CN119496475A 一种谐振器调频层的低损伤刻蚀方法 （中国电子科技集团公司第五十五研究所）_第1页
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文档简介

本发明公开了一种谐振器调频层的低损伤22.根据权利要求1所述的谐振器调频层的低损伤刻3.根据权利要求2所述的谐振器调频层的低损伤4.根据权利要求1所述的谐振器调频层的低损伤刻蚀方法，其5.根据权利要求1所述的谐振器调频层的低损伤的调频层薄膜在离子束刻蚀过程中使用的离9.根据权利要求1所述的谐振器调频层的低损伤刻蚀方3[0002]薄膜体声波谐振器(FilmBulkAcousticResonator,FBAR)具有小型化、高工作粒子量与离子束的入射角度有关，增大离子束入射角度4[0019]进一步的，所述调频层薄膜在离子束刻蚀过程中使用的惰性气体流量范围为10_[0021]进一步的，所述调频层薄膜在离子束刻蚀过程中使用的离子束电流在400mA至离子束角度为离子束与谐振器的调频层薄膜所[0024](1)本发明的方案基于离子束刻蚀技术对谐振器调频层进行刻蚀，探究气体流量[0025](2)本发明的方案基于离子束刻蚀技术对谐振器调频层进行刻蚀，对刻蚀材料没[0026](3)本发明的方案通过调整离子束入射方向与晶圆所在平面法线的夹角角度，可5包含上述材料的一定原子比的稀土元素掺杂材度为离子束与谐振器的调频层薄膜所在平面法线的6[0053]步骤1，在提供的基底圆片上依次溅射厚度为8000A的AlN压电层204和4000A的[0059]步骤1，在提供圆片上依次溅射厚度为8000A的AlN压电层204和的Mo调频[0063]步骤1，在提供圆片上依次溅射厚度为8000A的AlN压电层204和的Mo顶电78

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