CN119457087A 一种辐射热流测量的钨铼同轴热电偶批量同轴制造方法 （厦门大学）

一种辐射热流测量的钨铼同轴热电偶批量本发明提出了一种辐射热流测量的钨铼同以钨铼丝为钨铼同轴热电偶敏感芯体的钨铼内发明的方法可以快速批量制备瞬态测温上限达2述钨铼丝的所述介电绝缘薄膜上，所述加热管初步固化所述钨浆形成厚度为20~30μm的述同轴喷印镀膜步骤中，所述介质浆料的黏度为50~100cP，所述钨浆的黏度为80~S22、设置所述管式炉起始温度为20~30℃,在20℃~400℃区间升温速率为8~12℃/min，在400℃保温50~70min，在400℃~1200℃区间升温速率为8~12℃/mi1200℃~1450℃区间升温速率为4~6℃/min，在1450℃保温50~70min，随后自然降3用高温胶在180~220℃温度下将所述钨丝和敏感芯体钨外导体层粘接成稳定的导电回9.一种辐射热流测量的钨铼同轴热电偶批量同轴制造方法敏感芯体，由具有内层钨铼丝、中间层介电绝缘薄膜和外层钨连接导线，包括与敏感芯体钨外导体层连接的钨丝以及与内层钨铼4[0005]现有同轴热电偶没有采用钨浆料镀膜烧结形成钨级的工艺，一般是使用钨合金在所述同轴针头口处将所述介质浆料喷印在所述钨铼丝上，随后启动所述精密位移平台，5膜的三层同轴结构敏感芯体，且所述钨铼丝作为钨铼同轴热电偶敏感芯体的钨铼内导体S22、设置所述管式炉起始温度为20~30℃,在20℃~400℃区间升温速率为8~1200℃~1450℃区间升温速率为4~6℃/min，在1450℃保温50~70min，随后自然降热电薄膜完全固化形成敏感芯体的绝缘层和触，使用高温胶在180~220℃温度下将所述钨丝和敏感芯体钨外导体层粘接成稳定的导S33、使用电磨机对敏感芯体顶端的所述钨铼内导体层和所述钨外导体层进行打6可达100MW/m2，测温探头直径小[0019]包括附图以提供对实施例的进一步理解并且附图被并入本说明书中并且构成本7图6为本发明的实施例的激光3000℃测试图。[0024]第一方面，本发明的实施例公开了一种辐射热流测量的钨铼同轴热电偶制造方S10、利用酒精溶液对直径为0.5mm的钨铼丝1进行超声波清洗，清洗时间不少于8实验分组注射速率(μl/min）第一组853第二组35第三组44等性能的稳定发挥。并且，生产效率提升至6m/h，在保证薄膜高质量的前提下，相较于854.82637.2是综合考虑多种因素后的优化选择。此厚度下的介电绝缘薄膜在绝缘性能方面表现出色，9实验分组薄膜柔韧性薄膜热稳定性(℃)第一组较好第二组一般第三组较差[0031]对于钨浆80_150cP的黏度能够保证在喷印时能够良好地附着在介电绝缘薄料和钨浆。利用电动注射泵10精准控制喷印速率以及精密位移平台11调节钨铼丝1移动速S22、设置管式炉起始温度为20~30℃,在20℃~400℃区间升温速率为8~12℃/min，在400℃保温50~70min，在400℃~1200℃区间升温速率为8~12℃/min，在1200℃~1450℃区间升温速率为4~6℃/min，在1450℃保温50~70min，随后自然降密接触，使用高温胶16在180~220℃温度下将钨丝15和敏感芯体钨外导体层14粘接成稳[0038]在一个具体实施例中，一种辐射热流测量的钨铼同轴热[0040]步骤3：设置电动注射泵10注射速率为10μl/min，精密位移平台11位移速率为氩气5min，排尽炉内氧气，设置管式炉起始温度25℃,在25℃~400℃区间升温速率10℃/连接导线，包括与敏感芯体钨外导体层14连接的钨丝15以及与内层钨铼丝1连接[0052]图6示出了本发明实施例的激光3000℃测试图。该测试图的横轴为时间（单位：[0054]本发明公开的辐射热流测量的钨铼同轴热电偶批量同轴制造方法及其批量同轴