CN119447983A 一种半导体激光器及其制备方法 （无锡市华辰芯光半导体科技有限公司）

司欧姆接触层的一侧刻蚀形成有第一电流注入窗口，第一电流注入窗口蚀刻的终点为欧姆接触于第一电流注入窗口上和多个抑制电流注入结2所述外延结构靠近所述欧姆接触层的一侧蚀刻形成有所述抑制电流注入结构为蚀刻所述上欧姆接触层后形成的第二所述第三非电流注入窗口蚀刻的终点为所述上限制层，绝缘层形成所述第四非电流注入窗口在所述上欧姆接触层远离所述电阻控制层的一侧表面上生长绝缘层之后形成，所述抑制电流注入结构为第三非电流注入窗口和/或第四非电流注入接触层的掺杂浓度均为2E19cm_3至1E20cm_3，所述电阻控制层的掺杂浓度为1E17cm_3至9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体激光32:1，所述第一间距为相邻的三个抑制电流注入结构中第一个抑制电流注入结构和第二个构中第二个抑制电流注入结构和第三个抑制电流注入结构在所结构的高度与所述第一电流注入窗口的高度的比的抑制电流注入结构的高度与最靠近所述后腔面的抑制电流注入结构的高度的比值为1:1度和所述第一电流注入窗口在所述第一方向的长度的比值为1:1至对所述外延结构靠近所述欧姆接触层的一侧进行刻蚀处理，形成第一电流注入窗口，所述第一电流注入窗口蚀刻的终点为所述欧在所述第一电流注入窗口的边缘形成多个抑制电流注入结构在所述第一电流注入窗口上和所述多个抑制电流注入结构上45[0012]在一种可选的实施方式中，欧姆接触层包括自下而上层叠设置的下欧姆接触层、[0014]在一种可选的实施方式中，欧姆接触层包括自下而上层叠设置的下欧姆接触层、[0016]在一种可选的实施方式中，上欧姆接触层和下欧姆接触层的掺杂浓度均为间距为相邻的三个抑制电流注入结构中第二个抑制电流注入结构和第三个抑制电流注入6腔面的抑制电流注入结构的高度的比值为1:[0024]在一种可选的实施方式中，多个抑制电流注入结构设置于靠近后腔面的预设区注入结构的形状呈等腰梯形或等腰三角形时，抑制电流注入结构的形状的底边角度为30°至60°。入窗口的刻蚀终点为欧姆接触层；在第一电流注入窗口的边缘形成多个抑制电流注入结图5是根据本发明实施例的一种半导体激光器的第一种抑制电流注入结构的俯视图7是根据本发明实施例的一种半导体激光器的第二种抑制电流注入结构的俯视图8是根据本发明实施例的一种半导体激光器的第三种抑制电流注入结构的俯视图9是根据本发明实施例的一种半导体激光器的第四种抑制电流注入结构的俯视7图10是根据本发明实施例的另一种半导体激光器的第一种抑制电流注入结构的图11是根据本发明实施例的另一种半导体激光器的第二种抑制电流注入结构的图12是根据本发明实施例的另一种半导体激光器的第三种抑制电流注入结构的图13是根据本发明实施例的另一种半导体激光器的第四种抑制电流注入结构的差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形[0034]如图1和图2所示，本发明提供的半导体激光器100包括外延结构110、背面电极8120位于衬底111远离缓冲层112的一侧表面上，绝缘层130位于欧姆接触层118远离上限制层118等结构流入量子阱有源层115，为量子阱有源层115中的电子和空穴复合提供必要的117的一侧表面上生长绝缘层130之后形成的第一非电流注入窗口152，抑制电流注入结构也可以为外延结构110靠近欧姆接触层118的一侧蚀刻形成的第二非电[0046]第二非电流注入窗口153将重掺杂的外延部分蚀刻之后，再在第二非电流注入窗9电流注入结构也可以一部分为第一非电流注入窗口152，另一部分为第二非电流注入窗口可以为200nm至800nm之间的任意值，例如，欧姆接触层118的厚度可以为200nm、300nm、窗口153）的形状为等腰三角形时，第一非电流注入窗口152（和/或第二非电流注入窗口口152和/或第二非电流注入窗口153）中第一个抑制电流注入结构和第二个抑制电流注入入结构和第三个抑制电流注入结构在第一方向上的[0060]例如，如图5所示，第一个第一非电流注入窗口152（和/或第二非电流注入窗口[0063]示例性的，如图5所示，最靠近后腔面的抑制电流注入结构与第一电流注入窗口的抑制电流注入结构的高度H4的比值也可以[0072]如图2、图4和图10所示，欧姆接触层118包括自下而上层叠设置的下欧姆接触层第二电流注入窗口154蚀刻的终点为上欧姆接姆接触层的厚度可以为200nm至500nm，例如，蚀刻后剩余的下欧姆接触层的厚度可以为留在重掺杂的上欧姆接触层1183，蚀刻后剩余的上欧姆接触层的厚度也可以为200nm至第三非电流注入窗口155和第四非电流注入窗口156。第三非电流注入窗口155蚀刻的终点缘层130远离第三非电流注入窗口155的一侧表面上；第四非电流注入窗口156在上欧姆接结构也可以为第三非电流注入窗口155和/或第四非电流注入抑制电流注入结构也可以第一部分为第二电流注入窗口154、第二部分为第三非电流注入[0076]第三非电流注入窗口155将高掺杂的上限制层的一部分也刻蚀，适用于条形隔离可以如图2中第一电流注入窗口151下的箭头所示，第二电流注入窗口154的电流路径可以[0079]在本实施例中，上欧姆接触层1183和下欧姆接触层1181的掺杂浓度均可以为接触层1183和下欧姆接触层1181的掺杂浓度均可以为2E19cm__3、3E19cm_3、6E19cm_3、[0080]将上欧姆接触层1183和下欧姆接触层1181的掺杂浓度均控制在2E19cm__3至[0081]示例性的，上欧姆接触层1183和下欧姆接触层1181的厚度均可以为200nm至[0082]本发明对第二电流注入窗口154、第三非电流注入窗口155和/或第四非电流注入[0083]下面以抑制电流注入结构为第二电流注入窗口154为例，对该实施例中抑制电流个第二电流注入窗口154设置于靠近后腔面的面的抑制电流注入结构的高度H4的比值也可以为1:位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必本领域的技术人员可以将本说明书中描述的