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文档简介

1、电子技术，类别概述，晶体管结构特点：三极，三区和双极晶体管的基本特点：它们有电流放大，晶体管有电流放大的两个工作条件：内部条件：三区的特殊工艺结构；外部条件：发射极结的正向偏置和集电极结的反向偏置，即NPN晶体管：Vc Vb Ve PNP晶体管：Vc Vb Ve，电流分布关系：IE=IC IB IC=IB重要数据：UBE0.7V或0.3V，电子技术，1。晶体管是一种电流控制器件，当内部和外部条件满足时，它可以放大电流。2.电流放大主要体现在：在基极引入小电流，集电极产生大电流；积分=磅3；三极管各极的电压和电流之间的关系可以用三极管的输入和输出特性曲线来描述。回想一下：二极管的伏安特性，电路中

2、三极管的三种配置，4、特性曲线，集成电路、V、UCE、uBE、Rb、iB (1)当1)UCE=0时，输入特性曲线类似二极管的正向伏安特性曲线，死区电压为UON(导通电压)，硅管为0.5V，锗管为0.1v。当使用uBE UON时，基极可以产生电流，硅管的导通电压为0.7V，锗管为.(2)当2)UCE增加时，输入特性曲线向右移动；(3)当倾角为1V时，曲线不再明显向右移动，而是基本重合。1.共发射极输入特性曲线；6.共发射极输出特性曲线。当基极电流IB为常数时，输出特性指的是三极管的集电极ic和管压降uCE之间的关系。我们现在看到的是，当IB作为参数时，共发射输出特性曲线代表ic和UCE之间的关系

3、：即Ic=f(UCE)|IB=常数。实测输出特性曲线如下图所示：根据施加电压的不同，整个曲线可分为四个区域：放大区、截止区、饱和区和击穿区、7、2、输出特性、集成电路(毫安)、8、饱和区：发射极结正向偏置，集电极结正向偏置为： uBEUon，UCE为0.1V。9，截止面积：磅=0，乌贝翁，乌苏贝；IB=0，Ic=ICEO0，10，输出特性曲线群集，当UCE增加到某个值时，集电极结将反向击穿，导致集电极电流Ic急剧增加，这是输出特性图上的击穿区域。11，输出特性：的三个区域的特性，放大区域：发射极结的正向偏置和集电极结的反向偏置。也就是说，集成电路=集成电路，集成电路=集成电路，(2)饱和区：发射极结正向偏置，集电极结正向偏置。也就是说

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