GB/T 20521.12-2026半导体器件第14-12部分：半导体传感器基于CMOS成像的气体传感器的性能测试方法

ICS3108001

CCSL.40.

中华人民共和国国家标准

GB/T2052112—2026

.

半导体器件第14-12部分

:

半导体传感器基于CMOS成像的

气体传感器的性能测试方法

Semiconductordevices—Part14-12Semiconductorsensors—

:

PerformancetestmethodsforCMOSimager-basedgassensors

2026-08-28发布2027-03-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T2052112—2026

.

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

通用术语

3.1……………1

性能参数

3.2……………2

测试环境条件

4……………2

测试系统

5…………………3

概述

5.1…………………3

气体流量计

5.2…………………………3

气管

5.3…………………3

气室

5.4…………………3

图像存储设备

5.5………………………4

图像分析系统

5.6………………………4

测试方法

6…………………4

测试前准备

6.1…………………………4

灵敏度

6.2………………4

检测限

6.3………………5

选择性

6.4………………6

响应时间

6.5……………6

重复性

6.6………………7

稳定性

6.7………………8

测试报告

7…………………9

附录资料性基于成像的气体传感器的原理和类型

A()CMOS……10

原理

A.1………………10

类型

A.2………………10

附录资料性测试报告模板

B()…………12

参考文献

……………………13

Ⅰ

GB/T2052112—2026

.

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是半导体器件第部分半导体传感器的第部分

GB/T20521《14:》14-12。GB/T20521

已经发布了以下部分

:

第部分半导体传感器传感器总规范

———14-1:(GB/T20521.1—2026);

第部分半导体传感器霍尔元件

———14-2:(GB/T20521.2—2025);

第部分半导体传感器压力传感器

———14-3:(GB/T20522—2006);

第部分半导体传感器半导体加速度计

———14-4:(GB/T20521.4—2025);

第部分半导体传感器结半导体温度传感器

———14-5:PN(20521.5—2025);

第部分半导体传感器基于成像的气体传感器的性能测试方法

———14-12:CMOS

(GB/T20521.12—2026)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本文件起草单位之江实验室浙江迈镝生物科技有限公司德玛克浙江精工科技有限公司国科

:、、()、

大杭州高等研究院山东华光光电子股份有限公司中国电子科技集团公司第十三研究所浙江大学

、、、、

中国计量科学研究院中国电子技术标准化研究院浙江大学医学院附属邵逸夫医院公安部第三研究

、、、

所中科微感宁波科技有限公司中绍宣科技集团有限公司长沙钛合电子设备有限公司深圳市海曼

、()、、、

科技股份有限公司河南驰诚电气股份有限公司珠海芯曜工研科技有限公司深圳市瑞之辰科技有限

、、、

公司北京博视像元科技有限公司深圳市斯科尔科技股份有限公司

、、。

本文件主要起草人王镝崔瑶轩曹耀龙张建锋朱贺李振廷王忠新张芬妮钟鑫孙志学

:、、、、、、、、、、

吴德华徐英莹吴海刘秀娟沈文锋刘彩霞王亚飞曾勇刚黄永锋班茜茜徐卫锋时学瑞

、、、、、、、、、、、、

李金鹏周小华杨军超蔡壮钦

、、、。

Ⅲ

GB/T2052112—2026

.

引言

半导体传感器是电子行业产业链中的通用基础产品广泛应用于智能汽车工业制造消费电子医

,、、、

疗健康等领域半导体器件第部分半导体传感器拟由部分组成

。GB/T20521《14:》8。

第部分半导体传感器传感器总规范目的在于规定各类半导体传感器的基本要求

———14-1:。。

第部分半导体传感器霍尔元件目的在于规定半导体霍尔元件的相关要求

———14-2:。。

第部分半导体传感器压力传感器目的在于规定半导体压力传感器的相关要求

———14-3:-。。

第部分半导体传感器半导体加速度计目的在于规定半导体加速度计的相关要求

———14-4:。。

第部分半导体传感器结半导体温度传感器目的在于规定半导体结温度传

———14-5:PN。PN

感器的相关要求

。

第部分半导体传感器穿戴式葡萄糖传感器性能评价方法目的在于规定穿戴式葡

———14-10:。

萄糖传感器的性能评价方法

。

第部分半导体传感器用于测量紫外线光线和温度的基于声表面波的集成传感器

———14-11:、、

测试方法目的在于规定用于测量紫外线光线和温度的基于声表面波的集成传感器的性能

。、、

测试方法

。

第部分半导体传感器基于成像的气体传感器的性能测试方法目的在于规

———14-12:CMOS。

定基于成像的气体传感器性能测试方法

CMOS。

Ⅳ

GB/T2052112—2026

.

半导体器件第14-12部分

:

半导体传感器基于CMOS成像的

气体传感器的性能测试方法

1范围

本文件描述了基于互补金属氧化物半导体成像的气体传感器的性能测试方法

(CMOS)。

本文件适用于基于无透镜成像和基于透镜成像的气体传感器的性能测试

CMOSCMOS。

2规范性引用文件

本文件没有规范性引用文件

。

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件

。

31通用术语

.

311

..