CN119449333A 身份验证方法、装置、系统、电子设备及存储介质 （Oppo广东移动通信有限公司）

2根据所述密钥标识对应的第二密钥信息对所述第一密文信2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述向所述充电设备发送验证请求之将所述第一密文信息与所述第二密文进行比对，若所述第证请求用于指示所述充电设备根据所述密钥标识查找与所述密钥标识对应的第一密钥信所述验证响应信息还包括所述第二随机数；所述根据所述密钥标根据所述密钥标识对应的第二密钥信息、所述第一随机数及所通过安全管理模块对所述密钥密文进行解密，得到所述密钥标识对应的第二密钥信7.根据权利要求1～6任一项所述的方法，其38.根据权利要求1～6任一项所述的方法，其特征在通过硬件抽象层接口定义语言HIDL服务获取密钥通过所述内核层将所述第一密文信息写入所述共享内存，以使所述根据所述密钥标识对应的第二密钥信息对所述第一通过所述HIDL服务根据所述密钥标识对应的第二密钥信息对所述第一密文信息进行在根据所述第二厂商标识确定所述充电设备符合鉴接收所述终端设备发送的验证请求，所述验证请求包括根据所述密钥标识查找与所述密钥标识对应的第一密钥信息，根据所述第一密文信息生成验证响应信息，并向所述终端设备发送所述验证响应信根据所述第一厂商标识确定目标密钥集合，并从所述目标密钥集4所述验证响应信息用于指示所述终端设备将所述第一密文信息与第二密文进行比对，根据所述第一密文信息及所述第二随机数生成验证响应所述充电设备，用于接收所述终端设备发送的所述验证请所述终端设备，还用于接收所述充电设备发送的所述验接收模块，用于接收所述充电设备发送的验证响应信息5验证模块，用于根据所述密钥标识对应的第二密钥信息对所述第一密文信息进行验发送模块，用于根据所述第一密文信息生成验证被处理器执行时实现如权利要求1～10或116致产业链上下游厂商研发电源芯片和配件的风险和成本相对高昂。因此，推出了UFCS7查找与所述密钥标识对应的第一密钥信息，并根据所述第一密钥信息生成第一密文信息，[0023]密文生成模块，用于根据所述密钥标识查找与所述密钥标识对应的第一密钥信89[0047]对于UFCS技术中的鉴权加密最重要的是密钥的安全性，由于加密算法，如SHA[0072]作为一种实施方式，属于不同厂商的终端设备可配置相同或者[0085]终端设备接收到充电设备发送的验证响应信息后，可对验证响以得到验证响应信息携带的第一密文信息。终端设备可从存储[0095]第二厂商标识可用于标识充电设备对应的厂商身份，不同厂商UFCS技术的各个厂商标识进行比对，若第二厂商标识与任一预先存储的厂商标识匹配成[0109]充电设备接收到终端设备发送的设备信息消息后，可对设备信钥集合对应的第三厂商标识进行比对，若检测到第一厂商标识与任一第三厂商标识相同，数对应的数据长度为16字节，则总数据长度为17字节等；校验码可包括但不限于CRC[0121]终端设备也可根据密钥标识对应的第二密钥信息及第一随机数生成第二密文信括一系列应用程序包，框架层为应用层的应用程序提供应用编程接口(application[0135]在一些实施例中，服务器向终端设备发送配置文件，例如，服务器通过RUS据该第二厂商标识判断充电设备是否符合鉴权条件，若确定充电设备是否符合鉴权条件，则说明需要与充电设备进行鉴权加密，则内核层可向HIDL服务请求获取配置的密钥标识。[0141]内核层可根据约定的数据结构体，生成密钥标识获取命令对应解析，可判断第二通信数据中的命令是否为密钥标识响应命令，如判断Cmd是否为ufcs_[0146]步骤810，通过HIDL服务根据密钥标识对应的第二密钥信息对第一密文信息进行[0149]作为一种具体实施方式，内核层可将第一密文信息及第二随机数拷贝到共享内为结果响应命令，则可再判断数据大小是否为预设的第三长度，例如信息验证结果为1字层与HIDL服务之间的交互能够正常进行，内核层与HIDL服务的每一次交互都由内核层发[0161]步骤930，根据第一密文信息生成验证响应信息，并向终端设备发送验证响应信息获取请求；第一设备信息获取请求用于指示充电设备反馈终端设备对应的第一厂商标示终端设备将第一密文信息与第二密文进行比对，若第二密文信息与第一密文信息相同，[0189]验证模块1030，用于根据密钥标识对应的第二密钥信息对第一密文信息进行验第二设备信息获取请求用于指示充电设备反馈充[0199]发送模块1010，还用于在根据第二厂商标识确定充电设备符合鉴权条件的情况响应信息用于指示终端设备根据密钥标识对应的第二密钥信息、第一随机数及第二随机储有一个或多个计算机程序，一个或多个计算机程序可以被配置为由一个或多个处理器场可编程门阵列(Field－ProgrammableGateArray，FPGA)、可编程逻辑阵列程序被处理器执行时实现如上述各实施例描述的应用于终程序被处理器执行时实现如上述各实施例描述的应用于充PROM)、可擦除PROM(ErasablePROM，EPROM)、电可擦除PROM(ElectricallyErasablePROM，EEPROM)或闪存。易失性存储器可包括随机存取存储器(randomaccessmemory，(StaticRAM，SRAM)、动态RAM(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)、同步DRAM强型SDRAM(EnhancedSynchronousDRAM，ESDRAM)、同步链路DRAM(SynchlinkDRAM，SLDRAM)、存储器总线直接RAM(RambusDRAM，RDRAM)及直接存储器总线动态RAM(Direct或特性可以以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于可选实施例，所涉及的动作和模块并不一定是本申请所必须的。