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文档简介

1、.,SEPIC电路分析,.,主要内容,1、理想情况下的电路分析 2、实际情况下的电路分析 3、器件的选择 4、损耗的计算 5、电路效率的计算,.,1、理想情况下电路分析,图1 理想情况下SEPIC电路,.,1、理想情况下电路分析,图2 当MOSFET导通时电路,回路方程：,MOSFET开通时电路,.,1、理想情况下电路分析,图3 MOSFET关断时电路图,回路方程：,MOSFET关断时电路,.,电感伏秒平衡方程,电容充放电平衡方程,1、理想情况下电路分析,.,2、实际情况下的电路分析,图4 实际情况下的电路,.,MOSFET导通时实际电路,图5 当MOSFET导通时实际电路,回路方程：,2、实

2、际情况下的电路分析,.,图6 MOSFET关断时电路图,MOSFET关断时实际电路,2、实际情况下的电路分析,回路方程：,.,电感伏秒平衡方程,电容充放电平衡方程,2、实际情况下电路分析,.,3、器件的选择,1） 电感的选择,确定电感的规则是，在最小输入电压时使 得纹波电流的大小约为稳定值得30%。,电感L1的纹波电流：,得,同理可得L2的值,.,3、器件的选择,2） 电容的选择,确定电容的规则是，在最小输入电压时使 得纹波电压的大小约为稳定值得5%。,电容C1的纹波电压：,同理可得C2的值,.,3、器件的选择,3） 功率MOSFET的选择,流过开关管的最大电流值,其中,承受到最大反向峰峰值电压为,4） 电力二极管的选择,流过二极管的最大电流值,承受到最大反向电压为,.,4、损耗的算,a） MOSFET的关断损耗,1） MOSFET的开关损耗,b） MOSFET的开通损耗,d） 一个周期内MOSFET总的损耗,图7 MOSFET关断时的波形图,c） MOSFET的导通损耗,.,4、损耗的算,2）

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