CN119497459A 太阳能电池及其制作方法、光伏组件 （阳光新能源开发股份有限公司）

号本申请实施例提供一种太阳能电池及其制效果可以得到改善，从而提升太阳能电池的效2化学钝化层，所述化学钝化层位于所述基底的第一侧第二氧化铝层，所述第二氧化铝层位于所述阻挡其中，所述第一氧化铝层中含有负电荷且具有第一电荷密5.根据权利要求1或4所述的太阳能电池，其特在所述化学钝化层上形成第一氧化铝层，所述第一氧化铝在所述阻挡层上形成第二氧化铝层，所述第二氧化铝层用于对其中，所述第一氧化铝层中含有负电荷且具有第一电荷密3采用第一原子层沉积工艺形成所述第一氧化铝层，所述第一原子采用第二原子层沉积工艺形成所述第二氧化铝层，所述第二原子其中，所述第一氢源气体的气体流量大于所述第二氢源气体2为所述第二氢源气体的气体流量。所述电池串由多个如权利要求1_10任一项所述的太阳能电池连接而如权利要求11_15任一项所述的制作方法形成的所述盖板用于覆盖所述封装胶膜远离所述电池4主要包括钝化发射极背场点接触(passivatedemitterandrearcell，PERC)太阳能电太阳能电池、硅异质结(siliconheterojunction，SHJ)太阳能电池、背接触异质结(heterjunctionbackcontact，HBC)太阳能电池、交叉指式背接触(interdigitalbackcontact，IBC)太阳能电池、隧穿氧化层钝化接触(tunneloxidepassivatedcontact，TOPCon)太阳能电池及多晶硅氧化物选择钝化接触(polycrystallinesilicononoxide5[0020]在一些实施例中，所述第一温度低于或等于270℃；所述第二温度为2756胶膜用于覆盖所述电池串的表面；所述盖板用于覆盖所述封装胶膜远离所述电池串的表7述本申请实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、8102远离化学钝化层101的表面，且第二氧化铝层104位于阻挡层103远离第一氧化铝层102具有的负电荷的第二电荷密度大于第一氧化铝层102内的负电荷的第一电荷密度，使得第二氧化铝层104可以对基底100表面进行9[0053]基底100可以为N型半导体基底或者P型半导体基底。N型半导体基底内掺杂有N型[0055]本实施例中，将太阳能电池电池为单面电池且第一侧为背光侧作为示例进行说[0056]基底100的第一侧或者第二侧的至少一者表面还可以具有绒面结构，绒面结构有[0057]在一些例子中，太阳能电池为单面电池，则可以在基底100的受光侧形成绒面结[0059]此外，化学钝化层101还可以起到基底100与第一氧化铝层102之间应力缓冲的作钝化层101期间，氧原子会与基底100表面未饱和的硅原子(即硅悬挂键)结合而形成Si_O在这一厚度范围内，保证化学钝化层101本身对基底100表面具有良好的化学钝化的前提基底100与化学钝化层101之间的界面态缺陷密度第一氧化铝层102中的氢原子对基底100表面的化学钝化效果，且强化化学钝化层101对基[0073]第一氧化铝层102主要起到化学钝化作用，第一氧化铝层1[0076]因此，本实施例中，第一氧化铝层102的厚度为0.8nm～1.6nm，例如为0.9nm、厚度范围内，可以在保证第一氧化铝层102可以提供充足的氢原子，且保证第一氧化铝层102对第二氧化铝层104的场钝化效果铝层102的总厚度相对较薄的情况下，可以保证单层氧化铝子层112的晶格缺陷少的情况挡层103的氢原子含量大于邻近化学钝化层101的氢原子含量，且二者厚度满足前述的关[0086]阻挡层103用于阻挡第一氧化铝层102中的氢原子向外扩散，确保第一氧化铝层氧化铝层102中的氢原子向基底100表面扩散的扩本身不会引入新的缺陷，且阻挡层103还不能影响第二氧化铝层104中的负电荷分布情况，对于氢原子的阻挡能力有待加强；若阻挡层103的厚度过厚，则可能会影响第二氧化铝层氧化铝层104的场钝化效果的影响忽略不计或者无[0096]第二氧化铝层104的厚度大于第一氧化铝层102的厚度，使得第二氧化铝层104中2nm～4.1nm。例如，化学钝化层101、第一氧化铝层102以及阻挡层103的总厚度可以为含量可能会等于或者略大于第一氧化铝层102以及第二氧化铝层104构成的叠层钝化膜层，还可以同时设置于基底100的第一侧和第二类型为N型掺杂或P型掺杂中的一者，基底100的掺杂类型为N型掺杂或者P型掺杂中的另一26.3985.7826.4485.85对照组中的氧化铝层的形成工艺以及厚度与实验组中的第二氧化铝层的形成工艺以及厚升了1mV，转换效率Eta提升了0.05填充因子FF提升了0.07这表明本申请实施例提供[0119]第二氧化铝层104可以对基底100表面提供场钝化作用，以进一步优化基底100表匀性好，使得形成的化学钝化层101具有高质量性能，从而有利于进一步改善化学钝化层[0132]在其他实施例中，也可以采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD，PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)或者原子层沉积工艺(ALD，AtomicLayer[0135]原子层沉积工艺是将不同气相前驱反应物交替地通入反应腔体，在基底100上化[0138]若第一温度过高，则第一氧化铝层102中的氢原子含量会随着第一温度的升高而[0140]第一温度也不宜过低，若第一温度过低，虽然第一氧化铝层102中的氢原子含量[0141]第一氢源气体的气体流量相对较大，以使得形成的第一氧化铝层102中的氢原子标准立方厘米每分钟(StandardCubicCentimeterperMinute)，例如，可以为21sccm、于相邻循环单元中提供的第一氢源气体的流量依次增加的方案，形成的第一氧化铝层102[0152]采用原子层沉积工艺形成阻挡层103的工艺温度可以为250℃~300℃,例如为265表面进行场钝化，且第一氧化铝层102中含有负电荷且具有第一电荷密度，第二氧化铝层形成可以充分发挥化学钝化作用的第一氧化铝层102，且形成可以充分发挥场钝化作用的×V2气体流量与第二氢源气体的气体流量的差异适中，可以在确保第一氧化铝层102中具有充[0158]在一些例子中，第一氢源气体的气体流量可以比第二氢源气体的气体流量高[0164]上述的太阳能电池的制作方法的技术方案中，采用氧化工艺在基底100表面形成(PolyvinylButyral，简称PVB)胶膜、