模拟电子技术（第2版）

任务1-1半导体二极管的分析

任务1-2半导体二极管的典型应用电路分析

任务1-3半导体三极管的分析

情境任务任务1-4仪器仪表使用及半导体元件的测量

一、半导体的特性

1.半导体――导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，常用硅(Si)、锗(Ge)和砷化镓(GaAs)等。

2.半导体的特性－－热敏性、光敏性、掺杂性1.1半导体基础知识任务1-1半导体二极管的分析二、本征半导体－－化学成分纯净的单晶结构半导体

1.硅和锗简化原子结构模型

硅和锗都是四价元素，原子最外层有4个价电子。硅原子锗原子硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子。束缚电子

把硅或锗材料制成单晶体时,原子间距离很近。价电子不仅受到自身原子核的约束，还要受到相邻原子核的吸引，使得每个价电子为相邻原子所共有，从而形成共价键。2.本征半导体共价键晶体结构

本征半导体的共价键结构在T=0K时，所有的价电子被共价键紧紧束缚在共价键中，不会成为自由电子，故本征半导体导电能力很弱，接近绝缘体。

这一现象称为本征激发，也称热激发。

当温度升高或受到光的照射时，束缚电子能量增高，有的电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子。自由电子+4+4+4+4+4+4+4+4+4空穴

自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，称为空穴。自由电子+4+4+4+4+4+4+4+4+4空穴电子空穴对2)本征激发产生的载流子－－电子和空穴本征激发产生电子空穴对空穴－－带正电，它靠正离子吸引附近自由电子而移动电子－－带负电，它能自由移动自由电子带负电荷电子流+4+4+4+4+4+4+4+4+4自由电子E＋－载流子空穴带正电荷空穴流本征半导体的导电性取决于外加能量：温度变化，导电性变化；光照变化，导电性变化。3)导电原理

两种载流子在电场中的运动

结论：电子和空穴移动方向相反复合现象激发和复合矛盾由于本征激发产生的电子空穴对的数目很少，则本征半导体中载流子浓度很低，其导电能力很弱。热敏和光敏特性

掺杂特性

三、杂质半导体1.N型半导体（电子型）本征硅(或锗)中掺入少量的五价元素（如磷、砷、锑等），多数载流子是电子，少数载流子（本征激发引起）是空穴。掺入杂质（微量有用）的半导体N型半导体（电子型）多余电子磷原子砷等硅原子多数载流子——自由电子少数载流子——空穴++++++++++++N型半导体施主离子自由电子电子空穴对

在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。空穴硼原子硅原子多数载流子——空穴少数载流子——自由电子－－－－－－－－－－－－P型半导体受主离子空穴电子空穴对2.P型半导体（空穴型）杂质半导体的示意图++++++++++++N型半导体多子—电子少子—空穴－－－－－－－－－－－－P型半导体多子—空穴少子—电子少子浓度——与温度有关多子浓度——与温度无关耗尽层势垒层内电场E

因多子浓度差

形成内电场

多子的扩散

空间电荷区

阻止多子扩散，促使少子漂移。PN结合空间电荷区多子扩散电流少子漂移电流三、PN结及单向导电特性

1.PN结的形成

少子飘移补充耗尽层失去的多子，耗尽层窄，E多子扩散

又失去多子，耗尽层宽，E内电场E多子扩散电流少子漂移电流耗尽层动态平衡：扩散电流＝漂移电流总电流＝0(1)加正向电压（正偏）——电源正极接P区，负极接N区

外电场的方向与内电场方向相反

外电场削弱内电场→耗尽层变窄→扩散运动＞漂移运动→多子扩散形成正向电流IF正向电流

2.PN结的单向导电性(2)加反向电压——电源正极接N区，负极接P区

外电场的方向与内电场方向相同。

外电场加强内电场→耗尽层变宽→漂移运动＞扩散运动→少子漂移形成反向电流IRPN

在一定的温度下，由本征激发产生的少子浓度是一定的，故IR基本上与外加反压的大小无关，所以称为反向饱和电流。但IR与温度有关。

PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻，PN结导通；

PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻，PN结截止。

由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。1.2半导体二极管一、半导体二极管的结构、符号及类型

1.结构符号任务1-2半导体二极管的典型应用电路分析2．类型

(1）按材料分:有硅二极管,锗二极管和砷化镓二极管等。

(2）按结构分:有点接触型、面接触型二极管。

(3）按用途分:有整流、稳压、开关、发光、光电、变容、阻尼等二极管。

(4）按封装形式分:有塑封及金属封等二极管。

(5）按功率分:有大功率、中功率及小功率等。（1）按封装形式塑料封装金属封装玻璃封装（2）按结构分类点接触型面接触型平面型（3）按作用场合分类整流管发光管稳压管光敏管贴片二级管

二、半导体二极管的伏安特性

硅：0.5V

锗：

0.1V(1)正向特性导通压降反向饱和电流(2)反向特性死区电压击穿电压UBR实验曲线uEiVmAuEiVuA锗

硅：0.7V锗：0.3V

1.正向特性

当正向电压较小时,正向电流极小（几乎为零）,这一部分称为

,相应的A(A′)点的电压称为

电压或门槛电压(也称阈值电压),硅管约为V,锗管约为V,如图中OA(OA′)段。当正向电压超过门槛电压时,正向电流就会急剧地增大,二极管呈现很

电阻而处于导通状态。这时硅管的正向导通压降约为V,锗管约为V,如图中AB(A′B′)段。

二极管正向导通时,要特别注意它的正向电流不能超过最大值,否则将烧坏PN结。

2.反向特性二极管两端加上反向电压时,在开始很大范围内,二极管相当于非常

的电阻,反向电流

,且

反向电压而变化。此时的电流称之为

IR,见图中OC（OC’）段。4.温度对特性的影响

温度升高时二极管正向特性曲线向左移动,正向压降减小;反向特性曲线向下移动,反向电流增大。3.反向击穿特性由伏安特性看出，当反向电压超过UBR后稍有增加时，反向电流急剧增加,这种现象称为

,

UBR称为。三、半导体二极管的主要参数1.最大整流电流IF：二极管允许通过的最大正向平均电流。超过ＩＦ,二极管将过热而烧毁。

2.最大反向工作电压ＵＲM：二极管允许的最大工作电压。当反向电压超过此值时,二极管可能被击穿。为了留有余地,通常取击穿电压的一半作为ＵＲM3.反向饱和电流IR：二极管未击穿时的反向电流值。

4.最高工作频率fM1.最大整流电流：二极管允许通过的最大正向平均电流。超过此电流,二极管将可能因过热而烧毁。

2.最大反向工作电压：二极管允许的最大工作电压。当反向电压超过此值时，二极管可能被击穿。3.反向饱和电流：二极管未击穿时的反向电流值。4.正向峰值浪涌电流：正向浪涌电流承受能力。任务1-1半导体二极管的分析

任务1-2半导体二极管的典型应用电路分析

任务1-3半导体三极管的分析

情境任务任务1-4仪器仪表使用及半导体元件的测量

五、晶体二极管基本电路及分析

1.二极管等效电路

1)理想模型：把二极管看作理想开关

2)恒压降模型（c)二极管恒压降电路模型（d)理想电路模型2.二极管整流电路

把交流电变为直流电，称为整流。一个简单的二极管半波整流电路如图(a)所示。若二极管为理想二极管，当输入一正弦波时，其输入、输出波形见图(b)。整流电路可用于信号检测，也是直流电源的一个组成部分。练一练3.二极管限幅电路限幅电路也称为削波电路，它是一种能把输入电压的变化范围加以限制的电路，常用于波形变换和整形。一个简单的上限幅电路如图(a)所示。

4.二极管电平选择电路

一从多路输入信号中选出最低或最高电平的电路。一种二极管低电平选择电路如图(a)所示。设两路输入信号u1,u2均小于E。若u1<u2，则V1导通后将把uo限制在低电平u1上，使V2截止。反之，若u2<u1，则V2导通，使V1截止。只有当u1=u2时，V1,V2才能都导通。试分析下列几种情况下二极管的工作状态及输出端F的电位VF。设二极管正向压降为0.7V。（1）VA=VB=0V（2）VA=0V，VB=3V（3）VA=3V，VB=0V（4）VA=VB=3V

练习1.稳压管

稳压二极管是利用PN结反向击穿后具有稳压特性制作的二极管。稳压管的主要参数如下:(1)稳定电压UZ

(2)稳定电流IZ

六、特殊二极管IZmin<IZ<IZmax

稳压管的伏安特性及符号稳压二极管的电路符号及伏安特性曲线如图所示。它的正、反向特性与普通二极管基本相同。区别仅在于击穿后，特性曲线更加陡峭，即电流在很大范围内变化时(IZmin<I<IZmax)，其两端电压几乎不变。稳压管正确工作条件之一：稳压管反向接于电路之中AB稳压管正确工作条件之二：IZmin<IZ<IZmax1.稳压管

稳压二极管是利用PN结反向击穿后具有稳压特性制作的二极管。稳压管的主要参数如下:(1)稳定电压UZ

(2)稳定电流IZ

(3)动态电阻rZ(4)电压温度系数

(5)额定功耗PZ

六、特殊二极管IZmin<IZ<IZmax

稳压管动态电阻稳压管等效电路2.发光二极管

发光二极管也称为LED，是一种将电能转换为光能的半导体器件，其应用极为广泛。

早期只能发出低光度的红光，之后发展出其他单色光的版本，时至今日能发出的光已遍及可见光、红外线及紫外线，光度也提高到相当的光度。单色光双色光红外线随着技术的不断进步，发光二极管用途也由初时作为指示灯、显示板等逐渐扩展至广泛应用于显示器、电视机采光装饰和照明。指示灯显示器照明发光二极管分类（1）按使用材料

可分为磷化镓（GaP）发光二极管、磷砷化镓（GaAsP）发光二极管、砷化镓（GaAs）发光二极管、磷铟砷化镓（GaAsInP）发光二极管和砷铝化镓（GaAIAs）发光二极管等多种。（2）按管体颜色

可分为红色、琥珀色、黄色、橙色、浅蓝色、绿色、黑色、白色、透明无色等多种。圆形发光二极管的外径为2~20mm，分为多种规格。（3）按封装形式

可分为金属封装、陶瓷封装、塑料封装、树脂封装和无引线表面封装外，还可分为加色散射封装、无色散射封装、有色透明封装和无色透明封装。金属封装塑料封装无色透明封装（4）按发光颜色

可分为有色光和红外光。有色光又分为红色光、黄色光、橙色光、绿色光等。红色光

黄色光

绿色光

此外，发光二极管还可分为普通单色发光二极管、高亮度发光二极管、超高亮度发光二极管、变色发光二极管、闪烁发光二极管、电压控制型发光二极管、红外发光二极管和负阻发光二极管等。

高亮度发光

闪烁发光

变色发光发光二极管工作条件发光二极管正确工作条件之一：发光二极管正向接于电路之中

发光二极管与普通二极管一样，都是由PN结构成，也具备单向导电性。当发光二极管正偏，注入到N区和P区的载流子被复合时，会发出可见光和不可见光。发光二极管工作条件发光二极管正确工作条件之一：发光二极管正向接于电路之中发光二极管正确工作条件之二：发光二极管串联合适阻值电阻3.光敏二极管

光敏二极管又称为光电二极管（photodiode），是一种能够根据使用方式，将光信号转换成电流或者电压信号的光探测器。光敏二极管工作条件

光敏二极管结构与普通二极管相似，只是管壳上留有一个能入射光线的窗口。其管芯是一个具有光敏特征的PN结，具有单向导电性，工作时需加上反向电压。光敏二极管工作原理无光照时，有很小的饱和反向漏电流，即暗电流，此时光敏二极管截止。当受到光照时,

PN结中产生电子—空穴对，少数载流子密度增加。这些载流子在反向电压下漂移，使反向电流增加，形成光电流，它随入射光强度的变化而变化。因此可以利用光照强弱来改变电路中的电流。光敏二极管典型应用感应式水龙头安防对射管

光敏二极管常常和发光器件（通常是发光二极管）被合并在一起组成一个模块，这个模块常被称为光电耦合元件。光敏二极管典型应用光敏二极管典型应用

光电式烟雾探测器红外线遥控光敏二极管典型应用

照相机测光器亮度自动调节路灯任务1-1半导体二极管的分析

任务1-2半导体二极管的典型应用电路分析

任务1-3半导体三极管的分析

情境任务任务1-4仪器仪表使用及半导体元件的测量

1.3半导体三极管一、三极管的结构与分类几种半导体三极管的外形

任务1-3半导体三极管的分析

1.晶体三极管的结构与符号2.组成晶体管有3个导电区:

发射区——发射载流子的区域;

基区——传输载流子的区域;

集电区——收集载流子的区域。

3个电极：发射极e、基极b、集电极c

2个PN结：be区交界面－－发射结

cb区交界面－－集电结工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，因此，还被称为双极型晶体管（简称BJT）。3.分类

1)NPN、PNP2)高频管、低频管、功放管、开关管

3)大功率、小功率

4)锗管、硅管常用型号分别为：3A(锗PNP)、3B(锗NPN)、3C(硅PNP)、3D(硅NPN)四种系列4.结构特点

1)发射区杂质浓度高

2)基区杂质浓度低、很薄

3)集电结面积大

1）因为发射结正偏，所以发射区向基区注入电子，形成了扩散电流IEN

。同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为IEP。但其数量小，可忽略。所以发射极电流IE≈

IEN。

2）发射区的电子注入基区后，变成了少数载流子。少部分遇到的空穴复合掉，形成IBN。所以基极电流IB≈

IBN。大部分到达了集电区的边缘。3）因为集电结反偏，收集扩散到集电区边缘的电子，形成电流ICN

。

另外，集电结区的少子形成漂移电流ICBO。二、三极管的电流分配与放大作用基极偏置电阻

基极偏置电源

基极回路集电极回路共发射极电路

改变可变电阻RB的阻值，使基极电流IB为不同的值，测出相应的集电极电流IC和发射极电流IE。IB/mA00.020.040.060.080.10IC/mA0.0010.701.502.303.103.95IE/mA0.0010.721.542.363.184.05（1）结论（2）共发射极直流电流放大系数IB/mA00.020.040.060.080.10IC/mA0.0010.701.502.303.103.95IE/mA0.0010.721.542.363.184.05共发射极交流电流放大系数要使NPN三极管能起正常的放大作用，发射结必须加正向偏置，集电结必须加反向偏置。测得工作在放大状态的三极管的两个电极电流如图所示（1）求另一个电极电流，并在图中标出实际方向；（2）标出e、b、C极，判断该管是NPN还是PNP型管；（3）估算其β值。共射极电路对微弱电信号的放大三、晶体三极管特性曲线

1.共发射极接法的输入特性曲线

uＣＥ为常数,iＢ～uＢＥ关系曲线测试原理图输入特性曲线

(1)uCE=0时,曲线和普通二极管的特性相似。常温下硅管的死区电压0.5V、锗管0.1V，发射结导通电压硅管约0.6～0.7V,锗管约0.2～0.3V。

(2)uCE≥1V时，曲线右移,且不同uCE的曲线基本重合。

2.共发射极接法的输出特性曲线

IＢ为常数,IＣ～UＣＥ之间的关系曲线

(1)截止区－－

IＢ≤０的区域

发射结、集电结均反偏。IＢ=0时,IＣ＝0，三极管没有放大作用呈高阻抗，e、c、b之间如同开关断开。

(2)放大区－－曲线平坦区

发射结正偏,集电结反偏。IＣ＝βIＢ，IＣ几乎与UCE而无关。体现了三极管的电流放大作用。

(3)饱和区－－ＵCE≤ＵBE靠近纵轴区

发射结正偏、集电结正偏或零偏。UＣＥ较小，小于临界饱和压降UCES（硅管0.3V，锗管0.1V）。IＣ不受IＢ控制即IＣ≠βIＢ，e、c、b之间如同开关闭合。表三极管的四种运用状态

集电运用状态结发射结

正向运用

反向运用

正向运用

饱和状态

放大状态

反向运用

反向放大状态

截止状态例题：测得工作在放大电路中晶体管三个电极电位：U1=3.5V，U2=2.8V，U3=12V，试判断管型、各电极及所用材料。

在一块工作正常的放大电路板上，测出1端对地为－6.2V，2端对地为－6V，3端对地为－9V，试判断管脚所属电极和管子类型。1）标出e、b、c2）是NPN还是PNP3）锗管还是硅管思考题四、三极管的主要参数及温度的影响

1.电流放大系数－－表征三极管放大能力(1)共发射极交流电流放大系数β(2)共发射极直流电流放大系数β

(3)共基极交流电流放大系数α

(4)共基极直流电流放大系数α。在忽略反向饱和电流ＩＣＢＯ时,在放大区中间，β＝β，α＝α

2.极间反向电流集电极－基极反向饱和电流ＩＣＢＯ：发射极开路时集电结的反向电流，值很小，小功率管硅＜1uA，锗约10uA。越小越好。穿透电流ICEO

：基极开路，c、e间加上一定反向电压时的集电极电流。ICEO＝（1＋β）ICBO3极限参数

（1）集电极最大允许电流ＩＣＭ当ＩＣ＞ＩＣＭ管子的β下降β与IC关系曲线

（2）反向击穿电压ＵBR（CBO）——E开路时,C-B间的反向击穿电压。ＵBR（CEO）——B开路时,C-E间的反向击穿电压。ＵBR（CER）——B、E间串有电阻Ｒ时,C-E间反向击穿电压。ＵBR（CES）——B、E极间短路时,C-E间的反向击穿电压。ＵBR（EBO）——C开路时,E-B间的反向击穿电压,此电压一般较小,仅有几伏左右。上述电压一般存在如下关系：ＵBR（CBO）＞ＵBR（CES）＞ＵBR（CER）＞ＵBR（CEO）＞ＵBR（EBO）

(3)集电极最大允许功率损耗ＰＣＭ。当三极管工作时,管子两端电压为ＵＣＥ,集电极电流为ＩＣ,因此集电极损耗的功率为三极管的安全工作区

iＣ＜ＩＣＭ

uＣE＜ＵBR（CEO）

PＣ＜PＣＭ4．温度对三极管的特性与参数的影响（1）温度对uBE的影响

在iB相同的条件下,输入特性随温度升高而左移,使uBE减小。（2）温度对ICBO的影响三极管输出特性曲线随温度升高将向上移动，使ICBO增加

（3）温度对β的影响

温度升高,输出特性各条曲线之间的间隔增大，β增加

四、二极管的简易测试

将万用表置于R×100或R×1k(Ω)挡（R×1挡电流太大,用R×10k(Ω)挡电压太高,都易损坏管子）。用万用表判别三极管的管脚及管型

①基极的判别。

用量程R×1K档，黑表笔接b极，红表笔接剩余两极，若均为小电阻为NPN型，均为大电阻为PNP型。②集电极和发射极的判别6.万用表判别三极管好坏用量程R×1K档分别测量e结及c结的正、反向电阻，若两PN结的正向电阻都很小，反向电阻都很大则正常。任务2-1共发射放大电路分析

任务2-2共集电极电路与共基极电路分析

任务2-3多级放大电路分析

情境任务任务2-4小信号放大电路参数测试2.1共射放大电路所谓共什么极连接指输入输出信号交流电压公共参考点在什么电极任务2-1共发射放大电路分析

放大元件iC=iB，工作在放大区，要保证集电结反偏，发射结正偏。1.共射极放大电路的组成及各元件的作用各元件作用：使发射结正偏，并提供适当的静IB和UBE。基极电源与基极电阻集电极电源，为电路提供能量。并保证集电结反偏。集电极电阻RC，将变化的电流转变为变化的电压。耦合电容：电解电容，有极性，大小为10

F~50

F作用：隔直通交隔离输入输出与电路直流的联系，同时能使信号顺利输入输出。++各元件作用：基本放大电路的习惯画法（1）电压、电流的符号3.放大电路中电压、电流的方向及符号规定（2）标记电压、电流的参考方向电压的参考方向：以输入、输出回路的公共端为负NPN管电流的参考方向：iC、iB流入电极，iE流出电极1）直流通路——ui=0时直流电流流过的路径

4.直流通路和交流通路ui=0时由于电源的存在，电路中存在一组直流量。ICIEIB+UBE-+UCE-开路

将电感短路，将电容开路。直流通路的画法：开路对交流信号(输入信号ui)2）放大器的交流通路交流通路——分析动态工作情况交流通路的画法：将直流电压源短路，将电容短路。短路短路置零直流通路交流通路

3）基本放大电路的组成原则:a.要有直流通路，使e结正偏、c结反偏，并保证合适的Q点。

b.要有交流通路。即待放大的输入信号能加到晶体管的发射结或场效应管栅源极之间，而且放大了的信号能从电路中取出。

【例】用上述原则判断下图电路是否具有电压放大作用

解：图(a)由于C1隔直流作用,无输入直流通路。图(b)由于C1的旁路作用使得输入信号电压无法加入。图(c)由于没有Rc,只有信号电流,无信号电压输出,或者说输出信号电压无法取出。图(d)发射结没有正向偏置电压。所以上图电路均无电压放大作用。uiiBiCuCEuo各点波形uo比ui幅度放大且相位相反1.静态——ui=0时电路的工作状态

二、放大电路的工作状态分析ui=0时由于电源的存在，电路中存在一组直流量。ICIEIB+UBE-+UCE-由于(IB,UBE)和(IC,UCE)分别对应于输入、输出特性曲线上的一个点，所以称为静态工作点。IBUBEQIBUBEQUCEICICUCEIB为什么要设置静态工作点？

放大电路建立正确的静态工作点，是为了使三极管工作在线性区，以保证信号不失真。画直流通路：Rb称为偏置电阻，IB称为偏置电流。估算法分析放大器的静态工作点（IB、UBE、IC、UCE）ICQ=

IBQ

2.静态工作点的估算例：用估算法计算静态工作点。已知：VCC=12V，RC=4k

，Rb=300k，

=37.5。解：请注意电路中IB和IC的数量级固定偏置式直流电路

静态工作点的估算IBS为临界饱和电流，若IBQ<IBS则三极管工作在放大状态，否则为饱和状态，此时UCEQ＝UCES，ICQ＝ICS3.放大电路图解分析法1）静态图解法

基极回路估算法集电极回路M点(12V，0mA)和N点(0V，3mA)斜率为-1/Rc

MN称为直流负载线放大电路在没有交流信号输入时静态电压和静态电流是固定的，即静态工作点Q是固定的。如果有信号输入时，三极管的工作状态是在静态的基础上再叠加一个交流分量，这时电路就工作在动态。2）动态图解法（设输出空载）ui=20sinωt(mV）

Q1Q2－动态工作范围

工作点移动的轨迹输出电压uo和输入电压ui的相位关系是什么？

3）动态图解法（带负载情况）

放大电路的工作情况是否会因为RL的接入而受到影响呢？直流负载线同前面的空载情况当放大电路不带负载RL时，交流负载线是什么呢？4.放大电路的失真现象分析

所谓失真,是指输出信号的波形与输入信号的波形不成比例的现象。EWB演示——放大器的饱和与截止失真iCuCEuo可输出的最大不失真信号（1）合适的静态工作点ib非线性失真与Q的关系iCuCEuo（2）Q点过低→信号进入截止区称为截止失真（顶部失真）信号波形iCuCEuo（3）Q点过高→信号进入饱和区称为饱和失真（底部失真）信号波形截止失真和饱和失真统称“非线性失真”总结：工作点不合适引起的非线性失真

NPN管共e放大器，发生截止失真时，其输出电压波形的顶部被限幅在某一数值上。发生饱和失真时，其输出电压波形的底部被限幅在某一数值上。

Q点偏高将可能产生饱和失真，Q点偏低可能产生截止失真。一般Q点选在交流负载线中点。a.解决饱和失真的办法：令Rb↑，使IB↓可使Q↓；b.解决截止失真的办法：令Rb↓，则可使Q↑。可能出现双向失真吗？例若输出电压的波形出现如下失真，是截止还是饱和失真？应调节哪个元件？如何调节？解：为截止失真。应减小Rb。

放大电路只有设置了合适的静态工作点Q,才能不失真地放大交流信号。因此,设置直流偏置电路,是实现对交流信号放大的前提。放大电路中常见的直流偏置电路有以下几种。

1．固定偏置式电路1)电路组成

+UCC经电阻Rb为发射结提供正偏电压,经电阻Rc为集电结提供反偏电压。5.放大电路的偏置分析对于前面的电路（固定偏置电路）而言，静态工作点由UBE、

和ICEO决定，这三个参数随温度而变化。Q变UBE

ICEO变T变IC变3）温度对静态工作点的影响I1I2IB2.静态工作点稳定的放大器（分压式偏置电路）选I2=（5~10）IB∴I1

I2ICIE（1）结构及工作原理静态工作点稳定过程：TUBEICICIEVE

UBE=VB-VE=VB-IE

ReVB稳定IB由输入特性曲线I1I2IBICIE（2）直流通道及静态工作点估算:IB=IC/

UCE=VCC-ICRC-IEReIC

IE=VE/Re

=（VB-UBE）/Re

电容开路,画出直流通道一.放大电路的动态性能指标1.放大倍数——表示放大器的放大能力

常用的有电压放大倍数和电流放大倍数（1）电压放大倍数定义为:AU=uo/ui（2）电流放大倍数定义为:AI=io/ii

6.放大电路性能指标的估算

工程上常用分贝(dB)来表示电压放大倍数，称为增益

电压增益

（3）功率放大倍数定义为:Ap=Po/Pi

电流增益

功率增益2.输入电阻ri——从放大电路输入端看进去的等效电阻ri=ui/ii一般来说，ri越大越好。（1）ri越大，ii就越小，从信号源索取的电流越小。（2）当信号源有内阻时，ri越大，ui就越接近uS。riri3.输出电阻ro——从放大电路输出端看进去的等效电阻ouorro

输出电阻是表明放大电路带负载能力的，ro越小，放大电路带负载的能力越强，反之则差。

输出电阻的定义：二、共射极放大电路性能指标的估算思路：将非线性的BJT等效成一个线性电路条件：交流小信号1.三极管的小信号简化等效电路（微变等效电路）三极管微变等效电路rbb’——基区体电阻，与Q点无关，对低频小功率管，约为100～500Ω，一般取rbb’≈300Ω放大器的交流分析步骤1）画出放大器的微变等效电路（1）画出放大器的交流通路（2）将交流通路中的三极管用微变参数等效电路代替2）根据微变等效电路求解动态性能指标2.共e极放大电路的微变等效电路(1)电压放大倍数负载电阻越小，放大倍数越小。当电路空载，电压放大倍数如何求解？

(2)输入电阻ri

根据输入电阻的定义：电路的输入电阻越大，从信号源取得的电流越小，因此一般总是希望得到较大的的输入电阻。cibbeRrβicbibRiior所以：（3）输出电阻ro根据定义：0+-对输出级，输出电阻越小越好。定义：放大+iur+uS--S电路irRL+Ou-当信号源有内阻时：由图知：所以：(4)源电压放大倍数（5）旁通电容CE开路即发射极接有电阻R时电压放大倍数：RL=RC//RL输入电阻：输出电阻：

例

在图示电路中，已知：β=50，UBE=0.7V,Rb1=50kΩ，Rb2=10kΩ，Rc=4kΩ，Re=1kΩ，RL=4kΩ，VCC=12V，试求：

(1)静态工作点；(2)Au、ri和ro值；(3)若发射极旁路电容Ce开路，求Au、ri和ro值，并与接入Ce时的Au、ri和ro值进行比较。

Au的值由77下降到1.9

输入电阻增大输出电阻不变

分析放大电路方法概括：1.用近似估算法（先画直流通路）确定静态工作点；2.小信号输入时用微变等效电路（先画交流通路）求性能指标；任务2-1共发射放大电路分析

任务2-2共集电极电路与共基极电路分析

任务2-3多级放大电路分析

情境任务任务2-4小信号放大电路参数测试2.2

共集和共基放大电路（一）共集电极放大电路1.结构：任务2-2共集电极电路与共基极电路分析

2.直流通道及静态工作点分析：IBIEUBEUCE3.动态分析（1）交流通道及微变等效电路（2）电压放大倍数：射极跟随器（3）输入电阻（4）输出电阻射极输出器的特点：电压放大倍数=1，输入阻抗高，输出阻抗小。射极输出器的应用1、放在多级放大器的输入端，提高整个放大器的输入电阻。2、放在多级放大器的输出端，减小整个放大器的输出电阻。3、放在两级之间，起缓冲作用。（二）共基极电路1.静态工作点2.动态分析画出电路的微变等效电路（1）电压放大倍数（2）输入电阻（3）输出电阻（4）特点输入电阻小输出电阻大输出、输入同相，但无电流放大作用（5）用途高频、宽带电路中三种组态的比较电压增益：输入电阻：输出电阻：共集共基共射任务2-1共发射放大电路分析

任务2-2共集电极电路与共基极电路分析

任务2-3多级放大电路分析

情境任务任务2-4小信号放大电路参数测试任务2-3多级放大电路分析

一.多级放大器的耦合方式1.阻容耦合优点：

各级放大器静态工作点独立。

输出温度漂移比较小。缺点：

不适合放大缓慢变化的信号。

不便于作成集成电路。（放大频率不太低的交流信号－－交流放大器）2.直接耦合优点：

各级放大器静态工作点相互影响。

输出温度漂移严重。缺点：

可放大缓慢变化的信号。

电路中无电容，便于集成化（低频特性好，能放大缓慢变化甚至直流信号－－直流放大器）3.变压器耦合（隔离性能好）优点：各级电路的静态工作点相互独立，改变匝数比可以实现阻抗变换，获得大的输出功率。缺点：不便于集成，不能传送直流或者频率低的信号。二.多级放大器的分析•

前级的输出阻抗是后级的信号源阻抗•

后级的输入阻抗是前级的负载1.两级之间的相互影响2.电压放大倍数（以两级为例）注意：在算前级放大倍数时，要把后级的输入阻抗作为前级的负载！扩展到n级：3.输入电阻4.输出电阻ri=ri（最前级）(一般情况下）ro=ro（最后级）(一般情况下）设：

1=

2=

=100，UBE1=UBE2=0.7

V。举例1：两级放大电路如图示，求Q、Au、ri、ro解：（1）求静态工作点（2）求电压放大倍数先计算三极管的输入电阻画微变等效电路：电压增益：（3）求输入电阻ri=ri1=rbe1//Rb1//Rb2

=2.55k

（4）求输出电阻rO=RC2

=4.3k

2.6

放大电路的频率响应频率响应——放大器的电压放大倍数与频率的关系其中：称为放大器的幅频响应

称为放大器的相频响应1．单级阻容耦合放大电路的频率特性

上、下限频率之差为通频带BW,即BW=fh-fl

(1)中频段（f=fh-fl）:全部电容均不考虑,耦合电容、旁路电容视为短路,极间电容视为开路。电压增益与频率无关。(2)低频段（f≤fl）:极间电容视为开路，而耦合电容、旁路电容的容抗不能忽略。f越低，电容C1、C2、CE呈现的容抗越大，其分压越明显，使低频时电压增益下降。(3)高频段（f≥fh）:耦合电容、旁路电容视为短路,而极间电容的容抗不能忽略。f越高，晶体管结电容Cb′e和Cb′c其容抗越小，分流作用明显，使高频时电压增益下降。（a）两个单级放大电路的通频带;

（b）耦合后,放大电路的通频带变窄2．多级放大电路的幅频特性

3.频率失真（线性失真）小信号调谐放大器适用场合：广播、电视、通信等接受设备中实质：电压放大器作用：将微弱的有用信号进行线性放大，滤除不需要的噪声和干扰信号特点：负载是并联谐振回路分类：单调谐回路、双调谐回路、参差调谐回路

共基极、共发射极、共集电极单调谐放大器是由单调谐回路作为交流负载的放大器并联谐振适合于RS

、RL大的场合！在谐振点处，回路阻抗最大

即在谐振时LC并联谐振回路相当于一个大电阻

LC并联谐振回路的谐振频率

谐振电阻

LC并联谐振回路两端的电压U0达到最大值IsZo

BW＝f0/Q

矛盾并联一个电阻对Q是什么影响？Q降低，通频带变宽

晶体管Ｙ参数等效电路

Yie＝gie＋jωCieYoe＝goe＋jωCoe

单调谐放大器

第2级信号输入偏置电路高频旁路电容LC并联谐振回路的作用？电阻R3的作用？BW0.7＝2△f0.7＝f0/Q

L

Kr0.1＝2△f0.1/2△f0.7=2△f0.1/BW0.7

矩形系数高频小信号调谐放大器的主要技术指标

(1)增益Au(dB)——Au(dB)=20lgAu

单位：分贝(dB)

高频放大器的增益一般较小,常采用多级级联方法。

(2)通频带BW0.7——高频放大器一般放大的是已调信号，含有一定的边频，要求放大器有较宽的通频带。一般要求：广播——8kHz；调频广播——200kHz

电视机——6～8MHz(1MHz=106Hz)(3)选择性k0.1——从各种不同频率信号中选出有用信号、抑制干扰信号。引入—“矩形参数”。

k0.1=BW0.1/BW0.7

任务2-5小信号放大电路仿真测试任务2-6负反馈电路的分析

任务2-7负反馈电路性能及相关参数的测试

情境任务TUBEICICVEIB稳定工作点电路：VB一定反馈电路我们并不陌生。曾经讨论过一个很好的例子。一、反馈的定义

反馈即回送，将放大器输出电压或电流一部分或全部回送到输入端的过程。任务2-6负反馈电路的分析

ui、uf、uid和uo分别表示电路的输入电压、反馈电压、净输入电压和输出电压。二.几个基本概念1.开环与闭环电路中只有正向传输，没有反向传输，称为开环状态。正向传输——信号从输入端到输出端的传输反向传输——信号从输出端到输入端的传输既有正向传输，又有反馈称为闭环状态。信号的正向传输信号的正向传输反馈传输(通路)（反馈网络）叫开环放大倍数；叫反馈系数叫闭环放大倍数因为所以1+AF称反馈深度，越大反馈越深直流反馈——若电路将直流量反馈到输入回路，则称直流反馈。2.直流反馈与交流反馈电路引入直流反馈的目的，是为了稳定静态工作点Q交流反馈——若电路将交流量反馈到输入回路，则称交流反馈。（如去掉电容Ce）交流反馈，影响电路的交流工作性能。直流反馈交流反馈ic

解：根据反馈到输入端的信号是交流还是直流还是同时存在，来进行判别。例：判断下图中有哪些反馈回路，是交流反馈还是直流反馈。交、直流反馈交流反馈

注意电容的“通交隔直”作用！例：该放大器无反馈，净输入量ube=ui，电压放大倍数为：3.负反馈与正反馈负反馈——输入量不变时，引入反馈后使净输入量减小，多用于改善放大器性能。引入反馈后，净输入量ube=ui-uf

，电压放大倍数为：可见，净输入量减小，放大倍数减小，所以是负反馈。正反馈——引入反馈后使净输入量增加，用于振荡电路。

用“瞬时极性法”判断反馈极性

(1）假设输入信号某一瞬时的极性。

(2）根据输入与输出信号的相位关系,确定输出信号和反馈信号的瞬时极性。

(3）再根据反馈信号与输入信号的连接情况,分析净输入量的变化,如果反馈信号使净输入量增强,即为正反馈,反之为负反馈。正反馈可以判定图(a)是负反馈。判定过程如下：iB↑→iC↑→VC↓→if↑iB↓本级反馈——反馈只存在于某一级放大器中

级间反馈——反馈存在于两级以上的放大器中例4.本级反馈与级间反馈级间反馈本级反馈本级反馈本级反馈本级反馈级间反馈三、反馈类型及其判定1.电压反馈与电流反馈(1)电压反馈：反馈信号的大小与输出电压成比例(2)电流反馈：反馈信号的大小与输出电流成比例

判定方法之二——输出短路法：将输出端对交流短路,若反馈信号随之消失,则为电压反馈,否则为电流反馈。(3)电压反馈和电流反馈的判定：

判定方法之一——直观判定：在交流通路中,若放大器的输出端和反馈网络的取样端处在同一个放大器件的同一个电极上,则为电压反馈；否则是电流反馈。反馈电路举例判断电路是正反馈（负反馈），直流反馈（交流反馈）电压反馈（电流反馈）2.串联反馈和并联反馈

(1)串联反馈：反馈信号与输入信号是电压相加减的关系串联反馈示意图(2)并联反馈：

并联反馈示意图反馈信号与输入信号是电流相加减的关系

(3)串联、并联反馈的判定方法：反馈信号与输入信号加在放大电路输入回路的同一个电极,则为并联反馈；否则,为串联反馈。可以判定,图(a)是并联反馈,图(b)是串联反馈。

对于三极管电路：

若反馈信号与输入信号同时加在三极管的基极或发射极，则为并联反馈。若反馈信号与输入信号一个加在基极一个加在发射极则为串联反馈。

对于运放电路：

若反馈信号与输入信号同时加在同相端或反相端为并联反馈。

若反馈信号与输入信号一个加在同相端一个加在反相端则为串联反馈。试判断下列电路中引入的反馈是串联反馈还是并联反馈。3.反馈性质判别方法归纳：（1）判别有无反馈——找输入输出有无联系支路（2）判别电流、电压反馈——短路法（将输出短路若反馈消失为电压反馈即从电压输出端引出的反馈）（3）判别串联、并联反馈（4）判别直流、交流反馈（反馈回来的信号是直流则为直流反馈）（5）判别正、负反馈——瞬时极性法（并联反馈中反馈信号和输入信号瞬时极性相反为负反馈，而串联反馈中反馈信号和输入信号瞬时极性相同为负反馈）

四.反馈类型及判别方法总结1.直流反馈与交流反馈—注意电容的“隔直通交”作用

例1:试判断下图电路中有哪些反馈支路，各是直流反馈还是交流反馈？2.反馈极性：正反馈与负反馈判定方法——“瞬时极性法”例2:试判断下列电路中反馈支路的反馈极性。对于串联反馈：输入量与反馈量作用在不同的两点上，若输入量与反馈量的瞬时极性相同为负反馈，瞬时极性相反为正反馈。对于并联反馈：输入量与反馈量作用在同一点上，若反馈元件两端瞬时极性相反为负反馈，瞬时极性相同为正反馈。3.取样方式—电压反馈与电流反馈

假设输出端交流短路（RL=0），即uo=0，若反馈信号消失了，则为电压反馈；若反馈信号仍然存在，则为电流反馈。电压反馈：反馈信号的大小与输出电压成比例。判断方法——输出短路法：电流反馈：反馈信号的大小与输出电流成比例。例3:试判断下列电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈。

4.比较方式——串联反馈和并联反馈串联反馈：反馈信号与输入信号加在放大电路输入回路的两个电极。有：ud=ui-uf

并联反馈：反馈信号与输入信号加在放大电路输入回路的同一个电极。有：id=ii-if

此时反馈信号与输入信号是电压相加减的关系。此时反馈信号与输入信号是电流相加减的关系。例4:试判断下列电路中引入的反馈是串联反馈还是并联反馈。单级电压并联负反馈电路习题级间电压串联负反馈级间电流并联负反馈三级电流串联负反馈电路

三级电压并联负反馈电路

4.负反馈放大器的四种类型

电压串联负反馈电压并联负反馈电流串联负反馈电流并联负反馈(1)电压串联负反馈瞬时极性判断是负反馈，所以该电路为电压串联负反馈从输入端看，ud

=ui-uf故为串联反馈因为反馈量与输出电压成比例，所以称电压反馈分立电路电压串联负反馈RL

uO

uf

ud(ube)

uO

电压负反馈的特性——稳定输出电压稳定过程：负载变化时，输出电压稳定——输出电阻↓ui一定(2)电压并联负反馈id=ii-if从输入端看有：因为反馈量与输出电压成比例，所以是电压反馈

反馈电流：故为并联反馈分立电路电压并联负反馈反馈量与输出电压成比例，所以是电压反馈。根据瞬时极性判断是负反馈，所以该电路为电压并联负反馈。ib

=is-if在输入端有故为并联反馈。

因为反馈电流：(3)电流并联负反馈又因为在输入端有:id=ii-if

反馈电流：因为反馈量与输出电流成比例，所以是电流反馈。分立电路组成的电流并联负反馈引入电流负反馈的目的——稳定输出电流稳定过程：负载变化时，输出电流稳定——输出电阻↑RL

io

if

id（ib）

io

(4)电流串联负反馈

反馈电压：uf=ioRfud=ui-uf又因为在输入端有因为反馈量与输出电流成比例，所以是电流反馈故为串联反馈分立电路组成的电流串联负反馈电路io

uf

ud

io

引入电流负反馈的目的——稳定输出电流稳定过程：负载变化时，输出电流稳定——输出电阻↑RL

例在图(a)所示的多级放大器中，为了实现以下几个方面的要求，应该分别引入什么样的负反馈。

(1)接输出负载RL后，电压放大倍数比较稳定。

(2)加信号后IC3不受RC3的影响。解(1)要稳定输出电压Uo，必须引入电压反馈。(2)要稳定IC3，应引入电流负反馈。对图（a），要保证是负反馈，只能引入电流串联负反馈，即在e1、e3之间接入一电阻Rf，如图(c)所示。

对图（a）而言，在电压反馈的前提下，只能接成并联形式，才能保证是负反馈。所以，在接上输出负载RL后，为了使电压放大倍数比较稳定，需要在b1、c3之间接入一电阻Rf以引入电压并联负反馈，使输出电压Uo比较稳定。

而Ui是一定的，故使电压放大倍数比较稳定。顺便指出，为避免引入的反馈影响直流工作点，应加一由电阻和一大电容的串联网络，如图(b)所示。负反馈放大电路的方框图人工反馈寄生反馈因为某种杂散参数（杂散电容和杂散电感）的存在，将输出信号反馈到输入端从而产生所谓寄生反馈负反馈对放大电路性能的影响

提高增益的稳定性

减少非线性失真

扩展频带

改变输入电阻和输出电阻

在放大器中引入负反馈

降低了放大倍数

使放大器的性能得以改善一.提高放大倍数的稳定性闭环时则只考虑幅值有即闭环增益相对变化量比开环减小了1+AF倍另一方面:在深度负反馈条件下

即闭环增益只取决于反馈网络。当反馈网络由稳定的线性元件组成时，闭环增益将有很高的稳定性。2.改善放大器的非线性失真Auiufuiuoud加反馈前加反馈后AF+–

失真改善uouo3.扩展放大器的通频带

放大电路加入负反馈后增益下降，但通频带却加宽了。

无反馈时放大器的通频带：fbw=fH－fL

fH

有反馈时放大器的通频带：fbwf=fHf－fLf

fHf可以证明：fbwf=(1+AF)fbw放大器的一个重要特性：增益与通频带之积为常数。即：Amf×fbwf=Am×fbw020lg|A|（dB）F（Hz）AmfLfHfLffHfAmf4.负反馈对输入电阻的影响

(1)串联负反馈使输入电阻增加

无反馈时：

有反馈时：(2)并联负反馈使输入电阻减小

无反馈时：

有反馈时：5.负反馈对输出电阻的影响

电压负反馈→稳定输出电压（当负载变化时）→恒压源→输出电阻小。(1)电压负反馈使输出电阻减小

电流负反馈→稳定输出电流（当负载变化时）→恒流源→输出电阻大。(2)电流负反馈使输出电阻提高为改善性能引入负反馈的一般原则

要稳定直流量——引直流负反馈

要稳定交流量——引交流负反馈

要稳定输出电压——引电压负反馈

要稳定输出电流——引电流负反馈

要增大输入电阻——引串联负反馈

要减小输入电阻——引并联负反馈

要反馈效果好——信号源为电压源引入串联负反馈，信号源为电流源引入并联负反馈举例：在下面的放大器中按要求引入适当的反馈。（1）希望加入信号后，ic3的数值基本不受R6改变的影响。（2）希望接入负载后，输出电压UO基本稳定。（3）希望输入端向信号源索取的电流小。（4）希望稳定静态工作点。解：以上两种反馈都同时具有交、直流反馈，所以能够稳定静态工作点。如果要求只引入直流负反馈，去除交流反馈。怎样接？为了实现下述的性能要求，问各应引入何种负反馈？

（1）希望us＝0时，元件参数的改变对末级的集电极电流影响小；（2）希望输入电阻较大；（3）希望输出电阻较小；（4）希望接上负载后，电压放大倍数基本不变；（5）希望信号源为电流源时，反馈的效果比较好。

本章重点反馈的基本概念和电路中常用的四种负反馈组态反馈类型的判别负反馈对放大器的性能的影响（包括：提高放大倍数的稳定性，减小非线性失真，抑制噪声，扩展频带，改变输入、输出电阻等。）任务3-1

基本运算电路分析

任务3-2电压比较器电路分析

任务3-3滤波器电路的分析研究

情境任务任务3-4冰箱温控器功能的仿真测试

什么是集成运算放大器？

在半导体制造工艺的基础上，把整个电路中的元器件及其连接导线，制作在一块硅片上，构成特定功能的电子电路，称为集成电路。

集成电路按其功能来分，可以分为模拟集成电路和数字集成电路两大类。数字集成电路用来产生和处理各种数字信号；模拟集成电路用来产生和处理各种模拟信号。集成运算放大器、集成功率放大器、集成模拟乘法器、集成稳压器集成运算放大器——高增益的直接耦合的集成的多级放大器。集成电路的工艺特点：（1）元器件具有良好的一致性和同向偏差，温度均一性好，因而特别有利于实现需要对称结构的电路。（2）集成电路的芯片面积小，集成度高，所以功耗很小，在毫瓦以下。（3）不易制造大电阻。需要大电阻时，往往使用有源负载。（4）只能制作几十pF以下的小电容（PN结电容）。因此，集成放大器都采用直接耦合方式。如需大电容，只有外接。（5）不能制造电感，如需电感，也只能外接。（6）二极管用三极管的发射结构成。

直耦耦合放大器存在的问题——零点漂移零漂现象：1.产生零漂的原因：2.零漂的衡量方法：由温度变化引起的。当温度变化使第一级放大器的静态工作点发生微小变化时，这种变化量会被后面的电路逐级放大，最终在输出端产生较大的电压漂移。因而零点漂移也叫温漂。输入ui=0时，输出有缓慢变化的电压产生。将输出漂移电压按电压增益折算到输入端计算。例如

若输出有1V漂移电压。

则等效输入有100uV的漂移电压假设第一级是关键3.减小零漂的措施用非线性元件进行温度补偿采用差动放大电路等效100uV漂移1V差动放大电路一.结构:对称性结构即：

1=

2=

UBE1=UBE2=UBE

rbe1=rbe2=rbe

RC1=RC2=RCRb1=Rb2=Rb差动放大电路抑制零漂的原理Uo=VC1-VC2

=0当ui1

=

ui2

=0时，当温度变化时：VC1=VC2设T

ic1

,ic2

Vc1

,Vc2

uo=Vc1-Vc2=0典型差动放大电路

1.差动放大电路一般有两个输入端：双端输入——从两输入端同时加信号。单端输入——仅从一个输入端对地加信号。

2.差动放大电路可以有两个输出端。双端输出——从C1

和C2输出。单端输出——从C1或C2

对地输出。二.几个基本概念11/12/2026差动放大器的输入输出方式

差动放大器共有四种输入输出方式:

1.双端输入、双端输出（双入双出）

2.双端输入、单端输出（双入单出）

3.单端输入、双端输出（单入双出）

4.单端输入、单端输出（单入单出）主要讨论的问题有：

差模电压放大倍数、共模电压放大倍数差模输入电阻输出电阻3.差模信号与共模信号差模分量：共模分量：差模电压增益：共模电压增益：总输出电压：比较信号

理想情况差模信号是有用信号，共模信号是无用信号（温度或电源电压变化引起的零点漂移）必须抑制，要抑制共模信号须电路完全对称，但实际不能做到。——反映实际差动电路的对称性

措施之一是加RE反馈电阻，RE越大，抑制共模信号的能力越强，但RE大造成在RE的压降大，使UCEQ小，为保证有合适的静态工作点，加UEE辅助电源。

衡量差动放大电路对差模信号的放大和对共模信号的抑制能力4.共模抑制比五.带恒流源的差动放大电路

根据共模抑制比公式：

加大Re，可以提高共模抑制比。为此可用恒流源T3来代替Re等效很大的交流电阻，直流电阻并不大。恒流源使共模放大倍数减小，而不影响差模放大倍数，从而增加共模抑制比。恒流源的作用集成运算放大器

一、集成运算放大器件的识读常见的集成运算放大器有圆形、扁平型、双列直插式等,有8管脚、14管脚等。

二、集成运放的组成及其符号集成运放内部实际上是一个高增益的直接耦合放大器输入级：要求零漂小,输入电阻大，一般用差动放大器中间级：要求高电压增益，有时还完成从双端到单端输出的转换，同时还向输出级提供较大推动电流。输出级：要求输出电阻低，带负载能力强。偏置电路：为各级提供稳定偏置，常用恒流源组成。（一）简单的集成运放

原理电路：（二）典型运放电路内部结构示意图＋－u-－u+uo（三）集成运算放大器符号国际符号：国内符号：集成运放的特点：电压增益高输入电阻大输出电阻小同相输入端反相输入端输出端

1.输入失调电压UIO

输入电压为零时，将输出电压除以电压增益，即为折算到输入端的失调电压。是表征运放内部电路对称性的指标。集成运算放大器的主要参数

一、主要参数

2.输入失调电压温漂

dUIO/dT

在规定工作温度范围内，输入失调电压随温度的变化量与温度变化量之比值。

4.输入失调电流

IIO

：

在零输入时，差分输入级的差分对管基极电流之差，用于表征差分级输入电流不对称的程度。

3.输入偏置电流IIB

：输入电压为零时，运放两个输入端偏置电流的平均值，与第一级管子性能有关（nA级）。5.输入失调电流温漂dIIO/dT:

在规定工作温度范围内，输入失调电流随温度的变化量与温度变化量之比值。6.最大差模输入电压Uidmax

运放两输入端能承受的最大差模输入电压，超过此电压时,差分管将出现反向击穿现象。7.最大共模输入电压Vicmax

在保证运放正常工作条件下，共模输入电压的允许范围。共模电压超过此值时，输入差分对管出现饱和，放大器失去共模抑制能力。

8.开环差模电压放大倍数

Aod

：

无反馈时的差模电压增益。一般Aod在