CN120302776A 一种改善AlGaInP红光Micro LED芯片散热性能的方法 （微玖(苏州)光电科技有限公司）

一种改善AlGaInP红光MicroLED芯片散热本申请公开了一种改善AlGaInP红光Micro2差以及si02介质层的均方根粗糙度进行测量以确保在要求范围内；2.根据权利要求1所述的改善AlGaInP红光MicroLED芯片散热性能的方法，其特征在于，在步骤S1中，所述n型GaAs缓冲层的掺杂源为乙硅烷，掺杂浓度为2.0×1018_3.0×3.根据权利要求1所述的改善AlGaInP红光MicroLED芯片散热性能的方法，其特征在4.根据权利要求1所述的改善AlGaInP红光MicroLED芯片散热性能的方法，其特征在5.根据权利要求1所述的改善AlGaInP红光MicroLED芯片散热性能的方法，其特征在6.根据权利要求1所述的改善AlGaInP红光MicroLED芯片散热性能的方法，其特征在37.根据权利要求1所述的改善AlGaInP红光MicroLED芯片散热性能的方法，其特征在8.根据权利要求1所述的改善AlGaInP红光MicroLED芯片散热性能的方法，其特征在9.根据权利要求1所述的改善AlGaInP红光MicroLED芯片散热性能的方法，其特征在10.根据权利要求1所述的改善AlGaIn4[0001]本发明涉及MicroLED芯片制备技术领域，具体涉及一种改善AlGaInP红光Micro衬底与缓冲层处理：选用n型GaAs衬底，清洗后通过MOCVD外延生长n型GaAs缓冲功能层堆叠外延：在欧姆接触层上依次外延生长n型AlInP限制层、n型超晶格结高度差以及si02介质层的均方根粗糙度进行测量以确保在要求范围内；517成膜温度为700_780℃。低V/III比快速成核与高V/III比m的颗粒。6员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范7位置关系。这些术语主要是为了更好地描述本发明及其实施例，并非用于限定所指示的装请参见图1_16，本申请提供一种改善AlGaInP红光MicroLED芯片散热性能的方1019cm_3，厚度为10_40nm，成膜温度为700_950℃,成膜方式为低V/III比快速成核与高V/818_3.0×1018cm_3；18_3.0×1018cm_3；p型超晶格结构12：同温生长5_25周期的p型/(AlzGa1p型渐变层13：同温依次生长20_60nm的p型渐变层（x1为0.8_杂浓度均为1.0×1018_3.0×19层16和Cu金属19的高度差以及si02介质层16的均方根粗糙度进行测量以确保在要求范围膜层25和Cu金属19的高度差以及si02膜层25的均方根粗糙度进行测量以确保在要求范围S3_7，将硅晶圆或硅基CMOS15与GaAs衬底1进行混合键合，键合精度需求50_17700_950℃)等，可以提高导17cm型GaN/InGaN欧姆接触层4因禁带宽度大（3.4eV对红光吸收极弱，且高掺杂浓度(>n型AlInP限制层5：在750℃下生长300nm的n型AlInP限制层5，掺杂浓度为1.5×n型超晶格结构6：在同温下生长8周期的n型/(AlzGa1-xcm_3；p型超晶格结构12：同温生长8周期的p型/(AlzGa1-x2)aInp超利用PECVD设备，在其表面生成厚度为2μm的si02介质层16；再在si02介质层16上光刻形成吹干，然后采用溅射设备在si02介质层1层16和Cu金属19的高度差以及si02介质层16的均方根粗糙度进行测量以确保在要求范围内，具体的，si02介质层16和Cu金属19的高度差2nm，si02介质层16的均方根粗糙度Rq=S3_5，采用PECVD或者ICPCVD设si02膜层25的均方根粗糙度进行测量以确保在要求范围内，具体的，si02膜层25和Cu金属19cm_3R=(V-V)/I，其中为阈值电压，I为注入电流。等待30分钟至热平衡（温度波动＜0.5℃),热像仪拍摄芯片表面温[0050]通过上述测试方法，对本实施例二制得的MicroLED芯片和传统ITO方案的芯片