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文档简介
1、内存电源,主板上常见的内存插槽有DDR1、DDR2和DDR3。不同的存储器需要不同的工作电压,通常DDR1存储器需要2.5V,DDR2需要1.8V,DDR3需要1.5V.通常,在存储器插槽旁边设计一个特殊的电源电路来为存储器供电。主电源VTT电压DDR: 2.5v,1.25v,ddr2: 1.8v,0.9v,ddr:1.5v,0.75v,负载电源,存储器负载电源:即存储器总线端接电压VTT-DDR,一般使用独立芯片,如RT9202,RT9199和W83310。在高速信号读写过程中,由于总线阻抗匹配、布线等因素会影响高频信号的完整性,导致数据读写错误。为了防止这种误差,必须能够吸收或提供大电流,
2、并且以高电压稳定精度和快速响应精确地跟随终端电源的VTT,该终端电源是主电源的一半(VCC-DDR/2),以便减少由总线上的负载变化引起的瞬态波形失真。存储器电源电路的组成,主要包括三端稳压器、场效应晶体管(上下管)、电感、电容、电源管理芯片、上拉电阻或电阻、上拉芯片等。DDR2记忆电源,引脚定义,1。BOOT:启动引脚、UGATE电源、自举升压端子。2.上部管道驱动。3.GND:主播。4.下部管道驱动。5.VCC:供电终端,LGATE电源。6.FB:电压反馈端子,与内部0.8V参考电压进行比较。7.OCSET:过电流设置,高电平开启。通常,OCSET将连接到开关三极管的c极或场管的d极。如果
3、三极管拉下引脚7,芯片将停止工作。8.相位:相位引脚,上管传导回路。检查上管的导通压降,防止过流。采用12V和5V供电的RT9202的工作原理。1: 5V向引脚5供电,5V向上管供电,12V通过R4向引脚1供电,5V通过R1向引脚7供电。2: 2引脚UGATE驱动上管导通。3:上管为电感器L2和电容器C3充电。4:当L2和C3组成的储能电路的电压被R2和R3分压后反馈给FB,当电压超过0.8V时,RT9202关闭上管,打开下管。5:打开下管,形成储能电路的放电电路。当分压后反馈给FB的电压低于0.8V时,RT9202控制关闭下管,打开上管继续供电。6: 2-5周期。注1:当Q1的G极获得高电平
4、SHND信号时,引脚7被拉低,整个芯片停止工作。注2:相位可以防止上、下管道同时打开造成的短路。注3:电阻值3的变化:R2和R3将导致输出电压增加或减少,但脉宽调制波形正常。RT9202的工作原理是5V供电,只有1: 5V给引脚5供电,5V给上管供电,5V通过D1给引脚1供电,5V通过R1给引脚7供电。2: 2引脚UGATE驱动上管导通。3:上管给电感器L2和电容器C3充电,并把它们返回到C2的右端。4:4:C2的右端电压增加,由于其特性,左端(BOOT)引脚的电压也将增加,直到它完全导通。5:当L2和电容C3组成的储能电路的电压被R2和R3分压后反馈到FB引脚,当电压超过0.8V时,RT92
5、02控制关闭上管,打开下管。6:打开下管,形成储能电路的放电电路。当分压后反馈给FB的电压低于0.8V时,RT9202关闭下管,打开上管继续充电。7:2-6通知1:当Q1的G极获得高电平SHND信号时,引脚7被拉低,整个芯片停止工作。注2:相位可以防止上、下管道同时打开造成的短路。注3:电阻值3的变化:R2和R3将导致输出电压增加或减少,但脉宽调制波形正常。存储电路维护过程、8引脚脉宽调制芯片的工作条件、1: 1引脚和5引脚的5V以上电压。2: 7引脚电压:RT9202超过3V,RT9214超过0.4V。3.上下管的G极有控制电压,输出电压仍然异常或无电压输出,这通常是反馈FB接线电阻损坏造成的。4.该芯片可以
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