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文档简介

1、,第1章传感器敏感材料,1.1半导体硅材料,1.2化合物半导体材料,1.3石英敏感材料,1.4精密陶瓷材料,1.5ZnO薄膜,1.6铁电聚合物,1.7非晶态磁性合金,1.9复合材料,1.8形状记忆合金,传感器敏感材料有多种,如物理材料、化学材料和生物材料等。1.单晶硅:固态传感器的材料,优点:优良的机械、物理性质,材质纯,内耗低、功耗小。机械品质因数高达106数量级,滞后和蠕变极小,机械稳定性好。各向异性,具有很好的热导性,应变灵敏系数高。,1.1半导体硅材料,硅材料的质量轻,密度为不锈钢的1/3,而弯曲强度为不锈钢得3.5倍,具有高强度比和高密度比;热导性为不锈钢底倍,而热膨胀系数不到不锈钢

2、的1/7;制造工艺与硅集成电路工艺有很好的兼容性可实现微型化、低功耗,有利于传感器的一致性、可靠性和快响应。,2.多晶硅:是许多单晶的聚合物。晶粒的排列是无序的,不同的晶粒有不同的单晶取向,而每一晶粒内部具有单晶的特征。晶粒与晶粒之间的部位称为晶界,其对压阻效应的影响可通过控制掺杂浓度来降低。晶粒越大,压阻效应越大。,低温淀积的多晶硅膜经过高温处理后晶粒明显增大,有利提高压阻效应。多晶硅压阻膜具有良好的温度稳定性,可有效地抑制温漂,是制造低温漂传感器的理想材料。,3.非晶体硅:在光电器件、传感器中应用。与晶体材料相比,非晶体硅具有:(1)在可见光范围内具有高的光吸收系数。(2)淀积温度低(20

3、0-300C),可用多种材料作衬底,感受大面积淀积。,(3)材料性能稳定,具有较高的机械强度。(4)具有高的塞贝克系数(5)纯非晶硅没有压阻效应,利用微晶相与非晶相混合可产生压阻效应,灵敏系数高。(6)非晶硅的弹性模量和多晶硅一样,取决于制备和热处理,一般为(150170)103MPa。可制成多种传感器,如光传感器,成象传感器,高灵敏度温度传感器,微波功率传感器,触觉传感器等。,4.硅蓝宝石:是在蓝宝石衬底上应用外延生长技术形成的硅薄膜。衬底是绝缘体,可实现元件之间的分离,且寄生电容小。蠕变极小,优于单晶硅;耐辐射能力强;化学稳定性好,耐腐蚀性强。具有耐环境性强的优势。,先进的成象传感器材料。

4、如碲镉汞、锑化铟、砷化镓等。开发长波段的应用。无源探测的红外光敏技术,广泛应用。如红外夜视、火控、跟踪定位、精确制导等,1.2化合物半导体材料,1.石英晶体:晶态SIO2,形状为六角锥体,构成轴(光轴),轴(电轴),轴(机械轴)。,1.3石英敏感材料,特点:各向异性,具有压电特性;绝缘体;和单晶硅一样,具有优良的机械物理性质。工作温度为,2.石英玻璃:非晶态SIO2,物理特性与方向无关。机械物理性能和化学性能极优。在以前,弹性模量随温度的增高而增大,以后随温度的升高而下降。最高使用温度为1100。适宜制造高精度传感器。,以化学合成的物质为原料,控制其中的组分比,经过精密的成型烧结,可制成适合传

5、感器需要的多种精密陶瓷材料-功能陶瓷材料。特点:耐热性,耐腐蚀性,多孔性,光电性,压电性等独特的性能。新开发陶瓷温度、气体、温度、光电、离子、加速度、陀螺等传感器。,1.4精密陶瓷材料,作为压电体、光导体、光波导和半导体的多用途材料;六角晶结构,各向异性体,具有大的压电常数,大的声光、电光和非线性光学系数。淀积ZnO膜技术最广泛的方法是磁控溅射方法,可获得压电性能、光学性能优良,表面平坦而透明的致密薄膜层。,1.5ZnO薄膜,是指含有铁电晶体组织的特殊高分子聚合物,如聚氯乙烯、聚偏二佛乙烯(PVF2)。PVF2优良,具有压电、热释电特性。应用在电-声和机-电传感器,如声频、超声波等。,1.6铁

6、电聚合物,结构为长程无序,短程有序;在旋转磁场中的各个方向的相对磁导率较高;电阻率高,在交变磁场作用下,涡流损耗小,响应快,高频特性好;磁致伸缩效应大;机械强度高,高达2000-3500MPa。根据传感器的具体特性要求确定这类材料的组分和形状。,1.7非晶态磁性合金,新的传感器材料,具有热弹性和超弹性;过程:把某种记忆合金在高温下定形后,若冷却到低温产生形变,只要温度稍微升高就可以使形变迅速消失,并回到高温下所具有的形状。代表性材料有:NiTi,CuZnAl,CuAlNi。,1.8形状记忆合金,原子合成法通过控制材料的特性可以合成理想传感器材料;晶体合成法:多层结构,材料的混合在原子级上进行控制,合成的材料也叫人造晶格或超

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