2026年半导体工艺工程师校招试题及答案

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一、单项选择题（共10题，每题2分，共20分）

1.半导体制造中，光刻的核心作用是（）

A.去除晶圆表面杂质B.转移图案到晶圆薄膜C.沉积金属层D.掺杂离子

2.下列哪种掺杂属于离子注入典型应用（）

A.扩散炉掺磷B.高能硼离子注入形成源漏C.原位掺杂沉积多晶硅D.蚀刻后掺杂

3.化学机械研磨（CMP）主要用于晶圆的（）工序

A.光刻显影B.表面平坦化C.离子注入D.薄膜沉积

4.浅沟槽隔离（STI）的主要目的是（）

A.相邻晶体管绝缘隔离B.降低晶圆粗糙度C.提高导电性D.增加蚀刻速率

5.半导体晶圆的主要基底材料是（）

A.砷化镓B.碳化硅C.单晶硅D.氮化镓

6.湿法蚀刻相比干法蚀刻的优势是（）

A.各向异性好B.选择性高C.成本低、操作简单D.尺寸精度高

7.离子注入中决定掺杂浓度的关键参数是（）

A.注入能量B.注入剂量C.注入角度D.晶圆温度

8.下列属于PVD工艺的是（）

A.CVDB.溅射沉积铝层C.热氧化D.扩散掺杂

9.晶圆清洗去除颗粒杂质的主要方法是（）

A.RCA清洗B.热氧化C.离子注入D.CMP

10.集成电路晶体管的核心结构是（）

A.栅极、源极、漏极B.金属线、通孔C.绝缘层、钝化层D.沟槽、隔离层

单项选择题答案：1.B2.B3.B4.A5.C6.C7.B8.B9.A10.A

二、多项选择题（共10题，每题2分，共20分）

1.半导体晶圆制备主要流程包括（）

A.单晶生长B.晶圆切割C.晶圆研磨D.光刻

2.干法蚀刻主要类型有（）

A.RIEB.等离子蚀刻C.湿法喷淋蚀刻D.离子束蚀刻

3.离子注入工艺优势包括（）

A.掺杂浓度精准可控B.掺杂深度均匀C.低温制程D.大面积均匀性好

4.光刻工艺主要步骤包括（）

A.涂胶B.前烘C.曝光D.后烘显影

5.CMP关键参数有（）

A.研磨压力B.研磨速度C.研磨液类型D.晶圆温度

6.半导体缺陷类型主要包括（）

A.颗粒缺陷B.图案缺陷C.平整度缺陷D.掺杂浓度不均缺陷

7.CVD工艺特点有（）

A.沉积速率快B.阶梯覆盖性好C.温度较高D.适合多种材料

8.STI主要工序包括（）

A.沟槽蚀刻B.氧化层沉积C.填充氧化物D.CMP平坦化

9.钝化层作用包括（）

A.保护器件不受污染B.绝缘隔离金属层与晶圆C.提高导电性D.防止机械损伤

10.晶圆缺陷检测常用方法有（）

A.光学显微镜B.电子显微镜C.离子注入剂量检测D.表面粗糙度检测

多项选择题答案：1.ABC2.ABD3.ABC4.ABCD5.ABC6.ABCD7.ABCD8.ABCD9.ABD10.ABD

三、判断题（共10题，每题2分，共20分）

1.离子注入掺杂深度比扩散掺杂更易控制。（）

2.CMP仅用于晶圆表面平坦化，不能用于金属层平坦化。（）

3.干法蚀刻各向异性比湿法蚀刻好。（）

4.光刻胶显影是去除未曝光的光刻胶部分。（）

5.单晶硅晶圆是半导体制造唯一使用的基底材料。（）

6.STI可减小器件尺寸，提高集成度。（）

7.CVD属于PVD的一种。（）

8.晶圆清洗仅去除颗粒杂质，不涉及有机杂质。（）

9.掺杂是改变半导体电学特性的关键工艺。（）

10.蚀刻选择性指仅去除目标薄膜，不腐蚀下方材料。（）

判断题答案：1.√2.×3.√4.×5.×6.√7.×8.×9.√10.√

四、简答题（共4题，每题5分，共20分）

1.简述半导体光刻的主要作用。

答案：光刻是将掩膜版图案转移到晶圆光刻胶，结合后续工艺形成器件微纳结构，是半导体制造实现功能结构的核心步骤。

2.简述离子注入掺杂的核心优势。

答案：掺杂浓度、深度精准可控，低温制程减少晶圆热损伤，适合高精度掺杂，提升器件性能稳定性。

3.简述CMP的主要作用。

答案：结合化学腐蚀与机械研磨，实现晶圆全局平坦化，为后续光刻、蚀刻提供平整基底，是多层互连及STI的关键。

4.简述晶圆清洗的主要目的。

答案：去除晶圆表面颗粒、金属离子、有机残留等杂质，防止器件缺陷，保障制程稳定性与产品良率。

五、论述题（共4题，每题5分，共20分）

1.简述STI工艺流程核心步骤。

答案：蚀刻硅形成沟槽，热氧化侧壁，填充绝缘氧化物，CMP去除多余氧化物，实现相邻晶体管绝缘隔离，提升集成度。

2.简述离子注入与扩散掺杂的主要区别。

答案：离子注入是高能离子植入，浓度/深度精准、低温；扩散是高温杂质原子扩散，均匀性好但精度差、温度高易损晶圆。

3.简述半导体晶圆缺陷控制的关键环节。