二极管模拟题测试卷附答案

二极管模拟题汇总1测试卷附答案姓名：[填空题]*_________________________________班级学号：[填空题]*_________________________________一、判断题1.用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。（）[单选题]*A.正确B.错误(正确答案)2.本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。（）[单选题]*A.正确(正确答案)B.错误3.P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（）[单选题]*A.正确B.错误(正确答案)4.PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。（）[单选题]*A.正确B.错误(正确答案)5.有两个电极的元件都叫二极管。（）[单选题]*A.正确B.错误(正确答案)6．二极管的门坎电压（也称死区电压），硅管约0.2V，锗管约0.5V。（）[单选题]*A.正确B.错误(正确答案)7.二极管加反向电压时，形成很小的反向电流，在电压不超过某一范围时，二极管的反向电流随反向电压的增加而基本不变。（）[单选题]*A.正确(正确答案)B.错误8.晶体二极管击穿后立即烧毁。（）[单选题]*A.正确B.错误(正确答案)9.用MF47型万用表测试发光二极管，应选R×1K档。（）[单选题]*A.正确B.错误(正确答案)10.在P型半导体中，少数载流子是空穴，多数载流子是电子。（）[单选题]*A.正确B.错误(正确答案)11.在半导体内部，只有电子是载流子。（）[单选题]*A.正确B.错误(正确答案)12.二极管的核心是一个PN结，所以二极管具有单向导电性。（）[单选题]*A.正确(正确答案)B.错误13.PN结具有单向导电性，即：加反向电压时PN结导通，加正向电压时PN结截止。（）[单选题]*A.正确B.错误(正确答案)14．二极管两端加上0.7V的电压就能导通。（）[单选题]*A.正确B.错误(正确答案)15.二极管的截止特性是其两端的反向电压增加时，而反向电流基本不变。（）[单选题]*A.正确(正确答案)B.错误16.二极管一旦反向击穿就一定损坏。（）[单选题]*A.正确B.错误(正确答案)17.半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，若降低环境温度导电能力会减弱。（）[单选题]*A.正确(正确答案)B.错误18.在N型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（）[单选题]*A.正确B.错误(正确答案)19.在外电场的作用下，半导体同时出现电子电流和空穴电流。（）[单选题]*A.正确(正确答案)B.错误20.二极管具有单向导电性。（）[单选题]*A.正确(正确答案)B.错误21.PN结正向偏置时电阻小，反向偏置时电阻大。（）[单选题]*A.正确(正确答案)B.错误22.二极管两端加上正向电压就一定会导通。（）[单选题]*A.正确B.错误(正确答案)23.二极管加反向电压时一定截止。（）[单选题]*A.正确B.错误(正确答案)24.热敏电阻是线性器件。（）[单选题]*A.正确B.错误(正确答案)25.PN结正向偏置时电阻小，反向偏置时电阻大。（）[单选题]*A.正确(正确答案)B.错误二、选择题1.用MF47型万用表测量普通小功率二极管性能好坏时，应把万用表拨到欧姆档的（）档。[单选题]*A.R×1B.R×100C.R×1KD.R×100或R×1K(正确答案)2.通常情况下半导体的导电能力随温度升高而（），金属导体的电阻随温度升高而（）。[单选题]*A.降低/降低B.降低/升高C.升高/降低D.升高/升高(正确答案)3.半导体的导电能力（）。[单选题]*A.与温度无关B.随温度下降而消失C.随温度升高而减弱D.随温度升高而加强(正确答案)4.晶体硅或锗中，参与导电的是（）。[单选题]*A.离子B.自由电子C.空穴D.B和C(正确答案)5.关于P型．N型半导体内参与导电的粒子，下列说法正确的是（）。[单选题]*A.无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴(正确答案)B.P型半导体中只有空穴导电C.N型半导体中只有自由电子参与导电D.在半导体中有自由电子．空穴．离子参与导电6.本征半导体是（）。[单选题]*A.掺杂半导体B.纯净半导体(正确答案)C.P型半导体D.N型半导体7.在半导体PN结两端加（）就可使其导通。[单选题]*A.正向电子流B.正向电压(正确答案)C.反向电压D.反向电子流8.二极管的主要特性是（）。[单选题]*A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性(正确答案)D.恒流特性9.当PN结承受反向电压时，其内部电流关系为（）。[单选题]*A.扩散电流小于漂移电流(正确答案)B.扩散电流等于漂移电流C.扩散电流大于漂移电流D.无法确定10.锗二极管导通时，它两端电压约为（）。[单选题]*A.1VB.0.7VC.0.3V(正确答案)D.0.5V11.二极管两端加上正向电压时（）[单选题]*A.一定导通B.超过死区电压时才能导通(正确答案)C.超过0.7V时才导通D.超过0.3V时才导通12.对于晶体二极管来说，以下说法错误的是（）。[单选题]*A.正向电阻很小B.具有单向导电性C.正向电压越大，流过二极管的电流越大D.无论加多大反向电压都不会导通(正确答案)13.用万用表测二极管，正、反方向电阻都很大，说明（）。[单选题]*A.管子正常B.管子短路C.管子断路(正确答案)D.都不对14.二极管的反向电流随着温度降低而（）。[单选题]*A.升高B.减小(正确答案)C.不变D.不确定15.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。[单选题]*A.增大(正确答案)B.不一定C.减小D.不变16.下列说法正确的是（）。[单选题]*A.N型半导体带负电B.P型半导体带正电C.PN结型半导体为电中性体(正确答案)D.PN结内存在着内电场，短接两端会有电流产生17.关于N型半导体的下列说法，错误的是（）。[单选题]*A.自由电子是多数载流子B.在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极C.在纯净的硅晶体中加入三价元素硼，可形成N型半导体(正确答案)D.在PNP型晶体管中，基区是N型半导体18.在本征半导体中掺入五价的磷后，形成的是（）[单选题]*A.掺杂半导体B.纯净半导体C.P型半导体D.N型半导体(正确答案)19.半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础，其主要的特性是（）[单选题]*A.具有单向导电性(正确答案)B.具有放大性C.具有改变电压特性D.具有增强内电场性20.电路如图所示，则处于导通状态的二极管是（）。[单选题]*A.只有D1(正确答案)B.只有D2C.D1和D2D.D1和D2均不导通21.电路如图所示，设二极管正向电阻为零，反向电阻为无穷大，则电压ＵAB为（）[单选题]*

A.-3伏B.5伏C.8伏D.-8伏(正确答案)22.当加在硅二极管两端的正向电压从0开始增加时，硅二极管（）。[单选题]*A.立即导通B.到0.3V才开始导通C.超过死区电压时才开始导通(正确答案)D.不导通23.硅二极管的死区电压是（）V。[单选题]*A.0.1B.0.3C.0.5(正确答案)D.0.724.如果用万用表测得二极管的正反向电阻都很大，则二极管（）[单选题]*A.性能良好B.已被击穿C.内部开路(正确答案)D.功能正常25.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）[单选题]*A.增大(正确答案)B.不一定C.减小D.不变26.P型半导体的多数载流子是（）。[单选题]*A.电子B.空穴(正确答案)C.电荷D.电流27.N型半导体的多数载流子是（）。[单选题]*A.电流B.自由电子(正确答案)C.电荷D.空穴28.P型半导体是在本征半导体中加入微量的（）元素构成的。[单选题]*A.三价；(正确答案)B.四价；C.五价；D.六价。29.下列说法正确的是（）。[单选题]*A.N型半导体带负电B.P型半导体带正电C.PN结型半导体为电中性体(正确答案)D.PN结内存在着内电场，短接两端会有电流产生30.半导体PN结是构成各种导体器件的工作基础，其主要特性是（）。[单选题]*A．具有放大特性B．具有改变电压特性C．具有单向导电性(正确答案)D．具有增强内电场性31.PN结加上反向电压，自建电场与外加电场方向（），内电场（）。