CN119496363A Dab变换器的控制方法、控制装置 （万帮数字能源股份有限公司）

本发明提供一种DAB变换器的控制方法、控关频率的关系曲线和变压器线圈损耗与开关频率的关系曲线；根据上述关系曲线获取DAB变换势寻找DAB变换器的最优开关频率；根据最优开的变化趋势寻找最优开关频率，从而使DAB变换2获取DAB变换器的开关管关断损耗与开关频率的关系曲线、开关管通态损耗与开关频根据所述开关管关断损耗与开关频率的关系曲线、开关管通态损耗与开3.根据权利要求1所述的DAB变换器的控制方法第一获取模块，所述第一获取模块用于获取DAB变换器的开关管关断损耗与开关频率第二获取模块，所述第二获取模块用于根据所述开关管关断7.根据权利要求5所述的DAB变换器的控制装置3寻找开关频率最优值轨迹策略成为本领域技术人员亟待解DAB变换器的开关管关断损耗与开关频率的关系曲线、开关管通态损耗与开关频率的关系曲线、变压器磁芯损耗与开关频率的关系曲线和变压器线圈损耗与开关频率的关系曲线；根据所述开关管关断损耗与开关频率的关系曲线、开关管通态损耗与开关频率的关系曲[0010]本发明第二方面的实施例提出了一种DAB变换器的控制装置，包括：第一获取模4开关频率的关系曲线和变压器线圈损耗与开关频率的关系曲线获取DAB变换器综合损耗与优开关频率；控制模块，所述控制模块用于根据所述最优开关频率控制所述DAB变换器运本发明通过DAB变换器的单一损耗曲线获取综合损耗，根据综合损耗的变化趋势图8是根据本发明一个实施例的DAB变换器综合损耗与开关频率的变化趋势示意5[0018]为了提高DAB变换器的整体转换效率，特别是在轻载区间（10%_30%最大功率区模块的开关管选取N型SiCMOSFET。开关管的损耗是由于管内不同端口之间的寄生电容和交流电阻，C1、C2和C12分别表示变压器原副边绕组自身的分布电容和两者耦合的分布电6变压器的趋肤效应和邻近效应作用更加明显，交流电阻相比于直流电阻的作用显著提升，据磁芯损耗基本公式绘制可以如图6所示的变压器磁芯损耗式可以绘制如图7所示的变压器线圈损耗与开关频损耗呈升高趋势，其中在70kHz附近呈现谷底平值，将70kHz作为DAB变换器的最优开关频7和DC/DC模块）做实验验证。通过改变DAB变换器的开关频率，分别让其运行在开关频率55kHz与开关频率frequency=70kHz效率曲线近似，但是开关频率frequency=70kHz整体曲择70kHz作为DAB变换器的开关频率的最优[0039]本发明上述的控制方法可应用于带有高频变压器隔离的DC/DC电路，特别是在有[0041]与上述的DAB变换器的控制方法相对应，本发明还提出一种DAB变换器的控制装[0042]图10是根据本发明一个实施例的DAB变换器的控制装置的方框示意图，如图10所8压器线圈损耗与开关频率的关系曲线；第二获取模块2用于根据开关管关断损耗与开关频系曲线和变压器线圈损耗与开关频率的关系曲线获取DAB变换器综合损耗与开关频率的变这应被本发明的实施例所属技术领域的技术人员于实现逻辑功能的可执行指令的定序列表，可以具体实现在任何计算机可读介质中，以供输程序以供指令执行系统、装置或设备或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用的装连接部（电子装置便携式计算机盘盒（磁装置随机存取存储器（RAM只读存储器9[0050]本技术领域的普通技术人员可以理解实现上述实施例方法携带的全部或部分步