CN119487628A 基板处理装置和基板处理方法 （东京毅力科创株式会社）

2024.12.31PCT/JP2023/0294992023.08.15WO2024/043143JA2024.02.29以及配置于比中央区域靠外侧的位置的圆环状定于外侧区域的周向上的一个部位的外侧第一区以及设定于外侧区域的周向上的与外侧第一区不同的部位的外侧第二区相独立地产生吸附部根据基板的翘曲状态来在外侧中央模式和中2保持部，在所述保持部的用于吸附基板的吸附面具有圆状吸附压力产生部，其使所述中央区域、设定于所述外侧第一区以及设定于所述外侧区域的周向上的与所述外侧第一区不同的部位的外侧第二其中，所述控制部根据所述基板的翘曲状态来在外侧中央所述基板具有第一形态或第二形态，所述第一形态是在所述所述控制部在所述基板的规定的径向为所述第一形态的情况下进行所述外侧中央模所述基板的所述第一形态的径向与所述第二形态的径向在中心处所述外侧第一区和所述外侧第二区设定于沿着所述吸附面的周向相互错开90°相位的所述控制部将所述第一形态的所述基板的外缘相对于中心的翘曲量与所述第二形态在所述第一形态的翘曲量的绝对值比所述第二形态在所述第一形态的翘曲量的绝对值比所述第二形态所述控制部在所述基板的所述第一形态的径向上进行了所述外侧中所述吸附面在所述中央区域与所述外侧区域之间具备圆环状的中所述中间区域在与所述外侧第一区相邻的位置具有中间第一所述控制部在所述中央外侧模式中使得以所述中央区域、所述中间第3所述控制部在所述外侧中央模式中省去所述中间第一区，使得以所述外侧第所述控制部在所述基板的外缘相对于中心向靠近所述吸附所述控制部获取测定所述基板的翘曲所得到的测定信息，并基于所述基板处理装置是将由所述保持部所吸附的所述基板与配置于该基板的相向位置所述保持部是在所述另外的基板的铅直方向下侧吸附并保持所述基板的所述基板处理方法包括以下工序：通过吸附压力产生部使设定于所二区设定于所述外侧区域的周向上的与所述外侧在产生所述吸附压力之前，根据所述基板的翘曲状态，来在外在产生所述吸附压力的工序中，按照所选择的模式的4[0003]如上述那样吸附并保持基板的基板处理装置在使保持盘单纯地吸附基板的情况区域的周向上的一个部位的外侧第一区以及设定于所述外侧区域的周向上的与所述外侧5的步骤S114中的动作的一例的截面图。图10的(C)是示出继图10的(B)之后的动作的截面[0024]图12的(A)是示出下晶圆的翘曲的一例的立体图。图12的(B)是示出Y轴方向上的是示出继图14的(C)之后的动作的俯视图。图14的(E)是示出继图14的(D)之后的动作的俯[0029]图17是示出下晶圆的X轴方向上的翘曲及Y轴方向上的翘曲与吸附面的曲面的关[0033]第一基板W1和第二基板W2形成为大致相同形状(相同直径)的圆板。接合装置1将第二基板W2配置于第一基板W1的Z轴负方向侧(铅直方向下侧)，将第一基板W1与第二基板6够绕Z轴转动，以在载置于载置台10上的盒CS1～CS3与后述的处理站3的第三处理块PB3之三处理块PB3设置于处理站3的靠搬入搬出[0038]另外，处理站3在被第一处理块PB1～第三处理块PB3包围的区域中具备具有搬送[0039]第一处理块PB1例如具有表面改性装置33和表面亲水化装置34。表面改性装置33将上晶圆W1的接合面W1j和下晶圆W2的接合面W2j改性。表面亲水化装置34将被改性后的、上晶圆W1的接合面W1j和下晶圆W2的接合面[0041]表面亲水化装置34通过纯水等亲水化处理液将上晶圆W1的接合面W1j和下晶圆W27[0043]第三处理块PB3例如从上方朝向下方依次具备第一位置调节装置51、第二位置调[0047]接合装置1利用搬送装置22取出盒CS1内的上晶圆W1，并搬送到处理站3的第三处[0048]接着，接合装置1利用表面改性装置33将上晶圆W1的接合面W1j改性(步骤S101[0049]而且，接合装置1利用表面亲水化装置34将上晶圆W1的接合面W1j亲水化(步骤装置61从表面亲水化装置34取出上晶圆W1，并搬送到第三处理块PB3的第一位置调节装置[0050]接合装置1利用第一位置调节装置51调节上晶圆W1的水平方向的朝向，并且将上[0051]接合装置1利用第一温度调节装置42调节上晶圆W1的温度(步骤S104)。上晶圆W18[0055]接合装置1利用第二位置调节装置52调节下晶圆W2的水平方向的朝向(步骤[0056]接合装置1利用第二温度调节装置43调节下晶圆W2的温度(步骤S108)。下晶圆W2[0057]而且，接合装置1在接合模块41中将上晶圆W1与下晶圆W2接合来制作接合晶圆T[0060]接着，参照图5～图7来说明第一实施方式所涉及的接合模块41的一例。如图5所持盘231设置于上保持盘230的下方，用于将下晶圆W2的接合面W2j朝向上地从下晶圆W2的持盘231支承于在该下保持盘231的下方所设置的第一下保持盘[0063]第一下保持盘移动部291如后述那样使下保持盘231沿水平方向(Y轴方向)移动。[0064]第一下保持盘移动部291安装于设置于该第一下保持盘移动部291的下表面侧且[0065]第二下保持盘移动部296安装于设置于该第二下保持盘移动部296的下表面侧且[0066]通过第一下保持盘移动部291和第二下保持盘移动部296构成移动机构290。移动9[0069]另一方面，接合位置是将上晶圆W1与下晶圆W2隔开规定的间隔地相面对的位置[0070]移动机构290使上保持盘230与下保持盘231的相对位置在水平方向(X轴方向及Y移动机构290还可以使上保持盘230或下保持盘231绕[0071]如图7所示，上保持盘230沿着该上保持盘230的径向被划分为多个(例如三个)区[0073]在上保持盘230设置有在铅直方向上升降自如的多个保持销245。多个保持销245贯通孔243贯通地插入推动部250。推动部250通过按压与下晶圆W2隔开间隔地配置的上晶销251通过例如内置有马达的驱动部(未图示)而贯通地插入于贯通孔243，从上保持盘230[0080]接着，参照图8～图10对图4的步骤S109中的制作接合晶圆T的工序详细地进行叙[0081]接着，控制装置90通过移动机构290使上保持盘230与下保持盘231的相对位置从所示那样使用第一摄像机S1和第二摄像机S2来进行上晶圆W1与下晶圆W2的[0082]第一摄像机S1固定于上保持盘230，对保持于下保持盘231的下晶圆W2进行拍进行拍摄。在上晶圆W1的接合面W1j预先形成有多个基准点P11～P13。作为基准点P11~[0084]如图9的(A)所示，接合模块41通过移动机构290来调整第一摄像机S1与第二摄像90基于由第一摄像机S1拍摄到的图像数据和由第二摄像机S2拍摄到的图像数据来控制移度。第一位移计S3例如通过对下晶圆W2照射光并接受被下晶圆W2的上下两面反射的反射两面反射的反射光，来测定上晶圆W1的厚度。厚度的测定例如在移动机构290使下保持盘装置90基于由各第一位移计S3测定出的测定信息和由各第二位移计S4测定出的测定信息[0095]在形成接合晶圆T之后，控制装置90通过移动机构290使上保持盘230与下保持盘持盘231的吸附面300具有相独立地产生吸附压力的多个[0100]中央区域A、中间区域B的8个区以及外侧区域C的8个区构成为能够相独立地吸引个区中具有由相同的吸引机构311进行吸[0102]在通过吸附面300的中心的X轴线上，从X轴正方向朝向X轴负方向各区ch5、ch2、[0103]在接合模块41设置有用于使吸附面300的10通道的各区相独立地产生吸附压力的吸附压力产生部310。吸附压力产生部310的各吸引机构311具有与规定的区连接的吸引线[0104]各吸引机构311例如通过使规定的吸引线路312的吸引泵313工作并打开开闭阀下晶圆W2的上表面的高度越低，下晶圆W2的上表面与下保持盘231的吸附面300的间隔越[0106]下晶圆W2的翘曲例如由与接合装置1相分别地设置的翘曲测定装置5(参照图1)进曲测定装置5也可以作为接合装置1的一部分进行设置。接合装置1也可以构成为通过设置[0107]在通过吸附压力产生部310(参照图11)使下保持盘231的吸附面300产生吸附压力[0109]而且，接合装置1以使下晶圆W2的两个正交的径向上的直线沿着下保持盘231的X向靠近吸附面300的方向(铅直方向下侧)翘曲的形态和位于对称位置的外缘向远离吸附面缘朝向中心凸状弯曲的情况下，在沿周向错开90°的X轴线上从两个外缘朝向中心凹状弯在如图12的(B)所示那样在Y轴方向的外缘产生了负翘曲的情况下，如图12的(C)所示那样[0113]作为下晶圆W2的上表面的接合面W2j随着在下晶圆W2整体产生的翘曲而进行伸产生了伸长的径向(在图13中为Y轴方向)上收缩产生了收缩的径向(在图13中为X轴方向)上伸长[0117]接合装置1的控制装置90通过根据下晶圆W2的翘曲的状态来在外侧中央模式和中制装置90将下晶圆W2的X轴方向上的翘曲量的绝对值与Y轴方向上的翘曲量的绝对值进行下晶圆W2的外侧第一区以及相比于外侧第一区较迟地吸附下晶圆W2的外侧第二区。例如，定在进行了Y轴方向上的外侧中央模式之后进行X轴方向[0122]详细而言，如图14的(A)所示，控制装置90首先使Y轴方向上的外侧区域C的区即X轴方向上向外缘侧过度伸长地使残余应力向周围分[0127]并且，控制装置90使外侧区域C的区即2个ch9和2个ch10产生吸附压力(参照图[0128]如上所述，接合装置1通过根据下晶圆W2的翘曲的状态来进行外侧中央模式和中过利用中央外侧模式从中央区域A朝向外侧区域C进行吸附，能够向接合面W2j伸长的方向[0144]另外，接合装置1将下晶圆W2的负翘曲的翘曲量的绝对值与正翘曲的翘曲量的绝在具备用于形成弯曲的吸附面400的下保持盘231A这一点上与第一实施方式所涉及的接合吸附部233的下表面之间形成压力可变空[0150]而且，接合模块41A具备通过使下保持盘231A变形来使下晶圆W2弯曲的第二变形附部233的材质例如是氧化铝或碳化硅等陶瓷。第二变形部236具备真空泵236a、加压泵空间235供给气体来对压力可变空间235进行加压。通过压力可变空间235的加压，吸附部233的吸附面400成为中央区域A突出的曲面。吸附面400的中央区域A的突出量能够通过压[0152]基台部232具有用于测定吸附面400的中央区域A的突出量的测定部237。测定部过检测根据与测定目标237a之间的距离进行变化的静电电状态之外还考虑吸附面400的中央区域A的突出量(吸附面400整体的曲率的外缘为300μm的负翘曲的情况下，下晶圆W2的Y轴方向上的曲率大于吸附面400的Y轴方[0156]另一方面，在下保持盘231A的吸附面400突出150μm、下晶圆W2的Y轴方向的外缘为100μm的负翘曲的情况下，下晶圆W2的Y轴方向上的曲率小于吸附面400的Y轴方向上的接合模块41A能够使接合面W2j相对于下晶圆W2的正翘曲从而能够减小接合后的上晶圆W1与下晶圆W2[0159]本次公开的实施方式所涉及的基板处理装置和基板处理方法在所有方面均是例[0160]本申请主张在2022年8月26日向日本专