半导体三极管的基础知识

1、1、第2章半导体三极管及其放大电路，2.1半导体三极管的基本知识，2.2放大电路的组成和基本原理，2.3用图解法分析放大电路，2.4用简化微变量等效电路分析放大电路，下页，总目录，2.5静态工作点的稳定电路，2.6共集电极发射极电路，2.7共基极放大电路的介绍和放大电路三种配置的比较，2.8多级放大电路，2.1半导体三极管的基本知识， 2.1.1三极管的结构和符号，2.1.2三极管中的电流分布关系和放大电路，下页，总目录，2.1.3三极管的伏安特性曲线，2.1.4三极管的主要参数及其简单测试半导体晶体管双极晶体管，或简称三极管，由：分类组成，通常是各种电子电路的核心器件。 双极结型晶体管也称为

2、：硅或锗，氮磷磷，下一页，上一页，主页，2.1半导体晶体管基本知识，2.1.1晶体管结构和符号，4晶体管结构，三个区域，氮磷氮，下一页，上一页，主页，5，复合和扩散：电子在基极区复合和扩散。3.收集：收集扩散到收集器的电子。同时，形成反向饱和电流ICBO。IE，IC，IB，ICN，IEN，IBN，ICBO，集电极电流，基极电流，下一页，上一页，第一页，动画，6，IC=ICNIBOIE=ICNIBN，它将被替换为IC=ICNIBO。当ICBO IC，IE=IEn，IE=IC IB，下一页，上一页，第一页，第7、IE=IC IB，可用时，当ICEO IC，可用时，ICEO=(1) ICBO，IE=

3、IC IB，ICIB，IE=(1) IB，ICEO称为渗透电流。下一页，上一页，第一页，8，各参数的含义：共基DC电流放大系数。共发射DC电流放大系数。集电极和发射极之间的穿透电流。共基交流电流放大系数。共发射交流电流放大系数。并满足，或，下一页，上一页，第一页，9，2.1.3三极管的伏安特性曲线，1。输入特性，uCE=0V，uCE=2V，当uCE大于某个值时，每个输入特性都非常密集，当uCE为1时，通常用一个输入特性来表示。下一页，上一页，主页，10，2。输出特性，iC=f(uCE)、iB=常数、饱和区、放大区、截止区：iB 0、iC 0、发射极结和集电极结的区域均为反向偏置。饱和区：发射极

4、结和集电极结都是正向偏置的，uCE很小，iC基本上不随iB变化。当uCE=uBE时，它是临界饱和。uCE uBE时过饱和。截止区域，下一页，上一页，主页，动画，2。放大区：发射极结正向偏置，集电极结反向偏置iC=iB，11，发射极结反向偏置，集电极结反向偏置，三极管工作在截止区，VBB极性可以改变。发射极结是反向偏置的，三极管工作在截止区，VCC极性可以改变，或VT可以改为PNP型。两个PN结都是正向偏置的，三极管工作在饱和区。例1.3.1判断图中所示各电路中三极管的工作状态。下一页，上一页，第一页，12，vbb=IB rbube，IB，IC，IB=46.5 a，IB=2.3 ma，假设三极管

5、饱和，UCES=0.3 V，则iC=，VCC-乌塞斯，RC，=4.85 ma，IB ics，Or，iC=iB=2.3 mA，uCE=VCC-iC Rc=5.4 V，发射极结正向偏置，集电极结反向偏置，三极管工作在放大区。下一页，上一页，第一页，13，vbb=IB rbube，IB，IC，IB=465a，IB=23ma，假设三极管饱和，UCES=0.3 V，则ics=，VCC-乌塞斯，RC，=4.85ma，IB ics，假设成立Or，iC=iB=23 mA，uCE=VCC-iC Rc=-36 V，发射极结正向偏置，集电极结正向偏置，三极管工作在饱和区。，下一页，上一页，第一页，14、2.1.4三

6、极管及其简单测试的主要参数，2。反向饱和电流、公共基极电流放大系数、集电极和基极之间的反向饱和电流ICBO以及集电极和发射极之间的穿透电流ICEO，两者都满足，1。电流放大系数，共发射电流放大系数，下一页，上一页，第一页a .集电极最大允许电流ICM，三极管的安全工作区，过流区，集电极反向击穿电压u (br) CEO，集电极反向击穿电压U(BR)CBO，iCuCE=PCM，过压区，安全工作区，ICM，U(BR)CEO，c .极间反向击穿电压，b .集电极最大允许耗散功率PCM，在由PNP晶体管组成的放大电路中， 根据常规晶体管中电流和电压的调节，晶体管中每个极的电流和电压的实际方向如图(a)所示，正方向如图(b)所示。 在定量计算中，UBE和UCE的PN