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文档简介

1、cl .黄08/29/2003,介绍AMD1使用的电容器目前在AMD1中使用的容量种类是:一. tantalum cap.2.ceramic ccap (ycap/mlccchipcap/ceramicdiskcap 三. aluminumelectrolyticcap.4.plasticfilmcap (包括xcap/ycap )。各种电容的选定和测试时的注意项目:TantalumCap1.(1)耦合电路、滤波电路、定时当前使用的尺寸为:3216(ACase )、3528(BCase )的6032(CCase )三种.2.特性部分: (1) rated capacitance.(2) rat

2、ed voltage.(3) dissipation . d.f.=tan (lossargle )=e.s.r./xc=(2fc ) (e.s.r.)。 可在需要voltagederating (less than1/21/3 toratedvoltage )的125个环境下工作.5.结构图:2.ceramic ccap1. ycap/ceramicdisckcapmlcch 在线路中的线对地使用的foracsafetyperequestemc (EMI EMS ).(b )材质为bati o3(磁盘类型).(2) ceramicdisckcap : (a ) temperature coe

3、fficient为: n (b )温度补偿型用于温度补偿电路、谐振电路、调谐电路、耦合电路;(c )高介电体型用于高频电路、中低压电路的高速逻辑电路; (3) mlcchipcap : (a )临时配置大致分为:NPO(COG )的X7R,Y5V, Z5U的4种(b )一般电子电路、高电压电路、液晶背光源的逆变器电路中使用的(c )材质主成分(BME工艺) :NPO是CaZrO3 X7R/Y5V/Z5U是BaTiO3.(d )现在使用的size :0402/2220.2 .特性部: (1) rated capacitance.(2) rated voltage.(3) dissipation

4、factor (tan ) orq.(4) insulation resistance . (5) hi-pottest.(6)电容性电路. (7)操作性电路. (8)安全认证.3.包装: (1) 盒类型(3) ceramicdisckcap3.3.3. 2,(4)MLCCChipCap(4.1 )和(4.2 ) temperaturecoefficient: 5 .注意事项:温度补偿型不适用于有脉冲电压的电路(陶瓷芯片电容器的导体在陶瓷芯片上薄薄地涂布银或其他合金,导体面积小,与引线的焊接面积小,脉冲电压的冲击另外,脉冲波的冲击也是引起陶瓷芯片龟裂的现象,只要短脉冲电压不超过电容器的额定电压

5、就可以应用。 )6.MLCC结构图:三. AluminimElectrolyticCap1.用于抑制电路上的脉动电压.2.特性部分: (1) rated capacitance.(2) rated voltage.(3) dissipat leakage current.(5) (6) life.(7)温度范围. (8) ripple current .3 .封装件:以下.4 .铝电解电容器故障模式和原因: 5 .铝电解电容器结构图(1)XCap:(a )用于线对线线路,foracsafetyperequestemc (EMI EMS ) . 线路中使用的线对地foracsafetyperequestemc (EMI EMS ),(b )材质为金属多孔丙基薄膜(box type ),(3) plasticfilmap : (a )为低、中高压电路和大电流电路材质为: metallizedpolyestrfilm/metallizepolypropylefilm/polypropyleneswithdoubleidedmetallizefilm .2 .特性部分: (1) ra

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