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文档简介

1、,真空退火对HIT电池本征薄层性能的影响,姓名：孙浩 专业：应用物理 学号：20082200225 指导教师：杨仕娥,主要内容,研究背景 实验内容与方法 实验结果与分析 总结,发展高效、高稳定、低成本太阳能电池 HIT太阳能电池优点 a、低温工艺 （250）； b、高效率（实验室最高：23.7%） ； c、高稳定性（温度系数低）； d、低成本,研究背景,HIT电池结构,HIT 太阳能电池采用非晶硅薄膜/单晶硅衬底异质结结构，综合了单晶硅和非晶硅太阳能电池的优点。,研究内容,本征氢化非晶硅薄层的沉积是HIT太阳能电池的关键技术。研究表明：氢化非晶硅相对于其他薄膜，其钝化效果最好。 本文主要研究了

2、真空退火对氢化非晶硅薄层性能的影响 。,实验内容与方法,2、实验流程,实验内容与方法,改进的沈阳中科仪器厂的PECVD设备,1、实验设备,沉积参数: 辉光功率 10W 沉积气压 0.5 Torr 衬底温度 220 极板间距 1.5cm 射频频率 75MHz 氢稀释比 8% 气体总流量 70sccm,1、退火温度实验,退火工艺参数：,实验结果与分析,结果分析：当非晶硅薄膜经过一定温度退火后，样品各层吸收热量使悬挂键结合，形成稳定的键，使缺陷态密度降低从而加强本征氢化非晶硅层的钝化效果，硅片少子寿命得以提高。退火温度过高，本征氢化非晶硅钝化层结构会发生改变，在非晶硅与晶体硅界面处有外延硅生成，从而使界面处的缺陷态密度增加，故少子寿命低。,1、退火温度对少子寿命的影响,2、退火时间实验,实验结果与分析,结果分析:若退火时间过短，样品中有部分悬挂键结合形成稳定的Si-Si键，随着退火时间的增加，稳定的Si-Si键变多，加强了本征薄层的钝化效果 ，但是当退火时间继续增加时，样品中部分结合不稳定的Si-H键会断裂，会释放出氢气，形成悬挂键，造成样品的少子寿命降低。 。,2、退火时间对少子寿命的影响,主要结论,真空退火作为后处理

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