CN120294723A 用于激光雷达的光接收装置、光接收装置的动态调节方法 （上海禾赛科技有限公司）

202010850858.22020.08.21号本发明提供了一种用于激光雷达的光接收于第二阈值时，增大光电传感器的光子探测效光子数量与入射到光电传感器的光子数量的比2调节单元，耦接在所述电压源和所述光电传感器之间，第一电阻单元，串接在所述电压源与所述光电传感器之间，第一电容单元，与所述光电传感器并联，配置成在接收信号第二电阻单元，配置成其一端与所述电压源耦接，其另一端置成在接收信号光时使所述光电传感器上的通过所述光电传感器中的包括单光子雪崩二极管的像素单元探测单个光子发生雪崩根据环境光的强度，通过所述调节单元调节所述光电传感器的偏置光电传感器探测到的光子数量与入射到所述光电传感器的光子数量的3通过所述电流检测单元检测经过所述光电传11.如权利要求8_10中任一项所述的方法，其中所述光接收装置还包括：第一电容单4[0005]这个工作过程就决定了一个单光子雪崩二极管在探测到光子后会有一段恢复时提升激光雷达在弱环境光条件下的测远能力，本发明提供一种用于激光雷达的光接收装5述控制信号动态调节所述硅光电倍增管上的偏6[0039]通过第一电容单元，在接收信号光时使所述硅光电倍增管上的偏置电压保持稳[0056]图7示出了根据本发明的一个优选实施例根据双阈值动态调节光接收装置的方法7便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使[0063]硅光电倍增管(SiPM)11的内部结构如图1所示，硅光电倍增管11最基础的单元是由工作在盖革模式下的单光子雪崩二极管(SPAD)111和串联的淬灭电阻112构成的像素单光电倍增管11的光子探测效率(PhotonDetectionEfficiency)是指硅光电倍增管11探111的结电容(图1未示出)积累的电荷从阳极流向阴极，单光子雪崩二极管111两端的偏压8光子雪崩二极管111的结电容充电的时间为单光子雪崩二极管1[0065]多个光子入射到不同的像素单元上时，将会导致多个单光子雪崩二极管111发生硅光电倍增管无法进行后续的探测。本发明提供一种具有动态调节电路的硅光电倍增管，号，用以计算目标物的距离和/或反射率。电压源12配置成向硅光电倍增管11提供偏置电一电阻单元131和第一电容单元132。第一电阻单元131串接在电压源12与硅光电倍增管119[0071]第一电容单元132能够保证硅光电倍增管11在短时间内接收到激光脉冲时器件两[0072]因此，第一电容单元132和第一电阻单元131的组合能够实现在有环境光的情况测到的电流输出控制信号。电压调节单元135耦接在控制单元134和硅光电倍增管11之间，配置成可根据控制信号动态调节硅光电倍增管11上135调节硅光电倍增管11阳极和阴极之间的偏置电压，使偏置电压下降，光子探测效率下阈值时，控制所述电压调节单元135来调节偏置电压，降低硅光电倍增管11的光子探测效个正标准差的光强值；而第二阈值为距离环境光强度平均值的2个负标准差的光强值。同过硅光电倍增管11的当前电流与第一电流阈值/第二电流阈值，其中环境光的强度对应于压调节单元135可以是可调节电阻值的金属一氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)或双极[0089]通过第一电容单元132在接收信号光时使硅光电倍增管11上的偏置电压保持稳以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。