CN119495944A 液晶天线阵列波束控制方法、装置、电子设备及存储介质 （北京京东方传感技术有限公司）

本申请提供一种液晶天线阵列波束控制方和低副瓣波束的切换来确定与用户需求最匹配围以确定与目标波束对应的液晶移相器的电压2根据所述目标波束确定目标性能需求；其中，所述目标性根据所述移相范围确定与所述目标波束对应的所述液晶移相器的电压对应相位和电根据所述电压对应相位、所述电压对应损耗和所述移相范围对所述目标波束进行优360°。根据所述第一外部电压和预设的比例关系确定所述液晶移相器在移相范围为n°至n+根据所述第一外部电压和所述移相范围确定所述液晶移相获取所述液晶天线阵列在三维空间中的方位角在所述正弦空间内根据所述第一电压对应相位和所述第一电压对应损耗确定平面天根据所述平面天线方向图对所述低副瓣波束进行优化，根据所述第一适应度函数，采用粒子群优化算法或遗传算3根据所述第二外部电压和预设的比例关系确定所述液晶移相器在移相范围为n°至n+根据所述第二外部电压和所述移相范围确定所述液晶移相根据所述第二适应度函数和所述初始角度对所述高增益波束进行优根据所述第二适应度函数，采用粒子群优化算法或遗传算根据所述新的移相范围确定的新的最优高增益波束性能需求包括所述高增益波束的高增益性能需求或所述低副瓣413.一种非暂态计算机可读存储介质，所述非暂态计算机可读存储介质存储计算机指5[0009]根据所述移相范围确定与所述目标波束对应的所述液晶移相器的电压对应相位目标性能需求包括所述高增益波束的高增益性能需求或所述低副瓣波束的低副瓣性能需6移相范围对所述目标波束进行优化，直至优化后的优化目标波束满足所述目标性能需求，7线方向)上的最大辐射功率通量密度为P1，理想辐射单元在相同规定方向上的最大辐射功率通量密度为P2，则天线增益天线在该规定方向上的辐射功率通量密度与参考天线(通常晶、下基板)周期性排列天线及液晶移相器单元而成，利用液晶移相器的特性控制波束方8范围与损耗呈正相关的关系。相关技术中仅以低副瓣或者高增益其中的一个目标进行优9[0050]步骤204：根据移相范围确定与目标波束对应的液晶移相器的电压对应相位和电需要在移相范围内确定与目标波束对应的液晶移相器的电压对增益波束的高增益性能需求或低副瓣波束的低副瓣性能需求；由于目标波束的种类不同[0068]步骤302：根据第一外部电压和预设的比例关系确定液晶移相器在移相范围为n°压对应损耗之间的函数关系(每个n的取值都会对应一个函数关系)就会被确定下来，根据[0077]步骤403：在正弦空间内根据第一电压对应相位和第一电压对应损耗确定平面天耗之间的关系，通过z维快速傅里叶变换确定(u,v)平面的天线方位图：F(u,v)＝fft2中每个个体的适应度后，使用选择过程来确定种群中的哪个个体将用于繁殖并产生下一[0096]步骤502：根据第二外部电压和预设的比例关系确定液晶移相器在移相范围为n°电压和预设的比例关系确定液晶移相器在移相范围压对应损耗之间的函数关系(每个n的取值都会对应一个函数关系)就会被确定下来，根据耗之间的关系，通过z维快速傅里叶变换确定(u,v)平面的天线方位图：F(u,v)＝fft2过程包括：根据第一适应度函数对预先创建好的初始种群中的每一个个体进行适应度计束的天线的覆盖距离较大，但是使用高增益波束的天线可能挪一下位置(天线位置在三维空间中的位置改变)效果就变差了，使用低副瓣波束的天线覆盖距离可能没有使用高增益述目标性能需求包括所述高增益波束的高增益性能需求或所述低副瓣波束的低副瓣性能述移相范围对所述目标波束进行优化，直至优化后的优化目标波束满足所述目标性能需[0137]上述实施例的装置用于实现前述任一实施例中相应的液晶天线阵列波束控制方器执行所述程序时实现上任意一实施例所述的液[0139]图9示出了本实施例所提供的一种更为具体的电子设备硬件结构示意图，该设备[0146]上述实施例的电子设备用于实现前述任一实施例中相应的液晶天线阵列波束控令用于使所述计算机执行如上任一实施例所述的(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、其他类型的随机存取存储器(RAM)、只读存储器[0149]上述实施例的存储介质存储的计算机指令用于使所述计算机执行如上任一实施图中可以示出或可以不示出与集成电路(IC)芯片和其它部件的公知的电源/接地连接。此在没有这些具体细节的情况下或者这些具体细节有变化的情况下实施本申请实施例。因[0156]尽管已经结合了本申请的具体实施例对本申请进行了描述，但是根据前面的描