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一种晶圆样品的聚焦离子束超薄切片制样本发明涉及一种晶圆样品的聚焦离子束超法包括：(1)采用原子层沉积技术在晶圆样品表本发明的制样预处理方法能够很好解决聚焦离2述步骤(3)中，采用电子束诱导法镀第一导电保护层，采用离子束诱导法镀第二导电保护10.如权利要求1_9所述的晶圆样品的聚焦离子束超薄切片制样预处理方法在聚焦离3[0003]目前在对此类含有不耐辐照精细结构的晶圆样品进行聚焦离子束超薄切片制样[0005]本发明的目的在于克服现有技术的不足之处而提供一种晶圆样品的聚焦离子束[0007]第一方面，本发明提供了一种晶圆样品的聚焦离子束超[0008](1)采用原子层沉积技术在晶圆样品的目标制样区域沉积金属氧化物，得到ALD制样时，因为聚焦离子束的电子束/离子束辐照损伤和热损伤，容易发生晶圆表面结构变4[0012]本发明的制样预处理方法具体结合了金属氧化物ALD+热固化涂胶+镀导电保护层[0015]本发明通过在制样预处理中引入ALD层+涂胶+镀导电层的方法，完善了现有技术中不耐辐照精细晶圆结构进行聚焦离子束切片的制样方式，使拍摄时的精细结构形貌清5够确保样品目标区域的固化胶在离子束初次接触下不会变形鼓包，提升制样区域的准确后续的切片制样和透射电子显微镜(TEM)拍摄。所述减薄的参数为电压30kV，电流0.23_[0037]本发明对现有技术晶圆样品的制样预处理手段进行优化，通过结合金属氧化物[0038]图1为采用本发明实施例1中晶圆样品的聚焦离子束超薄切片制样预处理方法处6[0039]图2为采用本发明实施例2中晶圆样品的聚焦离子束超薄切片制样预处理方法处[0040]图3为采用本发明实施例3中晶圆样品的聚焦离子束超薄切片制样预处理方法处[0041]图4为采用对比例2中晶圆样品的聚焦离子束超薄切片制样预处理方法处理后样所述的晶圆样品的聚焦离子束超薄切片制样预处[0046]S2.利用原子层沉积技术在获得的晶圆样品裂片表面沉积一层金属氧化物膜层：[0051]实施例2的晶圆样品的聚焦离子束超薄切片制样预处理方法与实施例1的不同之[0053]实施例3的晶圆样品的聚焦离子束超薄切片制样预处理方法与实施例1的不同之7[0055]实施例4的晶圆样品的聚焦离子束超薄切片制样预处理方法与实施例1的不同之[0057]实施例5的晶圆样品的聚焦离子束超薄切片制样预处理方法与实施例1的不同之[0065]为探究本发明所提供的晶圆样品的聚焦离子束超薄切片制样预处理方法在聚焦[0067]本发明实施例1中晶圆样品的聚焦离子束超薄切片制样预处理方法处理后样品的[0070]从对比例1中的制样预处理方法处理后样品的拍摄效果可以看到，在电子束诱导[0072]从对比例3中的制样预处理方法处理后样品的拍摄效果

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