841.1.4关键生产指标参数 13集成电路晶圆制造行业从20世纪下半叶开始逐步成长为制造业中尖端制造的代表型行业。H公司G工厂拥有一条先进的8英寸集成电路晶圆制造生产线，为世界各国的客户加工生产晶圆。G工厂的集成电路晶圆制造工艺是围绕CMOS集成电路开发出来的特色工艺，代表性的产品为嵌入式非易失性存储器（EmbeddedNon-VolatileMemory）。1.1集成电路晶圆制造工艺流程与生产设备一片没有电路图形的衬底硅片从通过激光为它打上唯一的标签开始进入生产线直到通过最终电性测试，完成质量检查后封包离开生产线运送到客户手上，它将在生产线上经历大约六到八周的时间。以G工厂典型的产品为例，在整个生产过程中，它将经历大约532个复杂的制造工艺步骤，重复进入约92种不同种类的机器设备。由此可见，集成电路晶圆制造工艺流程的复杂性是无以复加的。在生产制造过程中，硅片（Wafer）也被称为晶圆，它通常情况下不会单独进行生产，因为装载晶圆的器具被称为晶舟（Cassette），它的拥有固定的25个槽位，所以其最多可以装载25片晶圆来进行生产。装载了晶圆的晶舟并不能直接开始生产，它们被装入透明的晶盒（Pod）中，用来便于运输的同时达到更高的环境质量要求。每个在生产线上的晶盒都装有可以与生产设备交互信息的智能标签（SmartTag），使生产设备可以自动完成制造执行系统的生产命令，也能够便捷的告诉作业员它目前所处的生产状态。这样的25片晶圆组成了一个批次（Lot）的产品，它们将在生产线完成相同的生产工艺流程。通常情况下，生产数据的分析和调度工作的安排以批量为单位展开。一批产品投入到生产线后将经过扩散（Diffusion）、光刻（PhotoLithography）、刻蚀（Etching）、薄膜（ThinFilm）、离子注入（IonImplantation）和化学机械平坦化（Chemical-MechanicalPolishing，CMP）6大工艺种类的一系列复杂的化学或物理操作，最终形成预先设计好的集成电路芯片，化学机械平坦化也被简称为研磨。集成电路晶圆制造流程为典型的重入型，同时各个工艺之间还存在不断交互，下图为G工厂中典型的工艺流程示意图：图1.1H公司G工厂中典型的集成电路生产制造流程示意图1.1.1扩散工艺流程及生产设备扩散工艺主要包含热氧化（ThermalOxidation）和膜淀积。热氧化就是在特定的温度环境下，一般反应所需温度控制在800~1200摄氏度之间，通过从外部通入高纯度的氧气至反应室，使氧气和硅基衬底发生氧化反应，在硅片的表面生长出一层氧化层，这也是以硅为基材的现代集成电路晶圆制造技术的基础之一。之所称这样的热氧化反应为“生长”，是因为在反应过程中，得到了氧化物但也消耗了硅基材料。在硅的表面时刻的覆盖着一层二氧化硅氧化膜，即使刚刚制备成的硅片，暴露在室温下的空气中后就会立刻在它的表面生长出几个原子层的二氧化硅氧化膜。但是这层氧化膜不是均匀的，通常情况下在集成电路晶圆制造过程中被定义为污染物。硅的氧化物只有二氧化硅（SiO2）一种，通过适当的热氧化技术制备的二氧化硅氧化层能够紧紧的附着在硅片的表面，具有很高的质量，稳定的化学性质和良好的电绝缘性。也由于二氧化硅具有这样的特点，它在集成电路晶圆制造过程中的应用非常的广泛。根据不同的技术需求，二氧化硅氧化膜用于隔离保护元器件的保护层，表面钝化层、离子注入或扩散的掩蔽层、电性隔离层、绝缘层和电容的介质材料等等。硅片表面的二氧化硅氧化膜不仅可以通过热氧化来制备，也可以通过膜淀积的工艺方法制备，通过从外部不仅通入氧源，同时也通入硅源到反应室中，在一定的温度条件下，使它们发生化学反应，从而在硅片表面形成所需的二氧化硅氧化膜。膜淀积不仅仅可以制备二氧化硅，它还可以制备氮化硅，多晶硅以及掺杂的多晶硅等厚度均匀、粘附性良好的高密度化合物薄膜，不同化合物的薄膜具有不同的特点，它们广泛的应用在集成电路晶圆制造的相关工艺中。扩散中的膜淀积属于化学气相淀积（ChemicalVaporDeposition，CVD），通常为低压化学气相淀积（LowPressureChemicalVaporDeposition，LPCVD）。低压是指在给定的空间内，气体压力低于1个标准大气压的状态，通常用真空度来描述低压状态下的气体稀薄程度。集成电路行业内通常会以托为计量单位来描述真空度，1托为131.3帕，而1个标准大气压为101325帕。低压化学气相淀积的反应气体分子在0.2至0.5托的真空度和500至800摄氏度的高温下，不断扩散和被吸附到硅片的表面，借助硅片表面提供的能量发生化学反应，淀积生成所需要的薄膜，但同时并不与硅片发生化学反应。扩散工艺主要的生产设备为炉管（Furnace）设备，分为卧式炉管和立式炉管两种不同的类型，命名的不同来自承载硅片的舟的水平位置的差异。从集成电路产业一开始，卧式炉管广泛应用在硅片热处理工艺中。随着科学技术不断的革新，立式炉管由于占地面积更小，自动化程度更高，温度、均匀性和微尘颗粒污染控制的更好，成为了主要的扩散工艺生产设备。炉管设备的反应腔主要由舟（Boat）和石英工艺腔（Tube）组成，舟通常是用耐高温的无定形石英做成的，但是由于石英和硅结合时的应力较大，容易产生微尘颗粒污染反应腔和硅片，会采用比石英昂贵得多的碳化硅（SiC）为原材料来制作。在制备多晶硅和掺杂多晶硅的炉管设备中，往往会使用碳化硅制成的舟，以获得更好的生产质量。在立式炉管中，硅片水平放置在垂直的硅舟上，石英工艺腔像钟一样把硅舟罩在它里面。在集成电路晶圆制造设备中，炉管设备是典型的批处理设备，在G工厂的8英寸生产线中最大可同时处理2~6个批次产品合50~150片硅片，分别为2个批次共50片、4个批次共100片、6个批次共150片。不同处理能力的差异由生产工艺要求所决定，同时硅舟也会被设计成与其处理能力的相符的长度。炉管设备虽然可以同时处理多片硅片，但是单次加工时间远高于其他工艺设备，单位时间生产率较低且预防性保养周期短，保养作业时间却长的缺点，使某些炉管设备群组经常成为整条生产线的瓶颈设备。按照工艺中所需压力、温度、薄膜厚度、薄膜类型的不同，炉管设备在生产中被分成不同的设备群组。不同的设备群组间，大部分不能通过换模来实现工艺转换；少数需要较长时间的换模准备可以进行工艺转换。基础的分类是以压力来区分，分别是常压炉管（AtmosphereFurnace）和低压炉管（LowPressureFurnace），常压炉管用于正常大气压下制备二氧化硅的热氧化工艺，低压炉管用于一定真空度环境下进行膜淀积制备二氧化硅、氮化硅和多晶硅等化合物制备的低压化学气相淀积工艺。常压和低压炉管之间工艺设计不同，因而不能进行工艺转换。东电电子有限公司（TOKYOELECTRONLTD，TEL）作为全球半导体制造设备厂商的头部企业，所能提供产品主要包括：涂布和显像设备（光刻中的涂光刻胶和曝光后显影）、炉管设备（扩散）、干法刻蚀设备（刻蚀）、化学气相淀积设备（薄膜）、湿法清洗设备和测试设备，覆盖当今主流的200mm和300mm集成电路晶圆制造生产线不同的工艺制程。本文将研究的炉管为东电电子有限公司生产的ALPHA-8SE型用于200mm硅片制造的设备。该设备外观如下图：图1.2TELALPHA-8SE立式炉管设备外观图ALPHA-8SE炉管设计为2个SMIFPort（StandardMechanicalInterface）,可以同时处理两个批量的晶圆传进和传出。这样的标准传输界面使设备的自动化程度大大提升。当晶盒被放置到SMIF上后，通过读取智能标签可以获取它的生产信息，随后按照信息里的生产要求开始工艺，待工艺结束后，晶圆被传回晶盒，智能标签接收和写入最新的生产信息，进入下一个工艺流程。机台内拥有21个晶舟存储位置（cassettestocker），目的是使生产更加连贯，提升生产效率。硅舟的承载能力由工艺要求决定，最大承载量为100片和150片。与炉管设备相伴而生的为湿法清洗设备，一般作为炉管的前置工艺设备，它主要的作用是提供高质量的表面，减少影响成膜质量的微尘颗粒。作为炉管的后置工艺设备时，主要作用是清除因反应而衍生出的附着在晶圆表面的副产物，目的也是为了获得更高的表面质量，减少后续工艺的缺陷产生。湿法清洗设备通常被称为酸槽，由多个盛装不同化学品的槽组成，包括各种酸液以及超纯水。其原理是利用各种酸液的化学性质，和浸入到槽中的硅片进行化学反应，以去除附着在硅片表面的微尘颗粒、金属微粒、有机物和氧化物等会对后续工艺品质产生严重影响的污染物。酸槽也是批处理设备，每个槽的最大批处理量为50片，由于参与化学反应时间较短，具有生产率高的特点，单台设备的单日产出可达4000片，但设备体积庞大需要更大的空间来布置也是它的缺点，如前文所述在工厂生产成熟后通常制约扩充发展的因素转化为厂房空间。酸槽的工艺制造过程可以分为串行和并行两种，区别如下图所示：图1.3酸槽工艺制造流程示意图在超薄氧化物和氮氧化物薄膜制备中主要使用快速热处理（RapidThermalProcessing，RTP）。RTP生产设备具有升温速度快的特点，通常可达到200摄氏度每秒，同时还具有热的均匀性和稳定性高的特点。反应腔中热源来自卤钨灯，每次可以处理一片晶圆。工艺类型根据应用不同分为快速热氧化（RapidThermalOxidation，RTO）、快速热氮化（RapidThermalNitridation，RTN）和快速热退火（RapidThermalAnnealing，RTA）。同一台设备可以具备RTO和RTA的工艺制备能力，它们之间的工艺转换不需要进行换模准备。RTN为单一设备能力，无法与RTO或RTA进行工艺转换。1.1.2光刻、离子注入、刻蚀、薄膜和研磨工艺流程及生产设备光刻是通过特定光源对光刻胶进行照射，将掩膜版上的图形转移到硅片上的工艺。它的原理类似于洗印照片，首先将光刻胶涂抹在硅片上，然后在掩膜版遮蔽下进行曝光照射，由于正光刻胶的敏感性特点，图形区域变得可以溶于显影液，所以经过显影液清洗去除后，掩膜版上的图形呈现到了硅片上，这些图形为后续的刻蚀或者离子注入创造生产准备条件。光刻胶对黄光不敏感，所以光刻设备以群组形式聚集布置在黄色光照的环境下，以提供稳定的工艺质量，所以光刻也被称为黄光。光刻设备中的瓶颈通常是曝光部分，曝光时间大约需要40秒每片，连续生产同一种产品的同一工艺时，不需要进行换模，当产品或工艺变换时，需要进行换模，准备时间约为60秒。光刻设备根据光源的不同可以提供不同的关键尺寸加工能力，8英寸集成电路晶圆制造中常用设备类型说明参见表1.1。表1.18英寸集成电路晶圆制造中常用设备类型表设备类型光源类型波长（纳米）关键尺寸加工能力（纳米）GUVg-line437600MUVi-line365300DUVKrf248130ARFArf19390光刻设备是集成电路晶圆制造设备中最为昂贵的设备，行业内12英寸生产线中顶尖的7纳米工艺制程设备EUV需要上亿美金，关键尺寸加工能力越小设备的价格越高。在整个集成电路晶圆制造流程里，光刻是重入次数最多的工艺设备，但不是所有的单步工艺都需要极小的尺寸加工能力，所以工厂会以实际工艺需求来布置不同类型的光刻设备，以节约投入成本。离子注入是将原子或分子被电离后产生的离子加速到一定的能量后，注入到晶圆中的特定区域，使该区域获得所需电性特征的工艺过程。相应的生产设备根据工艺所需的能量和电流不同分为高能离子注入机，中电流离子注入机和高电流离子注入机。能量越高则离子注入的深度越深，电流越大则离子注入的浓度更高，但这两个参数是相互制约的存在，所以发展成为三种不同类型的注入设备。工艺过程中不同工艺菜单所需的换模准备时间变化较大，时间最长的是离子源的变化，不同离子源间的切换需要15~30分钟的准备时间。刻蚀的工艺过程就是通过化学或者物理的方法，有选择的去除硅片表面不需要的特定区域。通常刻蚀是光刻的后置工艺，通过光刻工艺后，在硅片表面形成了包含特定图形的光刻胶层，被光刻胶覆盖的部分，不会受到刻蚀的影响，而没有光刻胶覆盖保护的部分在刻蚀反应中被有选择的去除，最终完成光刻图形转移至硅片表面的复制过程。刻蚀分为湿法刻蚀和干法刻蚀两大类，湿法刻蚀与前文所述的湿法清洗工艺过程基本类似，生产设备也同为酸槽设备，差异为槽内酸液、反应顺序和反应时间的不同，以达到不同工艺要求。干法刻蚀是用被电离的刻蚀气体形成的电浆与硅片表面未被遮蔽的区域发生物理溅射反应或化学反应（或两种反应）将不需要的表面刻蚀去除的工艺过程。干法刻蚀所用设备为腔体类，每腔每次处理一片硅片，一般该类设备拥有2到4个腔体，其工艺时间根据菜单不同而不尽相同，通常每小时可以产出一批。薄膜分为物理气相淀积（PhysicalVaporDeposition，PVD）和化学气相淀积（ChemicalVaporDeposition，CVD）。物理气相淀积主要通过对原材料使用蒸镀或者溅镀的物理方法在硅片表面制备薄膜，化学气相淀积同前文扩散中所诉，通过原材料的化学反应在硅片表面淀积成膜。薄膜的生产设备为腔体类，进行单次单片加工。研磨也称为化学机械平坦化（Chemical-MechanicalPolishing，CMP），通过研磨液的化学反应和研磨头的物理研磨的同时作业对硅片进行表面的平坦化处理。通常一台研磨设备拥有4个研磨头，每个研磨头每次只可处理一片硅片，每天的处理能力为500至800片。综上所述，重入型的集成电路晶圆制造工艺流程极为精密而又复杂，同时生产周期长，各种产品工艺特点差异性极大，生产设备的特点各自不一，给生产管理者的工作提出了巨大的挑战，如何能够获得更优的生产绩效是从业者一直致力于的研究方向。1.2生产设施现场布置集成电路晶圆制造过程是在无尘洁净室（CleanRoom）中开展的，洁净室为硅片的高质量生产提供符合要求的微尘颗粒大小和数量、温度和湿度的外界环境要求。进出洁净室的人员需要穿戴无尘衣来减少污染源，进出洁净室的物品受到严格的管制，例如只有无尘纸和圆珠笔才能进入。洁净室中不同的生产区域拥有不同的洁净度等级，在生产过程中硅片直接暴露于环境中的区域洁净等级最高为Class1，例如晶圆投入、设备SMIF内和晶圆测试区域。1.2.1生产车间整体布局概述H公司G工厂在建厂之初，虽然设计为8英寸集成电路晶圆制造生产线，但是依然使用了可持续发展的观点进行规划建造，具有洁净室面积更大和层高更高的特点。经过数年的不断发展，洁净室的使用面积占比已然从一开始的百分之五十，到目前已经超过百分之九十的使用率。未来发展方向还可以从横向扩充转变为垂直发展，例如物料的储存等等。目前在洁净室内共有600多台设备，其中主要工艺设备450余台，辅助和测试的设备150余台。按照集成电路晶圆制造的特点，生产设备使用机群式的工艺布置原则进行规划，将同型生产工艺的设备集中布置在同一个区域内，以最大化设备利用率和作业人员柔性度。所以形成了6大主要工艺区：扩散区、光刻区、刻蚀区、薄膜区、离子注入区和研磨区，辅以晶圆投入区和晶圆测试及质检区。同时使用自动物料传输系统（AutomatedMaterialHandlingSystem，AMHS）连接各个区域物料储存和搬送。生产设备布置平面图如图1.4所示。图1.4H公司G工厂洁净室生产设备布置平面图集成电路晶圆制造作为典型性的重入型生产系统，在以工艺原则布置的基础上，也进行了对产品原则布置的考虑，根据生产流程中前后关系紧密程度进行布置，例如在金属互连的工艺流程中多次重复发生的光刻刻蚀薄膜研磨的循环过程，也体现在对应区域的布置里面。1.2.2炉管区域layout炉管区域目前一共有100余台生产设备，常压炉管的数量占比百分之四十，低压炉管占比百分之六十，形成16个工艺群组，其中本文所研究的瓶颈设备DPL炉管群组为低压炉管。不但因为洁净室寸土寸金的空间有限空间，而且由于生产设备通常以百万美金为单位的昂贵价格，设备扩充往往和生产需求紧密结合的，只有当该机台群组当前的产能再无法满足需求时才会被列入购买清单。于是造成了在主要的工艺布置原则下，具体到每个机台时，其前后左右的机台并无特殊布置规则，放置顺序是按照购买时间而定的。本文讨论的DPL炉管设备的分散在大的炉管区域内，便是此种缘由。标注出DPL的炉管区域布置如图1.5所示。图1.5炉管设备布置平面示意图从图中可看到，负责不同工艺的炉管设备并无特定顺序的布置在扩散区域内，通常作业员按照群组的分类进行每班的生产操作，但是也会存在一位作业员负责不同群组的炉管设备的情形。新进的作业员从进入生产线开始便针对一组设备进行学习，在熟练后便可以快速掌握其他群组设备的操作，这也是由于大多数炉管设备类似的操作方式，降低了人员的培训成本，提升了人员使用的灵活性，从而降低了由于设备分散带来的影响。而另一方面，新设备的导入周期是以年单位的，一台新设备从购买决策的制定到下订单到设备工程，经过搬入、组装、试验、试产验证等严格的流程到最终投入到生产，通常需要一年半至两年的周期。所以管理者更加关注当下情况，在产能无法立刻发生结构性提升的情况下，致力于从生产管理方面着手来不断提升生产绩效。1.3生产制造管理系统及指标参数1.1.1制造执行系统在建厂一开始，制造执行系统便导入到制造管理中，它是面向用户的信息管理系统，它将生产设备、传输设备、工艺参数和产品通过网络连接在一起，造就了制造流程更高的自动化程度。设备工程师可以实时的从系统中了解设备的各项参数的表现，当某些参数超出或低于目标范围时，系统便会触发报警或者直接做出宕机的动作将设备状态切换至停止继续生产。工艺工程师可以通过系统进行工艺菜单管理，当某台设备的某个工艺菜单发生品质问题时，工艺工程师可以将其变为禁用的状态，问题解决后再次打开。作业员通过系统可看到当前设备的状态，在该设备中正在生产的是哪些产品，有哪些产品在该设备前等待生产，未来会有哪些产品到达，它们当前在哪个设备生产等等生产信息。作业员还通过系统进行派工，当工艺菜单被禁用后，相应的产品便无法派入设备。此时接收到派工指令的产品会从AMHS中远端的存储中自动传送自该设备对应的出口。产品到达后作业员将其放置于设备SMIF端，设备开始完成自动进站，工艺完成后产品自动出站，作业员将其投入AMHS入口，产品转入存储等待下一个派工指令。制造执行系统使生产制造流程从纸本记录转变为系统信息化控制，大大提升了生产效率和质量，提供了更好的生产管理平台，改变了管理方式。庞大的生产信息被它一一记录下来，汇总形成各种报表，为管理者的决策提供必要的帮助。同时基于制造执行系统的信息而衍生开发出来多种系统工具软件，它们对生产绩效的不断改善起到了更多的促进作用。制造执行系统也并非是万能的，它的缺点也是明显的。它并不具备调度功能，无法进行科学的、合理的且有效的调度后自动完成派工，调度的工作需要人来完成而非系统计算，人的因素对调度结果产生更大的影响，同时人对调度策略的执行度也无法保证达到百分之百，所以生产绩效的改善也给管理者带来了更加艰难的挑战。1.1.2生产设备产能管理集成电路晶圆制造中通常用设备综合效率（OverallEquipmentEffectiveness，OEE）来衡量设备的实际生产能力和理论生产能力的比率，包含可用效率、表现效率和质量指数三个因子，通过它们的乘积获得设备的OEE表现。H公司，在OEE模型的基础上设计了设备的标准日产能计算方法，如公式（3-1）公式（3-1）中，C表示设备的日产能，通常会以月度为单位进行修订。U（Uptime）表示设备每日可生产时间所占比率，不可生产时间通常包括设备的预防性保养和设备运行参数测试等计划性的停机时间以及通过长期数据累计而统计得出的合理的非计划性停机时间。E（Efficiency）表示产出效率，实际意义为单位时间内实际产出与理论最佳产出的比率，通常的考虑的因素是人员操作和设备老化等。WPH（WaferperHour）则表示每小时产出理论上最佳值的加权平均值。R表示设备的返工率，是返工数量与总产出的比值，通常通过历史数据统计得出该参数。对于一些设备来说，由于很少发生返工，经常被设定为零。通常产能的月度修订以WPH的修订为主，计划月度内该设备计划生产的产品种类和数量均是变量。因为生产线上存在多种多样的产品，它们在同一台设备的生产工艺菜单不同，进而加工时间不尽相同，即使同一个产品在不同生产阶段重入同一设备时，也会有不同的工艺时间差别。所以可总结为不同的工艺菜单加工时间不同，针对月度内具有相同工艺菜单的生产需求，经过加权平均得到某一设备m的WPH修订值，计算公式如（3-2）:（3-2）式中i表示工艺菜单加工类别，Q表示具有同一工艺菜单的产品的数量总和，WPHi表示工艺菜单i的WPH值，n表示工艺菜单的数量。我们以G工厂的某设备举例说明产能的计算方式：U设定为89.1%，E设定为96.5%，WPH通过公式（3-2）计算结果为87.25，R设定为1.2%，经公式（3-1）计算可得，该设备的日产能为1779。生产设备产能是生产制造过程中的关键指标之一，U和R由工程部负责，E由制造部负责，WPH由工业工程部负责制定，管理者通过对各项参数的目标化管理，来完成既定的生产任务。而生产中的改善活动也能通过对各项参数的研究，得到改善的方向指引。1.1.3产品工艺流程管理产品工艺流程是制造执行系统中连接产品与其他生产要素的专属路径，一种产品拥有一一对应的工艺流程表，硅片按照产品工艺流程表进行自前而后的顺序生产。集成电路晶圆制造中，产品的开发是平台化的和模块化的，功能类似的产品具有类似的工艺流程，所以同一类产品拥有相类似的工艺流程表。表中StageID表示工艺站点，通常包含主工艺步骤和清洗、量测和检查等附属工艺步骤。StageOrder定义为该站点的序列，StageID与StageOrder采用一一对应的原则，因此StageID的先后顺序具有唯一性。StepSequence中的Step表示工艺步骤，Sequence则表示在该产品的工艺流程中的序列号。EQPTYPE表示该工艺步骤所使用的设备群组，RecipeID表示该工艺步骤的工艺菜单，即完成该工艺生产所用各个参数配方的名称。因此该设备群组中具有对应工艺菜单加工能力的设备便可以进行生产该工艺步骤。举例说明：一批产品到达PSN且序列为0006的工艺步骤，所用炉管设备DF5，工艺菜单2000，DF5设备群组拥有10台设备，其中01至09号均可生产2000的工艺菜单，最终该产品由05号DF5设备完成工艺加工。表1.2T0001工艺流程示意列表StageIDStageOrderStepSequenceEQPTYPERecipeIDMAK10001WS1T0001MAK10002WS230POX20003DF1T0001POX20004DF3150POX20005DF0OX500PSN50006DF52000PSN50007DF0SN6000APH100008PH160APH100009PH3T0001:APHAPH100010PH4T0001/APHAPH100011PH5T0001:APHAPH100012PH6T0001STET110013ET115STET110014ET540SSTET110015ET6T0001STET120016ET8T0001STET120017ET9T0001STET120018ET011STLN130019DF1T0001STLN130020DF6200产品工艺流程管理不仅使生产制造能够完成更高的自动化程度，同时对于生产管理的改进优化也具有现实意义。管理者可以通过系统获得产品的分布情况、站点的分类汇总、站点所需的加工时间和站点间到达时间分布等生产线的参数信息，继而通过研究改善来提升生产绩效。1.1.4关键生产指标参数WIP（WorkInProcess）：在制品，在集成电路晶圆制造中也会被称为WaferInProcess，硅片从投入到生产线一直到完成全部工艺流程离开生产线的过程中均称为WIP。WIP按照生产状态分为，工艺中的WIP（RUNWIP）,等待中的WIP（WAITWIP）,异常处理中的WIP（HOLDWIP）。所以在一直运行的生产线中，WIP一直处于变动的状态，对它的研究通常要结合时间概念，例如过去一天的平均WIP或今天早晨7:30的WIP情况。生产周期（CycleTime，C