TOPCon 电池工艺流程及湿法原理培训考核试题

TOPCon电池工艺流程及湿法原理培训考核试题此试卷为TOPCon电池工艺流程及湿法原理培训考核试题，75分及以上为合格，95分及以上为优秀基本信息：[矩阵文本题]*姓名：________________________部门：________________________员工编号:________________________岗位：________________________一、单项选择题（共15题，每题3分，共45分）1、制绒工序硅片金字塔理论标准角度为（）[单选题]*A.30.5°B.70.5°(正确答案)C.90°D.45°2、topcon电池片，背面所制备的隧穿氧化层厚度（）nm。[单选题]*A.1-2(正确答案)B.1-3C.2-3D.0.5-23、制绒工序最核心的目的是（）。[单选题]*A.清洗硅片表面油污B.形成绒面降低光反射(正确答案)C.去除硅片边缘D.烘干硅片水分。4、BSG指的是（）[单选题]*A.磷硅玻璃B.硼硅玻璃(正确答案)C.氧化硅D.多晶硅层5、去BSG设置水膜主要目的不包括（）。[单选题]*A.保护正面BSG不被刻蚀B.防止药液翻液造成过刻C.提升硅片传动稳定性D.直接去除BSG(正确答案)6、烘干槽的作用是（）[单选题]*A.清洗B.烘干硅片表面残留水分(正确答案)C.清洗残留D.以上都不是7、氢氟酸皮肤接触后，专用急救冲洗药剂为（）[单选题]*A.敌腐特灵B.六氟灵(正确答案)C.清水D.酒精8、以下化学品中同时具备剧毒、强腐蚀双危险分类的是（）[单选题]*A.NaOHB.HClC.HF(正确答案)D.H2O29、影响绒面异常原因不包括（）。[单选题]*A、工艺时间B、烘干槽温度(正确答案)C、制绒槽温度D、化学品浓度10、去PSG利用HF对硅片正面以及边缘去除（），以便后面抛光槽腐蚀。[单选题]*A.PSG(正确答案)B.BSGC.POLYD.隧穿层11、下列不属于湿法下料外观异常的为（）[单选题]*A.漏抛B.带液C.过抛D.减重(正确答案)12、不小心沾到化学品，清水冲洗至少需要多长时间：（）[单选题]*A、1分钟B、5分钟C、10分钟D、15分钟(正确答案)13、去BSG+碱抛涉及不到的化学品：（）[单选题]*A、氢氟酸B、硝酸(正确答案)C、氢氧化钠D、双氧水14、对于日常用来防护、应急，防止危化品伤害的工具不包括：（）[单选题]*A、洗眼器B、酸碱防护服C、应急柜D、机台配用水枪(正确答案)15、维护时擦拭制绒主机台门的时候不小心将盐酸或碱弄到手上首先需要用到哪种药物（）[单选题]*A、敌腐特灵(正确答案)B、六氟灵C、清水D、葡萄糖软膏二、多项选择题（共5题，每题2分，共10分）1、湿法工序常用的危险化学品有？（）*A、氢氟酸(正确答案)B、氢氧化钠(正确答案)C、盐酸(正确答案)D、双氧水(正确答案)2、化学品一般情况通过哪些途径（）侵入人体，并造成伤害。*A、皮肤(正确答案)B、呼吸道(正确答案)C、消化道(正确答案)D.眼睛(正确答案)3、新员工未经（），不准上岗。*A、部门级安全教育(正确答案)B、厂级安全教育(正确答案)C、班组级安全教育(正确答案)D、座谈会4、化学损伤严重程度的因素（）？*A、化学品的性质(正确答案)B、化学品的浓度(正确答案)C、人体组织与化学品的接触时间(正确答案)D、化学品的温度及压力(正确答案)5、人员进入车间基本着装要求：（）*A、头发不外露(正确答案)B、口罩遮住口鼻(正确答案)C、衣服鞋子保持干净(正确答案)D、拉链衣袖整理到位(正确答案)三、判断题（共15题，每题3分，共45分，对打√，错打×）1、水膜均匀完整是防止硅片背面、边缘过刻的重要条件。[判断题]*对(正确答案)错2、换液应该提前通知生产，在规定时间内换好。[判断题]*对(正确答案)错3、湿法工序机台设计原则遵循“一化一水”。[判断题]*对(正确答案)错4、PSG残留会导致PECVD镀膜后硅片产生色差。[判断题]*对(正确答案)错5、制绒后金字塔作用为降低反射率，所以反射率越低越好。[判断题]*对错(正确答案)6、制绒槽温度越高反应越快，减重低了可以第一时间去改温度调整[判断题]*对错(正确答案)7、去BSG工艺需要将硅片正面、背面、边缘所有BSG层全部去除。[判断题]*对错(正确答案)8、碱抛机台烘干制绒槽温度异常，可能会导致水渍残留。[判断题]*对(正确答案)错9、滚轮不平整会破坏水膜，进而造成硅片局部过刻。[判断题]*对(正确答案)错9、氢氟酸少量接触皮肤无危害，无需立刻冲洗。[判断题]*对错(正确答案)10、人员意外沾染化学品时，用布擦一下，不需要做紧急处理。[判断题]*对错(正确答案)11、花篮上自动化时要区分侧板颜色，注意开口方向[判断题]*对(正确答案)错12、自动化插片机插片机使用过程严禁屏蔽