CN119486117A 半导体结构的制造方法及半导体结构 （深圳市昇维旭技术有限公司）

导体基底的正面形成具有第一应力的待图案化图案化功能层和所述应力调节层的作用下处于平板状或边缘向背离所述待图案化功能层的一2在所述半导体基底的正面形成具有第一应力的在所述半导体基底的背面形成具有第二应力的应力调节层，所述在所述半导体基底的背面形成图案化调节膜层，所述图案形成压应力调节膜层，所述压应力调节膜层具有填充部和覆盖部，所述填在所述待图案化功能层远离所述半导体基底的一侧形成光刻胶基于所述光刻胶图案层对所述待图案化功能层进行在所述半导体基底的背面形成防剥离调节膜层，所述防剥离利用热氧化工艺对所述硅晶片的背面进行氧化处理，以形成所述防剥离氧化硅薄膜；3或基于所述半导体基底的正面上膜层的应力变化，减薄或去除所述基于所述硬掩膜图案层对位于所述硬掩膜图案层下层的结构进行图案化处理，之后，基于所述第n层硬掩膜图案层对第n_1层硬掩膜功能膜层进行图案化在形成第1层硬掩膜图案层之后，基于所述第1层硬掩膜图案在所述待图案化功能层远离所述半导体基底的一4采用自对准M重图案工艺或反向自对准M重图案工艺对所述待图案化功能层进行图案5[0017]在本公开的一种示例性实施例中，所述压应力调节膜层包括6半导体基底的热膨胀系数和所述图案化调节膜层的[0026]在本公开的一种示例性实施例中，所述待图案化功能层包括[0039]在本公开的一种示例性实施例中，所述待图案化功能层还包括目标器件功能膜7[0048]在本公开的一种示例性实施例中，在对所述待图案化功能层进行图案化处理之[0051]在本公开的一种示例性实施例中，对所述待图案化功能层进行图案化处理的步[0052]采用自对准M重图案工艺或反向自对准M重图案工艺对所述待图案化功能层进行8[0058]图2至图18示出了本公开实施例所示的半导体结构的制造方法中各步骤对应的结[0059]图19为示出了本公开实施例所示的半导体结构中半导体基底处于拱形状的结构本领域技术人员将意识到，可以实践本申请的技术方案而没有特定细节中的一个或更多，描述的本申请各个实施例中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。使用到自对准M重图案工艺或反向自对准M重图案工艺对半导体基底正面的待图案化功能9[0081]步骤S100，提供一半导体基底10，半导体基底10具有相对设置的正面101和背面[0085]在本实施例中，在对半导体基底10正面101的待图案化功能层20进行图案化处理化处理待图案化功能层20时，便于对半导体基底10正面101和背面102两侧的应力进行平使半导体基底10保持在平板状或前述提到的拱形状，使得半导体基底10中正面101上的膜[0089]需要说明的是，本实施例中提到的平板状指的是半导体基底10的正面101和背面于或等于15μm，以避免半导体基底10的正面101膜层受到的拉紧力过小而导致在图案化过样可保证半导体基底10的弯曲程度适中，从而可保证半导体基底10的正面101膜层受到适功能层20可包括依次形成在半导体基底10的正面101上的目标器件功能膜层201和至少一[0101]示例地，在待图案化功能层20包括至少一层具有第一应导体基底10保持在平板状或前述提到的拱形状，使得半导体基底10中正面101的图案化膜[0106]步骤S1303，对第n层硬掩膜功能膜层进行图案化处理，以形成第n层硬掩膜图案20和应力调节层40的作用下处于平板状或案化调节膜层中条状调节结构4021在第一方向X上两侧产生较大的应力，从而使半导体基20进行图案化处理以形成硬掩膜条的过程中由于受到第一方向X上的拉紧力，而使得形成其中，防剥离调节膜层401的热膨胀系数位于半导体基底10的热膨胀系数和图案化调节膜可避免半导体基底10与图案化调节膜层之间的热膨胀系数差异过大而导致应力调节层40从半导体基底10的背面102剥离下来的情况发生，提高半导体结构制造过程中应力调节层限于此，也可利用沉积工艺在硅晶片的背面102沉积氧化硅材料，以形成防剥离氧化硅薄[0136]其中，在防剥离调节膜层401的材料和压应力调节膜层40压应力调节膜层403的填充部4031在镂空区处与防剥离调节膜层401相接触可以保证应力薄膜和采用等离子体增强化学气相沉积法形成的压应力多晶硅薄膜可作为硬掩膜功能膜体基底10中正面101上的待图案化功能层20进行图案化处理为例，对本公开实施例的半导例而言，目标器件功能膜层201可为堆叠结构，其可包括依次沉积的BPSG(硼磷硅玻璃)薄方向Y上延伸的第一光刻胶掩膜条50，多个第一光刻胶掩膜条50在第一方向X上间隔排布，4021之间，压应力调节膜层403的覆盖部4032覆盖图案化调节膜层和填充部4031远离半导403的具体可先沉积一定厚度的SiO2材料，然后进行CMP(ChemicalMechanical80可为SiO2薄膜，具体可采用原子层沉积技术在牺牲掩膜条601的表面和侧面沉积一层厚[0150]步骤S211，形成覆盖中间薄膜80并填充在牺牲掩膜条601之间剩余间隙的顶层薄硬掩膜图案层的图案相同，第一硬掩膜图案层包括多条在第一方向X上延伸的第一硬掩膜层与第一硬掩膜图案层的图案相同，目标器件图案层包括多条在第一方向X上延伸的目标中正面101上的待图案化功能层20进行图案化处理，本实施例也可采用反向自对准四重图案工艺对半导体基底10中正面101上的待图案化功能层20进行图案化处理，其与反向自对[0161]此外，本实施例也可采用自对准双重或四重图案工艺对半导体基底10中正面101例或示例以及不同实施例或示例的特征进行