CN119493332A 一种掩膜工艺校正方法、装置、设备及存储介质 （华芯程(杭州)科技有限公司）

过预训练的校正集约模型对所述原始掩膜图案根据所述边缘放置误差对对应的边缘段的位置2对所述原始掩膜图案进行边缘段切分，将所述原始掩膜图案转换通过预训练的校正集约模型对所述原始掩膜图案进行仿真模拟，得根据所述原始掩膜图案与所述目标仿真图案，确定各个所述边缘段的原始设计偏差根据所述原始设计偏差值与所述掩膜工艺偏差值确定各个所述边缘段对应的边缘放相应地，通过预训练的校正集约模型对所述边缘段进行仿真模拟所述一维校正集约模型通过下式计算所述边缘段对应的电子束曝;0为能量阈值；;3所述二维校正集约模型通过下式计算所述边缘段对应的电子束曝;;步骤一，通过所述校正集约模型对所述校正掩膜图案进步骤二，根据所述校正掩膜图案与所述目标仿真图步骤三，根据所述校正设计偏差值与所述校正工艺步骤四，判断所述校正掩膜图案中是否存在校正阶段边当所述校正掩膜图案中存在校正阶段边缘放置误差大于预设的第一阈值的边缘段时，切分模块，用于对所述原始掩膜图案进行边缘段切分，将仿真模块，用于通过预训练的校正集约模型对所述原始掩膜图案进行仿真4设计偏差模块，用于根据所述原始掩膜图案与所述目标仿真图案，工艺偏差模块，用于根据所述原始设计偏差值与所述掩膜工艺偏调整模块，用于根据所述边缘放置误差对对应的边缘处理器，用于执行所述计算机程序时实现如权利要求1至7任一项所述的5一致。大规模集成电路制造中光刻工艺使用的掩膜通常由电子束曝光和蚀刻工艺制造获[0003]掩膜工艺校正包括基于规则的和基于模型的两种。在基于模型的掩膜工艺校正边缘段上放置控制点。再根据掩膜工艺校正模型计算控制点的边缘放置误差(Edge技术中的掩膜工艺校正无法兼顾校正精度与处6[0011]根据所述原始设计偏差值与所述掩膜工艺偏差值确定各个所述边缘段对应的边0为能量阈值；70为能量阈值；[0040]当所述校正掩膜图案中存在校正阶段边缘放置误差大于预设的第一阈值的边缘不存在校正阶段边缘放置误差大于预设的第一阈值[0047]仿真模块，用于通过预训练的校正集约模型对所述原始8计算机程序被处理器执行时实现如上述任一种所述的掩膜所述原始掩膜图案进行边缘段切分，将所述原始掩膜图案转换为多个边缘段围成的图形；[0057]图1_1为设计阶段未经过校正的电子束曝光图案和目标掩膜图案的一种具体实施[0059]图1_3为设计阶段经过校正的电子束曝光图案和目标掩膜图案的一种具体实施方[0064]图4为本发明提供的掩膜工艺校正方法的一种具体实施方式的原始掩膜图案与目[0065]图5为本发明提供的掩膜工艺校正方法的一种具体实施方式中计算边缘放置误差9与所述目标仿真图案作对比，确定各个所述边缘段在法线方向到所述目标仿真图案的距5中的B位置所述原始设计偏差值即为+2nm，而如果所述此时所述边缘段A的掩膜工艺偏差值进一步为+2nm，也即由所述原始掩膜图案仿真得到的仿真图案在对应边缘段A的位置膜图案仿真得到的仿真图案的边缘段A在所述目标仿真图案外侧，且距离所述目标仿真图过所述原始掩膜图案仿真得到的仿真图案的边缘段A在所述目标仿真图案内侧，且距离所目标仿真图案的外侧方向调整8nm×0.0为能量阈值。0为能量阈值。所述原始掩膜图案进行边缘段切分，将所述原始掩膜图案转换为多个边缘段围成的图形；即判断所述校正掩膜图案中是否存在校正阶段边缘放置误差大于预设的第一阈值的边缘[0136]仿真模块300，用于通过预训练的校正集约模型对所述原始掩膜图案进行仿真模[0138]工艺偏差模块500，用于根据所述原始设计偏差值与所述掩膜工艺偏差值确定各0为能量阈值；0为能量阈值；