CN119452762A 显示装置和制造该显示装置的方法 （三星显示有限公司）

2024.12.18PCT/KR2023/0094362023.07.04WO2024/010342KO2024.01.11本发明的显示装置包括基底以及在基底上换层能够包括用于将由发光元件发射的第一颜2有机透射层，覆盖所述发光元件的所述第一端和所述第二端，颜色转换层，在所述有机透射层上，所述颜色转换层包4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述光散射体包括氧化钛(TiO2)、氧化锆25.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括在所述有机透射层与所述颜第一堤图案和第二堤图案，在所述发射区域中位于其中，所述发光元件在所述绝缘层上，并且在平面图7.根据权利要求6所述的显示装置，所述显示装置还包括在所述绝缘层与所述发光元8.根据权利要求7所述的显示装置，所述显示装置还包括在所述发光元件上的第二绝第一颜色转换层，在所述第一像素中，并且包括将从所述3第二颜色转换层，在所述第二像素中，并且包括将从所述13.一种显示装置，所述显示装置包括基底以及在所述基底上并且包括发射区域和非有机透射层，覆盖所述发光元件的所述第一端和所述第二端，颜色转换层，在所述有机透射层上，所述颜色转换层包在所述基底上形成彼此间隔开的第一对准电在所述绝缘层上形成限定所述发射区域和所述使用在所述第一对准电极与所述第二对准电极之间形成使用第一掩模去除所述有机透射层以及所述涂覆层的一部分以暴露所述导电层的一去除所述导电层的所暴露的部分，并且形成电连接到所述发在所述有机透射层上形成颜色转换层，所述颜色转换层包4其中，形成所述有机透射层的步骤包括：将包括所述光漫射5[0004]公开的目的是为了提供一种具有改善的可靠性的显示装置以及制造该显示装置发射的第一颜色的光转换为第二颜色的光的颜氧化锌(ZnO)或氧化锡(SnO2)中的至少一种。6[0015]在一个或更多个实施例中，显示装置还可以包括在发光色转换层包括将从发光元件发射的第一颜色的光转换为第二颜色的光的颜[0021]本公开的一个或更多个实施例可以提供一种制造显示装置的方法，所述方法包7[0042]图8b示出了表示根据图5中所示的有机透射层的设置的颜色转换层的颜色转换保[0043]图9至图19是用于示意性地描述根据一个或更多个实施例的制造像素的显示元件[0044]图20至图25是用于示意性地描述根据一个或更多个实施例的制造像素的显示元[0045]图26a和图26b是示出根据一个或更多个实施例的形成图6a中所示的有机透射层[0046]图27a至图27d是示出根据一个或更多个实施例的形成图6a中所示的有机透射层[0047]图28a和图28b是示出根据一个或更多个实施例的形成图6a中所示的有机透射层8[0050]在一个或更多个实施例中，发光元件LD的类型和/或形状不限于图1和图2中示出向被定义为纵向方向，则发光元件LD可以具有相对于纵向方向的第一端EP1和第二端EP2。第一半导体层11和第二半导体层13中的一个半导体层可以设置在发光元件LD的第一端EP1件LD可以具有相对于纵向方向短(或具有小于1的长宽比)的棒状形状、条状形状或柱状形对发光元件LD应用到其的照明装置或自发半导体层11的下表面可以与发光元件LD的一端(或[0057]活性层12可以设置在第一半导体层11上并且具有单量子阱结构或多量子阱结9元件LD可以通过活性层12中的电子_空穴对的结合来发光。因为可以基于前述原理控制发光元件LD的发光，所以发光元件LD可以用作各种发光装置以及显示装置的像素的光源(例第一半导体层11的下表面相比靠近第二半导体层13的上二半导体层13之外还可以包括设置在第二半导体层13之上的接触电极(在下文中被称为[0064]第一接触电极和第二接触电极中的每个可以是欧姆接触电极，但本公开不限于镓锌(IGZO)和氧化铟锡锌(ITZO)的透明导电氧化物。这里，氧化锌(ZnOx)可以是氧化锌在从发光元件LD产生的光通过除了发光元件LD的相对端之外的区域而不是穿过第一接触[0066]在一个或更多个实施例中，发光元件LD还可以包括绝缘层14(或被称为“绝缘[0067]绝缘层14可以防止活性层12由于与除了第一半导体层11和第二半导体层13之外层14可以防止在发光元件LD之间发生不期望的短路。绝缘层14的存在或不存在不受限制，层14可以允许第一接触电极和第二接触电极中的每个的至少xOyyxx[0072]在一个或更多个实施例中，发光元件LD可以被实现为具有芯壳结构的发光图面或外周表面)上并且具有透明绝缘材料。实现为具有芯壳结构的发光图案的发光元件LD[0076]为了便于描述，图3集中于其上显示有图像的显示区域DA示意性地示出了显示装况。长边延伸所沿的方向被表示为第二方向DR2，短边延伸所沿的方向被表示为第一方向以是其中设置有被配置为驱动像素PXL的驱动器和用于将像素PXL连接到驱动器的线组件以包括与电力线连接的扇出线，该电力线被配置为向相应像素PXL提供合适的电压(例如，PXL可以以条纹或PENTILE8布置结构布置在显示区域DA中，但本公开不限于此。PENTILE8布置结构可以被称为RGBG矩阵结构(例如，PENTILE8矩阵结构或RGBG结构(例如，PENTILE8结构))。PENTILE8[0087]像素PXL中的每个可以包括被配置为响应于对应的扫描信号和对应的数据信号而[0089]驱动器可以通过线组件向像素PXL中的每个供应合适的信号(例如，预定信号)和[0092]参照图1至图4，像素PXL可以包括被配置为产生具有与数据信号对应的亮度的光二电力线PL2之间的多个发光元件LD，第一电力线PL1连接到第一驱动电源VDD并且第一驱PXC和第一电力线PL1连接到第一驱动电源VDD的第一像素电极PE1、通过第二电力线PL2连[0094]包括在发射单元EMU中的发光元件LD中的每个可以包括通过第一像素电极PE1连接到第一驱动电源VDD的一端、以及通过第二像素电极PE2连接到第二驱动电源VSS的另一[0096]发射单元EMU的发光元件LD可以发射具有与通过像素电路PXC供应给其的驱动电帧数据的灰度级值对应的驱动电流。供应给发射单元EMU的驱动电流可以被分成流入相应[0097]尽管已经描述了其中发光元件LD的相对端在第一驱动电源VDD与第二驱动电源单元EMU除了包括形成相应有效光源的发光元件LD之外还可以包括至少一个无效光源(例[0098]像素电路PXC可以连接到像素PXL的扫描线Si和数据线Dj。像素电路PXC可以连接[0100]第一晶体管T1可以是被配置为控制将被施加到发射单元EMU的驱动电流的驱动晶以响应于施加到第一节点N1的电压来控制将要从第一驱动电源VDD通过第二节点N2施加到[0101]第二晶体管T2可以是响应于扫描信号来选择像素PXL并且激活像素PXL的开关晶[0103]第三晶体管T3可以通过将第一晶体管T1连接到感测线SENj来通过感测线SENj获于像素PXL的特性的信息可以用于转换图像数据，使得可以补偿像素PXL之间的特性偏差。储电极可以连接到第二节点N2。存储电容器Cst可以充入有与在一个帧周期期间被供应给栅电极的电压和第二节点N2的电压之间的差对应的[0105]尽管图4示出了其中形成发射单元EMU的所有发光元件LD像素区域PXA可以包括发射区域EMA和或坝结构，在将发光元件LD供应(或输入)到像素PXL的工艺期间发光元件LD将被供应到每包括目标量和/或类型的发光元件LD的混合溶液(例终限定将向其供应颜色转换层的每个发射区域[0113]在一个或更多个实施例中，堤BNK可以包括至少一种遮光材料和/或反射材料(或散射材料)，因此防止或减少其中光(或射线)在有疏水性。例如，堤BNK可以在发光元件LD对准之前通过等离子体被表面处理以具有疏水[0115]在一个或更多个实施例中，堤BNK可以在像素区域PXA中包括暴露设置在堤BNK下口OP1间隔开的位置处，并且设置为与像素区域PXA的一侧(例如，像素区域PXA的上侧)相方向DR2上与其相邻的像素PXL中的至少一个对准电极ALE分隔的图案BNKP1和第二堤图案BNKP2。像素电极PE和/或对准电极ALE均可以根据像素PXL的结构此。在一个或更多个实施例中，可以以各种方式改变形成像素PXL(或发射单元EMU或发射BNKP1和第二堤图案BNKP2中的每个可以在发射区域EMA中具有相对于它们的延伸方向具有第一堤图案BNKP1和第二堤图案BNKP2可以在至少发射区域EMA中相对于第一方向DR1具有在第一对准电极ALE1下方以与第一对准电极ALE1的一个区域叠置。第二堤图案BNKP2可以案BNKP1可以设置在第一对准电极ALE1之上以与第一对准电极ALE1的一个区域叠置。第二堤图案BNKP2可以设置在第二对准电极ALE2之上以与第二对准电极ALE2的一间隔开的位置处的第一对准电极ALE1(或第一对准线)和第二对准电极ALE2(或第二对准以使第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2中的至少一个在堤BNK的第二开口OP2(或电极对应像素PXL的在第二方向DR2上的上侧的像素PXL的第一对准电[0128]在一个或更多个实施例中，第一接触件CNT1可以通过去除设置在第一对准电极除设置在第二对准电极ALE2与第二电力线PL2之间的至少一个绝缘层的一部分来形成。第[0129]第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2中的每个可以在使发光元件LD对准的步(或第一对准电压)。第二对准电极ALE2可以被供应有来自第二对准垫的第二对准信号(或第二对准电压)。上述第一对准信号和第二对准信号可以是均具有使发光元件LD能够在第一对准电极ALE1与第二对准电极ALE2之间对准的电压差和/或相位差的信号。第一对准信具有或可以不具有在非发射区域NEA和/或堤BNK的作为电极分隔区域的第二开口OP2中的弯曲部分，并且每个对准电极ALE在除了发射区域EMA以外的区域中的形状和/或尺寸可以[0131]在一个或更多个实施例中，两个或更多个发光元件LD可以对准和/或设置在发射EMA(或像素区域PXA)中对准和/或设置的发中的每个可以包括在延伸方向上彼此相对的第一端EP1(或一端)和第二端EP2(或剩余端)。在一个或更多个实施例中，包括p型半导体层的第二半导体层13可以设置在第一端EP1上，对准电极ALE1与第二对准电极ALE2之间彼此[0134]在一个或更多个实施例中，发光元件LD中的每个可以发射彩色光和/或白光中的任何一种光。发光元件LD中的每个可以在第一对准电极ALE1与第二对准电极ALE2之间对料制成并且具有例如范围从纳米级(或纳米级别)至微米级(或微米级别)的超小型尺寸的中的每个可以形成在对应的对准电极ALE和对应的发光元件LD上以与对应的对准电极ALE以形成在第一对准电极ALE1和发光元件LD的相应第一端EP1上，并因此电连接到发光元件设置在第一像素电极PE1与第一对准电极ALE1之间的至少一个绝缘层的一部分而暴露的第PE1与第一对准电极ALE1之间的连接点(或接触点)位于发射区域EMA中，但本公开不限于[0139]第一像素电极PE1可以具有在第二方向DR2上延伸的条状形状，但本公开不限于与设置在其下方的第一对准电极AEL1的连接关系，第一像素电极PE1的形状可以以各种方以形成在第二对准电极ALE2和发光元件LD的相应第二端EP2上，并因此电连接到发光元件在第二像素电极PE2与第二对准电极ALE2之间的至少一个绝缘层的一部分而暴露的第二对二对准电极ALE2之间的连接点(或接触点)可以位于发射区域EMA或非发射[0144]参照图6a至图6d，像素电路层PCL和显示元件层DPL可以设置在基底SUB的一个表[0145]在一个或更多个实施例中，基底SUB可以包括透明绝缘材料以允许光透射。基底瓷基底和结晶玻璃基底中的一种。柔性的基底SUB可以是包括聚合物有机材料的膜基底或于形成对应像素PXL的像素电路PXC的电路元件(例如，晶体管T)和电连接到电路元件的信[0147]在一个或更多个实施例中，像素电路层PCL除了包括电路元件和信号线之外可以的晶体管T中。缓冲层BFL可以是包括无机材料的无机层。缓冲层BFL可以包括氮化硅出了被配置为控制发光元件LD的驱动电流的一个晶体管T。晶体管T可以是参照图4描述的[0150]在一个或更多个实施例中，晶体管T可以包括半导体图案和与半导体图案的至少[0152]在一个或更多个实施例中，栅极绝缘层GI可以设置和/或形成在半导体图案和缓冲层BFL的整个表面上。栅电极GE可以在第三方向DR3上与有源图案ACT叠置地设置在栅极接触区域SE和第二接触区域DE中的每个可以由掺杂有杂质的半导体层形成。有源图案ACT[0154]在一个或更多个实施例中，有源图案ACT可以是在第三方向DR3上与对应晶体管T[0155]晶体管T的第一接触区域SE可以连接到有源图案ACT的一端(或使晶体管T的第一[0156]在一个或更多个实施例中，第一连接件TE1可以设置和/或形成在层间绝缘层ILD以通过穿过设置在层间绝缘层ILD上的钝化层PSV的接触孔电连接和/或物理连接到桥接图极GE的构成材料的示例提供的材料之中选择的一种或更多可以包括从作为用于栅极绝缘层GI的构成材料的示例提供的材料之中选择的一种或更多可以通过桥接图案BRP和第一连接件TE电层BML可以电连接到晶体管T，并因此增加将被供应到晶体管T的栅电极GE的特定电压的二接触区域DE可以连接到第二连接件TE2(或使晶体管T的第二接触区域DE与第二连接件[0161]在一个或更多个实施例中，第二连接件TE2可以设置和/或形成在层间绝缘层ILD上。第二连接件TE2的一端可以通过穿过层间绝缘层ILD和栅极绝缘层GI的接触孔电连接和/或物理连接到晶体管T的第二接触区域DE。第二连接件TE2的剩余端可以通过顺序地穿过过孔层VIA和钝化层PSV的第一接触件CNT1与显示元件层DPL的第一对准电极ALE1电连接的晶体管T与显示元件层DPL的第一对准电极A[0163]尽管在前述实施例中已经示出了晶体管T是具有顶栅结构的薄膜晶体管的情况，[0164]钝化层PSV可以设置和/或形成在晶体管T以及第一连接件TE1和第二连接件TE2[0168]在一个或更多个实施例中，像素电路层PCL可以包括设置和/或形成在钝化层PSV素电路层PCL上的导电层中的任何一个导电层设置在该绝缘层上。换句话说，第二电力线PL2在像素电路层PCL中的位置可以以各种[0169]在一个或更多个实施例中，第二电力线PL2可以包括导电材料(或导电物质)。例[0170]在一个或更多个实施例中，过孔层VIA可以设置和/或形成在桥接图案BRP和第二[0172]在一个或更多个实施例中，过孔层VIA可以包括第一接触件CNT1和第二接触件CNT2，第一接触件CNT1对应于钝化层PSV的暴露与晶体管T电连接的第二连接件TE2的第一以在像素电路层PCL中用作平坦化层，该平坦化层减轻由设置在过孔层VIA下方的组件(例[0175]在一个或更多个实施例中，堤图案BNKP可以在过孔层VIA的所述一个表面上在第BNKP连同设置在其之上的对准电极ALE可以用作反射器，以在期望方向上引导从每个发光二对准电极ALE2可以设置在过孔层VIA和对应的堤图案BNKP上并且相对于第三方向DR3具图案BNKP1的倾斜度对应的形状。第二对准电极ALE2可以具有与设置在其下方的第二堤图明导电材料(或透明物质)形成。透明导电材料(或透明导电物质)可以包括诸如氧化铟锡x路层PCL的晶体管T电连接。第二对准电极ALE2可以通过第二接触件CNT2与像素电路层PCL[0182]在一个或更多个实施例中，第一绝缘层INS1可以设置和/或形成在第一对准电极替堆叠由无机层形成并具有不同折射率的第一层和第二层而形成的分布式布拉格反射器[0186]在一个或更多个实施例中，发光元件LD可以被供应给像素PXL的其中形成有第一绝缘层INS1和堤BNK的发射区域EMA并且在像素PXL的其中形成有第一绝缘层INS1和堤BNK电极ALE1与第二堤图案BNKP2上的第二对准电极ALE2之间在第一绝缘层IN[0187]在一个或更多个实施例中，发光元件LD中的每个可以包括发射堆叠件(或发射堆位于每个发光元件LD的第一端EP1处。第一半导体层11可以位于对应的发光元件LD的第二接接触并且可以电连接到第一对准电极ALE1。第二像素电极PE2可以设置在发光元件LD中极ALE2直接接触并且可以电连接到第二对准电极A[0189]在一个或更多个实施例中，第一绝缘图案INP1可以设置和/或形成在发光元件LD下方。第一绝缘图案INP1可以设置在第一绝缘层INS1上，并且固定设置在第一对准电极ALE1与第二对准电极ALE2之间的发光元件导电材料形成，以允许从发光元件LD中的每个发射的光在显示装置的图像显示方向上(例极PE1和第二像素电极PE2均可以由单层或多层[0192]在一个或更多个实施例中，第一像素电极PE1和第二像素电极PE2可以设置和/或[0193]在一个或更多个实施例中，有机透射层OPL可以设置和/或形成在第一像素电极素电极PE2上并且覆盖发光元件LD的相对端。在一个或更多个实施例中，第一有机透射层OPLa可以设置为覆盖发光元件LD中的每个的第一端EP1。第二有机透射层OPLb可以设置为[0197]在一个或更多个实施例中，有机透射层OPL可以设置为覆盖发光元件LD中的每个化现象，该劣化现象可能在其中包括颜色转换颗粒QD的颜色转换层CCL直接接触发光元件LD中的每个的第一端EP1和第二端EP2[0198]在一个或更多个实施例中，有机透射层OPL可以包括在有机溶剂中具有分散性的[0200]在一个或更多个实施例中，有机透射层OPL的厚度可以根据从发光元件LD发射的度可以小于有机透射层OPL在从发光元件LD发射基于绿色的光的情况[0202]在一个或更多个实施例中，颜色转换层CCL可以设置和/或形成在有机透射层OPL[0203]在一个或更多个实施例中，颜色转换层CCL可以在像素PXL的由堤BNK包围的发射[0204]在一个或更多个实施例中，颜色转换层CCL可以包括与特定颜色对应的颜色转换颜色转换层CCL可以包括由将从发光元件LD发射的第一颜色的光转换为第二颜色的光(例射的第一颜色的光转换为第二颜色的光(例如，蓝光)的蓝色量子点形成的颜色转换颗粒[0206]在一个或更多个实施例中，盖层CPL可以在像素区域PXA中设置在整个表面(或整化铝(AlOx)的金属氧化物中的至少一种[0207]在一个或更多个实施例中，盖层CPL可以减轻由设置在其下方的组件形成的台阶[0208]在一个或更多个实施例中，滤色器CF和遮光图案LBP可以设置和/或形成在盖层CPL上。滤色器CF可以允许特定颜色的光选择性地通过其穿过。滤色器CF连同颜色转换层CCL可以形成光转换图案LCP，并且可以包括允许由颜色转换层CCL转换的特定颜色的光选层CCL和滤色器CF的光转换图案LCP可以与像素PXL的发射[0209]在一个或更多个实施例中，遮光图案LBP可以在与滤色器CF相邻的位置处设置在包括用于防止其中光(或射线)在像素PXL和与其相邻的像素PXL之间泄漏的漏光缺陷的遮[0210]在一个或更多个实施例中，覆盖层CVL可以设置和/或形成在遮光图案LBP和滤色可以通过光转换图案LCP发射具有优异颜色再现性的光，由此可以增强显示装置的光输出成为与第一绝缘图案INP1分开的独立图设置在过孔层VIA上。第一堤图案BNKP1可以设置在第一对准电极ALE1’上。第二堤图案[0222]在一个或更多个实施例中，第一绝缘层INS1可以沿着第一堤图案BNKP1和第二堤OPLa的一个区域可以在第三方向DR3上突出。设置在第二堤图案BNKP2’上的第一绝缘层INS1的一个区域、第二像素电极PE2的一个区域和第二有机透射层OPLb的一个区域可以在[0226]尽管图6d示出了第一绝缘层INS1、第一像素电极PE1和第一有机透射层OPLa顺序[0228]图7a示出了表示穿过有机层的光的穿透深度的曲线图。图7b示出了表示穿过图5[0229]图8a示出了表示根据图5中所示的有机透射层OPL的设置的亮度保持率的曲线图8b示出了表示根据图5中所示的有机透射层OPL的设置的颜色转换层CCL的颜色转换保持[0230]图7a示出了在具有大约1.5μm厚度的有机层设置在发光元件LD与颜色转换层CCL[0231]图7b示出了在具有大约置在发光元件LD与颜色转换层(例如，图5的颜色转[0232]参照图7a和图7b，发光元件LD在有机透射层OPL设置在发光元件LD上的情况下的光透射率可以小于发光元件LD在设置有聚丙烯酸层的情[0233]在一个或更多个实施例中，因为有机透射层OPL设置在发光元件LD与颜色转换层CCL之间，所以可以减轻或防止由从发光元件LD的相对端发射的光产生的热量传输到颜色[0238]参照图8a，在包括光漫射颗粒的有机透射层OPL设置在发光元件LD上的情况下的亮度降低率可以小于在颜色转换层与发光元件LD直[0239]在一个或更多个实施例中，因为从发光元件LD发射的光被包括在有机透射层OPL[0240]图8b示出了根据图5中所示的有机透射层OPL的设置的颜色转换层CCL中的颜色转上的情况下的颜色转换保持率可以高于颜色转换层CCL在颜色转换层CCL直接接触发光元[0245]图9至图19是用于示意性地描述根据实施例的制造像素PXL的显示元件层DPL的方[0246]在下文中，将参照图9至图19描述制造根据图6a的像素PXL的显示元件层DPL的方彼此间隔开的第一堤图案BNKP1和第二堤图案[0250]参照图9和图10，在第一堤图案BNKP1上形成第一对准电极ALE1，在第二堤图案[0252]参照图11，在第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2以及过孔层VIA上形成第一准信号分别施加到第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2而在第一对准电极ALE1与第二输入到像素区域PXA的方式不限于前述实施例的方式。可以以各种方式改变输入发光元件以引起发光元件LD在第一对准电极ALE1与第二对准电极ALE2之间在第一绝缘层INS1上的[0263]在一个或更多个实施例中，下面将参照图26a至图28b详细描述施涂有机透射层以形成彼此电分离的第一像素电极PE1和第二像素电极PE2。去除导电层CDL的一个区域的形成第一有机透射层OPLa和第二有机透射层OPL一端EP1和第二端EP2发射的光可以被包括在有机透射层OPL中的光漫射颗粒漫射，然后可[0271]图20至图25是用于示意性地描述根据一个或更多个实施例的制造像素PXL的显示缘层INS1与发光元件LD之间可以形成空模执行光刻工艺来形成第一绝缘图案INP1和第二绝缘图案I[0282]在下文中，将参照图26a至图28b描述形成有机透射层(例如，图6a的有机透射层为发射绿光的第二像素PXL2和被构造为[0284]在一个或更多个实施例中，可以在第一像素PXL1的发射区域EMA中设置颜色转换括将从第二发光元件LD2发射的光转换为绿光的绿色量子点的颜色转换颗粒[0285]在一个或更多个实施例中，可以在第三像素PXL3的发射区域EMA中设置颜色转换层CCL，该颜色转换层CCL包括将从第三发光元件LD3发射的光转换为蓝光的蓝色量子点的情况下，可以在第三像素PXL3的发射区域EMA中设置代替包括蓝色量子点的颜色转换颗粒[0286]图26a和26b是示出根据一个或更多个实施例的形成图6a中所示的有机透射层OPL层OPL1、OPL2和OPL3喷涂到第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3的发射区域EMA例如，扩散到第一像素PXL1的发射区域EMA中的有机透射层OPL1的厚度可以大于扩散到第二像素PXL2的发射区域EMA中的有机透射层OPL[0290]图27a至图27d是示出根据一个或更多个实施例的形成图6a中所示的有机透射层成第一对准电极ALE1和第二对准电极ALE2以及第一绝缘层INS1同时地)图案化为与除了第三像素PXL3的发射区域EMA之外的第一像素PXL1的发射区域EMA光的第三像素PXL3可以在后续工艺期间包括包含光散射颗粒(例如，图6a的光散射颗粒PXL1和第二像素PXL2中通过图案化而分别形成有机透射层OPL[0299]在一个或更多个实施例中，第一堤BNK1可以形成为适合于使有机透射层OPL1、BNK1的高度可以类似于第一堤图案BNKP1和第二堤图案BNK[0302]在一个或更多个实施例中，第一堤BNK1和第二堤BNK2的组合的形状可以与图26a[0303]图28a和图28b是示出根据一个或更多个实施例的形成图6a中示出的有机透射层面以覆盖形成在第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3中的每个中的导电层CDL和